1.一种硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，包括：
芯片；
介质材料块，所述介质材料块与所述芯片相邻；
塑封材料，所述塑封材料包封所述芯片和所述介质材料块，
其中所述芯片具有第一表面和第二表面，所述第一表面上具有有源区以及至少两个焊盘，每个焊盘上具有凸点，所述凸点的顶面、介质材料块的顶面以及塑封材料的顶面齐平，构成一个平面，所述凸点的顶面和塑封材料的顶面上设置有第一导电线路，介质材料块的顶面上设置有第二导电线路和/或器件，所述第一导电线路与所述第二导电线路和/或器件电连接，
所述第二表面与所述第一表面相对，所述第二表面与塑封材料的背面齐平，且重布线层和外接焊盘分布在第二表面和塑封材料的背面上，所述重布线层通过一个或多个TSV孔与所述凸点中的一个或多个形成电连接，其中TSV孔从所述第二表面延伸到对应凸点的焊盘，并且TSV孔内部填充有导电金属。
2.如权利要求1所述的硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述凸点包括用于高频信号传输的凸点和用于低频信号传输的凸点。
3.如权利要求1所述的硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，还包括设置在所述外接焊盘上的焊球。
4.如权利要求1所述的硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二导电线路是高频信号线。
5.如权利要求1所述的硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述器件是电感、电容或天线。
6.如权利要求4或5所述的硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，介质材料块是低导电率材料。