一种显示基板的封装方法、封装结构与流程

本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种显示基板的封装方法、封装结构。

背景技术：

有机发光二极管(英文：organiclight-emittingdiode，以下简称：oled)显示装置以其自发光、可柔性化、高对比度和低功耗等优点，被应用到各个领域，但是由于oled显示装置容易受到水和氧气的侵蚀，因此如何避免水和氧气的侵蚀，提升oled显示装置的使用寿命受到了广泛关注。

现有技术中为了避免oled显示装置受到水和氧气的侵蚀，一般会对oled显示装置进行薄膜封装，即在oled显示装置的表面层叠设置有机封装层和无机封装层，其中无机封装层主要起到阻隔水和氧气的作用，有机封装层主要起到应力释放和平坦化等作用。但是现有技术在制作有机封装层时，用于制作该有机封装层的流变性有机材料经常会超出无机封装层的覆盖范围，而有机封装层对水和氧气的阻隔效果较弱，容易成为水和氧气入侵的捷径，导致显示装置的封装信赖性降低。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种显示基板的封装方法、封装结构，用于解决在对显示装置进行薄膜封装时，有机封装层容易成为水和氧气的入侵捷径，导致显示装置封装信赖性降低的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种显示基板的封装方法，包括：

提供一基底，所述基底包括显示区域和环绕所述显示区域的非显示区域；

在所述基底的非显示区域制作光转换结构，所述光转换结构能够将接收到的第一光线转换为第二光线；

所述封装方法还包括在所述基底形成有所述光转换结构的一侧制作复合封装层，所述复合封装层包括有机封装层和无机封装层；

制作所述有机封装层的步骤具体包括：

形成流变性有机材料层，并向所述光转换结构照射所述第一光线，使经所述光转换结构转换得到的第二光线固化位于所述光转换结构所在区域的流变性有机材料层；

对全部所述流变性有机材料层进行固化，形成有机封装层，所述有机封装层在所述基底上的正投影被所述光转换结构在所述基底上的正投影包围。

可选的，所述在所述基底的非显示区域制作光转换结构的步骤具体包括：

制作至少两个挡墙图形，所述至少两个挡墙图形均包围所述显示区域，沿靠近所述显示区域至远离所述显示区域的方向，所述至少两个挡墙图形在垂直于所述基底的方向上的高度逐渐增大，相邻的所述挡墙图形之间形成容纳凹槽；

在所述容纳凹槽中制作光转换图形，所述光转换图形能够将接收到的所述第一光线转换为所述第二光线。

可选的，形成所述有机封装层的步骤具体包括：

制作与所述容纳凹槽一一对应的有机封装层，在形成每一所述有机封装层对应的流变性有机材料层时，向与该有机封装层对应的目标容纳凹槽中的目标光转换图形照射第一光线，使经所述目标光转换图形转换得到的第二光线固化位于所述目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层，以使在垂直于所述基底的方向上，位于所述目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层，低于用于形成所述目标容纳凹槽的挡墙图形中的远离所述显示区域的挡墙图形。

可选的，制作所述无机封装层的步骤具体包括：

制作多层无机封装层，所述光转换结构在所述基底上的正投影，位于所述无机封装层在所述基底上的正投影的内部，所述无机封装层与所述有机封装层交替层叠设置，且位于所述复合封装层外表面的膜层为所述无机封装层。

可选的，所述制作至少两个挡墙图形的步骤具体包括：

在所述基底的非显示区域制作第一挡墙图形和第二挡墙图形，所述第一挡墙图形位于所述显示区域和所述第二挡墙图形之间，所述第一挡墙图形和所述第二挡墙图形之间形成第一容纳凹槽；

所述在所述容纳凹槽中制作光转换图形的步骤具体包括：

在所述第一容纳凹槽中制作第一光转换图形；

制作所述复合封装层的步骤具体包括：

制作第一无机封装层；

在所述第一无机封装层背向所述基底的一侧形成第一流变性有机材料层，并向所述第一光转换图形照射第一光线，使经所述第一光转换图形转换得到的第二光线固化位于所述第一容纳凹槽所在区域的第一流变性有机材料层，以使在垂直于所述基底的方向上，位于所述第一容纳凹槽所在区域的第一流变性有机材料层低于所述第二挡墙图形；对全部所述第一流变性有机材料层进行固化，形成第一有机封装层；

