1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：
介电材料层，填充于半导体衬底的沟槽中，且所述介电材料层的顶表面高于半导体衬底的顶表面而形成凸出侧壁；以及，
绝缘侧墙，形成于所述介电材料层的所述凸出侧壁上。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述绝缘侧墙的厚度为5nm～35nm。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述沟槽在所述半导体衬底中的深度为300nm～600nm。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述沟槽沿倾斜的第一方向延伸，所述第一方向与从左至右的水平方向之间的夹角为5°～85°。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底，具有沟槽；以及，
权利要求1至4中任一项所述的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构形成于所述沟槽中，且所述浅沟槽隔离结构的顶表面高于所述半导体衬底的顶表面。
6.权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为存储器，所述半导体衬底上定义有一核心区和一外围区，所述核心区和所述外围区之间利用一所述浅沟槽隔离结构相互隔离，所述半导体衬底的所述核心区中还具有多个所述浅沟槽隔离结构，所述半导体衬底的所述外围区中还具有所述浅沟槽隔离结构，且所述核心区的浅沟槽隔离结构的顶部宽度小于所述外围区的浅沟槽隔离结构的顶部宽度，所述核心区的浅沟槽隔离结构对应的沟槽深度小于所述外围区的浅沟槽隔离结构对应的沟槽深度。
7.权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述核心区中的所有的浅沟槽隔离结构在所述核心区的半导体衬底中界定出多个按照阵列排布的有源区，所述半导体器件还包括：形成于各个所述有源区上的存储单元，所有的所述存储单元形成存储阵列于所述核心区中；以及，形成于所述外围区中的外围电路，所述外围电路与所述存储阵列中的相应的所述存储单元电连接。