技术总结
本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种屏蔽栅功率MOSFET器件，包括有源区，有源区内包括元胞单元和虚拟元胞单元，虚拟元胞单元在第二导电类型阱区间设有第一类型沟槽，在第一类型沟槽内填充有虚拟屏蔽栅多晶硅、厚氧化层、位于虚拟屏蔽栅多晶硅上部两侧的虚拟栅极多晶硅及虚拟栅氧化层；在第一类型沟槽上依次覆盖有绝缘介质层、源极金属，源极金属通过绝缘介质层内的通孔分别与虚拟屏蔽栅多晶硅、虚拟栅极多晶硅电连接；本实用新型通过在有源区引入虚拟栅元胞结构，减小了栅极和源极的交叠面积，使得输入电容Ciss和米勒电容Crss降低，进而大幅度降低开关损耗，工艺简单，成本低，市场竞争力更强。
技术研发人员：朱袁正;叶鹏;刘晶晶
受保护的技术使用者：无锡新洁能股份有限公司
技术研发日：2018.08.10
技术公布日：2019.02.12