在所述第一有机封装层背向所述基底的一侧制作第二无机封装层。

可选的，当所述基底为透光基底，且位于所述基底和所述光转换结构之间的膜层均为透光膜层时，向所述光转换结构照射第一光线的步骤具体包括：

利用所述第一光线从所述基底侧照射所述光转换结构，所述光转换结构将所述第一光线转换为第二光线后，所述第二光线直接射向位于所述光转换结构所在区域的流变性有机材料层。

可选的，当所述基底与所述光转换结构之间设置有具有反光作用的膜层时，向所述光转换结构照射第一光线的步骤具体包括：

利用所述第一光线从所述光转换结构背向所述基底的一侧照射所述光转换结构，所述光转换结构将所述第一光线转换为第二光线后，所述第二光线经具有反光作用的膜层反射，射向位于所述光转换结构所在区域的流变性有机材料层。

可选的，所述第一光线包括红外光线，所述第二光线包括紫外光线，在所述基底的非显示区域制作至少两个挡墙图形的步骤具体包括：

制作紫外光阻挡材料；

利用所述紫外光阻挡材料沉积形成阻挡薄膜，所述阻挡薄膜至少覆盖所述基底的非显示区域；

对所述阻挡薄膜进行图案化，得到所述至少两个挡墙图形。

基于上述显示基板的封装方法的技术方案，本发明的第二方面提供一种显示基板的封装结构，包括：

基底，所述基底包括显示区域和环绕所述显示区域的非显示区域；

设置在所述非显示区域的光转换结构，所述光转换结构能够将接收到的第一光线转换为对有机材料具有固化作用的第二光线；

设置在所述基底形成有所述光转换结构的一侧的复合封装层，所述复合封装层包括有机封装层和无机封装层，其中所述有机封装层在所述基底上的正投影与所述光转换结构在所述基底上的正投影部分重叠，且所述有机封装层在所述基底上的正投影被所述光转换结构在所述基底上的正投影包围。

可选的，所述光转换结构包括：

至少两个挡墙图形，所述至少两个挡墙图形均包围所述显示区域，沿靠近所述显示区域至远离所述显示区域的方向，所述至少两个挡墙图形在垂直于所述基底的方向上的高度逐渐增大，相邻的所述挡墙图形之间形成容纳凹槽；

设置在所述容纳凹槽中的光转换图形，所述光转换图形能够将接收到的所述第一光线转换为所述第二光线。

可选的，所述有机封装层与所述容纳凹槽一一对应，在垂直于所述基底的方向上，所述有机封装层位于目标容纳凹槽所在区域的部分，低于用于形成所述目标容纳凹槽的挡墙图形中的远离所述显示区域的挡墙图形；所述目标容纳凹槽为与该有机封装层对应的容纳凹槽。

可选的，所述复合封装层包括多层无机封装层，所述光转换结构在所述基底上的正投影，位于所述无机封装层在所述基底上的正投影的内部，所述无机封装层与所述有机封装层交替层叠设置，且位于所述复合封装层外表面的膜层为所述无机封装层。

可选的，所述至少两个挡墙图形包括：第一挡墙图形和第二挡墙图形，所述第一挡墙图形位于所述显示区域和所述第二挡墙图形之间，所述第一挡墙图形和所述第二挡墙图形之间形成第一容纳凹槽；

