1.一种屏蔽栅功率MOSFET器件,包括有源区,所述有源区内包括若干个相互并联的元胞单元(01),其特征在于,在所述有源区内还包括若干个与所述元胞单元(01)均匀并列分布的虚拟元胞单元(02),所述虚拟元胞单元(02)包括第一导电类型衬底(1)及位于第一导电类型衬底(1)上的第一导电类型外延层(2),在所述第一导电类型外延层(2)的上部设有第二导电类型阱区(15),在所述第二导电类型阱区(15)间设有第一类型沟槽(3),在所述第一类型沟槽(3)内填充有虚拟屏蔽栅多晶硅(5)、包裹所述虚拟屏蔽栅多晶硅(5)下部的厚氧化层(6)、位于所述虚拟屏蔽栅多晶硅(5)上部两侧的虚拟栅极多晶硅(7)及位于虚拟栅极多晶硅(7)外侧的虚拟栅氧化层(8);
在所述第一类型沟槽(3)上覆盖有绝缘介质层(12),在所述绝缘介质层(12)上覆盖有源极金属(13),所述源极金属(13)通过绝缘介质层(12)内的通孔分别与虚拟屏蔽栅多晶硅(5)、虚拟栅极多晶硅(7)电连接。
2.一种屏蔽栅功率MOSFET器件,包括有源区,其特征在于,在所述有源区内包括若干个均匀并列分布的虚拟元胞单元(02),所述虚拟元胞单元(02)包括第一导电类型衬底(1)及位于第一导电类型衬底(1)上的第一导电类型外延层(2),在所述第一导电类型外延层(2)的上部设有第二导电类型阱区(15),在所述第二导电类型阱区(15)间设有第一类型沟槽(3),在所述第一类型沟槽(3)内填充有虚拟屏蔽栅多晶硅(5)及包裹所述虚拟屏蔽栅多晶硅(5)下部的厚氧化层(6),在所述虚拟屏蔽栅多晶硅(5)上部的一侧设有虚拟栅极多晶硅(7),另一侧设有栅极多晶硅(10),在所述虚拟栅极多晶硅(7)外侧设有虚拟栅氧化层(8),在所述栅极多晶硅(10)外侧设有栅氧化层(11);
在所述第一类型沟槽(3)上覆盖有绝缘介质层(12),在所述绝缘介质层(12)上覆盖有源极金属(13),所述源极金属(13)通过绝缘介质层(12)内的通孔分别与虚拟屏蔽栅多晶硅(5)、虚拟栅极多晶硅(7)电连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种屏蔽栅功率MOSFET器件,其特征在于:在所述有源区内还包括若干个并联的元胞单元(01),所述元胞单元(01)包括第一导电类型衬底(1)及位于第一导电类型衬底(1)上的第一导电类型外延层(2),在所述第一导电类型外延层(2)的上部设有第二导电类型阱区(15),在所述第二导电类型阱区(15)间设有第二类型沟槽(4),在所述第二类型沟槽(4)内填充有屏蔽栅多晶硅(9)、包裹所述屏蔽栅多晶硅(9)下部的厚氧化层(6)、位于所述屏蔽栅多晶硅(9)上部两侧的栅极多晶硅(10)及位于栅极多晶硅(10)外侧的栅氧化层(11);
在所述第二类型沟槽(4)上覆盖有绝缘介质层(12),在所述绝缘介质层(12)上覆盖有源极金属(13),所述源极金属(13)通过绝缘介质层(12)内的通孔与屏蔽栅多晶硅(5)电连接。
4.根据权利要求3所述的一种屏蔽栅功率MOSFET器件,其特征在于:在所述第二导电类型阱区(15)内的上部设有第一导电类型源极区(16),在所述第一导电类型源极区(16)间设有金属接触孔,所述源极金属(13)填充在所述金属接触孔内,并与所述第一导电类型源极区(16)欧姆接触。
5.根据权利要求3所述的一种屏蔽栅功率MOSFET器件,其特征在于:在所述第一导电类型衬底(1)的下表面设置漏极金属(14),所述漏极金属(14)与第一导电类型衬底(1)欧姆接触。
6.根据权利要求3所述的一种屏蔽栅功率MOSFET器件,其特征在于:在所述虚拟屏蔽栅多晶硅(5)及屏蔽栅多晶硅(9)内侧均设有绝缘氧化层(17),所述厚氧化层(6)的厚度大于绝缘氧化层(17)的厚度,所述绝缘氧化层(17)的厚度大于虚拟栅氧化层(8)、栅氧化层(11)的厚度,所述虚拟栅氧化层(8)和栅氧化层(11)的厚度为200Å~1000 Å;所述厚氧化层(6)的厚度为1000Å~10000 Å。
7.根据权利要求3所述的一种屏蔽栅功率MOSFET器件,其特征在于:在有源区内,所述元胞单元(01)与虚拟元胞单元(02)的数量比例根据实际电容需求进行调整,且元胞单元(01)与虚拟元胞单元(02)间的排列方式多样。
8.根据权利要求1或2所述的一种屏蔽栅功率MOSFET器件,其特征在于:对于N型MOSFET器件,所述第一导电类型为N型导电,所述第二导电类型为P型导电;对于P型MOSFET器件,所述第一导电类型为P型导电,所述第二导电类型为N型导电。