技术总结
本实用新型公开了一种硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，包括：芯片；介质材料块，所述介质材料块与所述芯片相邻；塑封材料，所述塑封材料包封所述芯片和所述介质材料块，其中所述芯片具有第一表面和第二表面，所述第一表面上具有有源区以及至少两个焊盘，每个焊盘上具有凸点，所述凸点的顶面、介质材料块的顶面以及塑封材料的顶面齐平，构成一个平面，所述凸点的顶面和塑封材料的顶面上设置有第一导电线路，介质材料块的顶面上设置有第二导电线路和/或器件，所述第一导电线路与所述第二导电线路和/或器件电连接。
技术研发人员：徐健
受保护的技术使用者：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
技术研发日：2018.12.07
技术公布日：2019.06.25