所述光转换图形包括：设置在所述第一容纳凹槽中的第一光转换图形；

所述复合封装层包括：

设置在所述第一光转换图形背向所述基底的一侧的第一无机封装层；

设置在所述第一无机封装层背向所述基底的一侧的第一有机封装层，所述第一有机封装层位于所述第一容纳凹槽所在区域的部分，在垂直于所述基底的方向上低于所述第二挡墙图形；

设置在所述第一有机封装层背向所述基底的一侧的第二无机封装层。

可选的，所述第一光线包括红外光线，所述第二光线包括紫外光线，所述至少两个挡墙图形采用紫外光阻挡材料。

可选的，所述光转换图形采用化合物掺杂稀土离子，所述化合物包括：氧化物、氟化物、氟氧化物、硫化物和卤化物中的一种或多种。

本发明提供的技术方案中，在基底的非显示区域制作了能够将第一光线转换为对有机材料具有固化作用的第二光线，然后在基底制作有光转换结构的一侧制作复合封装层，在制作该复合封装层中的有机封装层时，先在基底上形成流变性有机材料层，然后向光转换结构照射第一光线，使经光转换结构转换得到的第二光线照射位于光转换结构所在区域的流变性有机材料层，以对该位于光转换结构所在区域的流变性有机材料层进行初步固化，使得流变性有机材料层能够被限制在光转换结构限定的区域内，避免流变性有机材料层继续向基底的边缘延伸；最后对全部所述流变性有机材料层进行固化形成有机封装层，该有机封装层在基底上的正投影能够被光转换结构在基底上的正投影包围；可见，本发明提供的技术方案中，通过对位于光转换结构所在的区域的流变性有机材料层进行固化，将流变性有机材料层限制在光转换结构限定的范围内，避免了流变性有机材料层延伸至基底的边缘，这样在对全部流变性有机材料层固化形成有机封装层时，该有机封装层能够被限定在光转换结构在基底上限定的范围内，进而使得在后续形成完全覆盖光转换结构的无机封装层后，无机封装层能够将有机封装层完全覆盖，避免有机封装层暴露，为水和氧气入侵提供捷径，有效提升了显示基板封装的信赖性。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例提供的封装结构的第一示意图；

图2为本发明实施例提供的向光转换图形照射第一光线的第一示意图；

图3为本发明实施例提供的向光转换图形照射第一光线的第二示意图；

图4为本发明实施例提供的封装结构的第二示意图。

附图标记：

10-基底，11-显示单元，

2-光转换结构，20-光转换图形，

21-挡墙图形，3-有机封装层，

31-第一有机封装层，32-第二有机封装层，

4-无机封装层，41-第一无机封装层，

42-第二无机封装层，43-第三无机封装层。

具体实施方式

为了进一步说明本发明实施例提供的显示基板的封装方法、封装结构，下面结合说明书附图进行详细描述。

请参阅图1，本发明实施例提供了一种显示基板的封装方法，包括：

提供一基底10，基底10包括显示区域和环绕显示区域的非显示区域；

在基底10的非显示区域制作光转换结构2，光转换结构2能够将接收到的第一光线转换为第二光线；

所述封装方法还包括在基底10形成有光转换结构2的一侧制作复合封装层，复合封装层包括有机封装层3和无机封装层4；其中制作有机封装层3的步骤具体包括：

形成流变性有机材料层，同时向光转换结构2照射第一光线，使经光转换结构2转换得到的第二光线固化位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层；

对全部流变性有机材料层进行固化，形成有机封装层3，有机封装层3在基底10上的正投影被光转换结构2在基底10上的正投影包围。

具体地，提供的基底10可以为透明的基底10或不透明的基底10，示例性的，可提供玻璃材质的基底10，而且，所提供的基底10包括显示区域和位于显示区域周边，能够环绕显示区域的非显示区域，基底10的显示区域上可预先制作显示单元11，该显示单元11用于实现显示功能。

在所提供的基底10的非显示区域制作能够将接收到的第一光线转换为第二光线的光转换结构2，经该光转换结构2转换得到的第二光线具有固化有机材料的作用。

在基底10上制作完显示单元11和光转换结构2之后，可继续在基底10形成有显示单元11和光转换结构2的一侧制作复合封装层，该复合封装层可包括层叠设置的有机封装层3和无机封装层4，其中制作有机封装层3的步骤具体包括：制作能够在第二光线的照射下发生固化的流变性有机材料，该流变性有机材料主要包括有机物主体、光引发剂、活性稀释剂以及其它各种助剂的混合物，其中有机物主体在该混合物中的体积比大于95％；采用喷墨打印技术，将制作的流变性有机材料打印在基底10形成有显示单元11和光转换结构2的一侧，打印的具体位置可选为显示单元11背向基底10的表面，流变性有机材料被打印在显示单元11的表面后，会在基底10上慢慢流平，形成流变性有机材料层，而且由于液面张力的作用，流变性有机材料在流至基底10非显示区域的过程中，沿垂直于基底10的方向上厚度变薄，当流变性有机材料流至位于非显示区域的光转换结构2时，向光转换结构2照射第一光线，使经光转换结构2转换得到的第二光线照射位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层，以将位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层固化，使得流变性有机材料层在基底10上的正投影被光转换结构2在基底10上的正投影包围，避免流变性有机材料层继续向基底10的边缘延伸；在流变性有机材料静止流平后，对全部流变性有机材料层进行固化，形成有机封装层3，使得所形成的有机封装层3在基底10上的正投影被光转换结构2在基底10上的正投影包围。需要说明，所制作的有机封装层3的厚度可在10μm-20μm之间，但不仅限于此

