一种SIP封装器件的制作方法

本实用新型涉及电子封装技术领域，具体为一种SIP封装器件。

背景技术：

SIP定义为：将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，组装在一起，实现具有一定功能的单个标准封装件，从而形成一个系统或者子系统。

目前电子产品要求呈现出高度集成化趋势，SIP（系统级封装）及SOC（系统级芯片）成为目前电子产品最常用的方式，相对于目前SOC在研发生产中的高投入，对于工程类研发公司，SIP(系统及封装)将多种功能芯片集成在一个封装内，可以实现一个基本完整的功能，且具有更好的灵活性及成本优势，同时采用SIP设计可以大大缩短设计周期，并具有良好的设计复用性。

传统的SIP封装工艺，主要采用芯片堆积并采用自动化设备将芯片与外部进行互联，此种方式往往适用于批量较大，单一功能的研发要求，投入往往较大。

为更好的适应集成化趋势，实现多种功能的SIP(系统级封装)的小批量设计制造要求，急需找到一个更为便捷经济且可实现的方式面对工程性的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种SIP封装器件，它不仅结构新颖，生产成本低，而且封装形式稳固可靠。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种SIP封装器件，包括印制电路板和开口向下的封装盖；所述印制电路板包括一体成型的顶层板和底层板，所述封装盖盖合在底层板上并固定，顶层板位于封装盖内且顶层板的侧壁和封装盖的内侧壁间隙配合。

优选的，所述顶层板上设置有集成电路芯片。

优选的，所述底层板的长宽尺寸和封装盖的长宽尺寸相同且均为10mm×15mm或15mm×15mm或15mm×25mm或20mm×20mm。

优选的，所述顶层板和底层板的厚度均为0.4mm，所述封装盖的厚度为0.5mm，封装盖的高度为5mm，顶层板的侧壁和底层板的上表面形成一个环形台阶，所述环形台阶的宽度为0.6mm。

优选的，所述环形台阶上覆有一层金属层。

优选的，所述金属层和封装盖的底面接触并焊接固定或者粘贴固定。

优选的，所述印制电路板上设置有以树脂塞孔的过孔，过孔的底部设置在印制电路板的焊盘位置，过孔内设置有导电层，焊盘和集成电路芯片电连接。

本实用新型的有益效果是：本实用新型采用台阶式的印制电路板和开口向下的封装盖进行封装，结构新颖、稳固；将过孔设置在焊盘位置，能够有效的防止SIP封装器件出现短路现象；本实用新型通过上述结构在封装完成后形成一个功能化的模块，可大大节约设计周期，有效提升工程化水平，对于小批量SIP的实现有很高的实用价值。

附图说明

图1为本实用新型的印制电路板示意图；

图2为本实用新型的封装盖示意图；

图3为本实用新型的20mm×20mm封装盖及尺寸的主剖视示意图；

图4为本实用新型的20mm×20mm封装盖及尺寸的俯视示意图；

图5为本实用新型的应用示意图；

图中，1-印制电路板，1.1-顶层板，1.2-底层板，1.3-金属层，2-封装盖，2.1-底面，3-芯片，4-过孔。

具体实施方式

下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。

如图1～4所示，一种SIP封装器件，包括印制电路板1和开口向下的封装盖2；所述印制电路板1包括一体成型的顶层板1.1和底层板1.2，所述封装盖2盖合在底层板1.2上并固定，顶层板1.1位于封装盖2内且顶层板1.1的侧壁和封装盖2的内侧壁间隙配合，使封装盖2卡在印制电路板1上，使整个SIP封装器件更加稳固。

作为本实用新型的一种优选技术方案：所述顶层板1.1上设置有集成电路芯片3。

作为本实用新型的一种优选技术方案：所述底层板1.2的长宽尺寸和封装盖2的长宽尺寸相同且均为20mm×20mm，采用同样的大小尺寸使印制电路板1和封装盖2相匹配，以便稳固可靠的封装。

作为本实用新型的一种优选技术方案：所述顶层板1.1和底层板1.2的厚度均为0.4mm，所述封装盖2的厚度为0.5mm，封装盖2的高度为5mm，顶层板1.1的侧壁和底层板1.2的上表面形成一个环形台阶，所述环形台阶的宽度为0.6mm，将顶层板1.1的侧壁和封装盖2的间隙设置成0.1mm，使封装盖2在进行封装的时候能够完全定位。

作为本实用新型的一种优选技术方案：所述环形台阶上覆有一层金属层1.3，设置的金属层便于后续批量化焊接。

作为本实用新型的一种优选技术方案：所述金属层1.3和封装盖2的底面2.1接触并焊接固定或者粘贴固定，通过焊接使整个SIP封装器件封装成型。

作为本实用新型的一种优选技术方案；所述印制电路板1上设置有以树脂塞孔的过孔5，过孔5的底部设置在印制电路板1的焊盘位置，焊盘和过孔5内的导电层电连接，导电层和集成电路芯片3电连接；以树脂塞孔的方式设置过孔4，保证了印制电路板1的完整性，同时将过孔4设置在印制电路板1的焊盘位置，能够有效的防止SIP封装器件出现短路的现象。

如图5所示，值得说明的是，本实用新型的SIP封装器件在后续装配时采用QFN封装形式，考虑到SIP封装时需要满足装配中的回流焊要求，防止出现二次融化，因此在生产过程中SIP封装器件内的焊锡需要采用高温焊锡或耐高温粘接材料；装配完成后的产品中每个封装器件对应一个功能化的SIP模块，在同一产品中多个功能化的SIP模块使集成化水平显著提高，大大节约了设计周期，能够有效升提升工程化水平，对于小批量SIP的实现具有很高的实用价值。

综上：本实用新型不仅结构新颖，生产成本低，而且封装形式稳固可靠；同时本实用新型在封装完成后形成一个功能化的模块，可大大节约设计周期，有效提升工程化水平，对于小批量SIP的实现有很高的实用价值。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型的技术方案，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均应属于本实用新型技术方案的保护范围。