根据上述封装方法的具体过程可知，本发明实施例提供的显示基板的封装方法中，在基底10的非显示区域制作了能够将第一光线转换为对有机材料具有固化作用的第二光线，然后在基底10制作有光转换结构2的一侧制作复合封装层，在制作该复合封装层中的有机封装层3时，先在基底10上形成流变性有机材料层，然后向光转换结构2照射第一光线，使经光转换结构2转换得到的第二光线照射位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层，以对该位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层进行初步固化，使得流变性有机材料层能够被限制在光转换结构2限定的区域内，避免流变性有机材料层继续向基底10的边缘延伸；最后对全部所述流变性有机材料层进行固化形成有机封装层3，该有机封装层3在基底10上的正投影能够被光转换结构2在基底10上的正投影包围；可见，本发明实施例提供的显示基板的封装方法中，通过对位于光转换结构2所在的区域的流变性有机材料层进行固化，将流变性有机材料层限制在光转换结构2限定的范围内，避免了流变性有机材料层延伸至基底10的边缘，这样在对全部流变性有机材料层固化形成有机封装层3时，该有机封装层3能够被限定在光转换结构2在基底10上限定的范围内，进而使得在后续形成完全覆盖光转换结构2的无机封装层4后，无机封装层4能够将有机封装层3完全覆盖，避免有机封装层3暴露，为水和氧气入侵提供捷径，有效提升了显示基板封装的信赖性。

在一些实施例中，上述实施例提供的在基底10的非显示区域制作光转换结构2的步骤可具体包括：

制作至少两个挡墙图形21，至少两个挡墙图形21均包围显示区域，沿靠近显示区域至远离显示区域的方向，至少两个挡墙图形21在垂直于基底10的方向上的高度逐渐增大，相邻的挡墙图形21之间形成容纳凹槽；

在容纳凹槽中制作光转换图形20，光转换图形20能够将接收到的第一光线转换为第二光线。

具体地，以采用光阻树脂胶制作各挡墙图形21为例，制作挡墙图形21的具体步骤包括：利用光阻树脂胶形成光阻树脂薄膜，通过曝光、显影等常规工艺，对形成的光阻树脂薄膜进行图案化，进而形成各挡墙图形21。

上述实施例提供的封装方法中，通过制作间隔嵌套设置、且均能够包围基底10显示区域的各挡墙图形21，使得在相邻的挡墙图形21之间能够形成环绕显示区域的容纳凹槽，然后在各容纳凹槽中，制作能够将接收到的第一光线转换为对有机材料具有固化作用的第二光线的光转换图形20，这样在制作有机封装层3时，在流变性有机材料在任意方向流至容纳凹槽所在的区域时，经容纳凹槽中的光转换图形20转换得到的第二光线均能够对位于容纳凹槽所在的区域的流变性有机材料层进行固化，从而实现在各个方向均能够限制流变性有机材料流出光转换结构2并继续流至基底10的边缘，进而使得在对全部流变性有机材料层固化形成有机封装层3时，该有机封装层3在基底10上的正投影均能够被光转换结构2在基底10上的正投影包围。

同时，上述实施例提供的封装方法中，沿靠近显示区域至远离显示区域的方向，形成在垂直于基底10的方向上的高度逐渐增大的至少两个挡墙图形21，使得沿靠近显示区域至远离显示区域的方向，挡墙图形21对流变性有机材料层的阻挡作用逐渐增强，从而更有利于将有机封装层3形成在由光转换结构2在基底10上限定出的区域内。

需要说明，所制作的挡墙图形21在垂直于基底10的方向上的高度可根据实际需要设置，示例性的，当在基底10上制作沿靠近显示区域至远离显示区域依次分布的第一挡墙图形、第二挡墙图形和第三挡墙图形时，可设置第一挡墙图形的高度在1μm～2μm之间，第二光挡墙图形的高度在3μm～4μm之间，第三挡墙图形的高度在5μm～6μm之间。此外，挡墙图形21的具体形状也可根据实际需要设置，示例性的，挡墙图形21在垂直于基底10的方向上的截面为方形或梯形。另外相邻的挡墙图形21之间的间隔可设置在0.05mm-2mm之间，但不仅限于此。

在一些实施例中，上述实施例中在容纳凹槽中制作光转换图形20的步骤具体包括：

制作光转换纳米颗粒的溶液；

利用光转换纳米颗粒的溶液，采用喷墨打印技术，在容纳凹槽中制作光转换图形20。

具体地，制作光转换图形20的方式多种多样，示例性的，可先制作光转换纳米颗粒的溶液，然后采用喷墨打印技术，将该光转换纳米颗粒的溶液，打印在容纳凹槽中，然后再对光转换纳米颗粒的溶液进行烘干，将光转换纳米颗粒的溶液中的溶剂去除，形成光转换图形20。

上述实施例提供的封装方法中，采用喷墨打印技术形成光转换图形20，能够将光转换图形20精确的形成在容纳凹槽中，使得制作光转换图形20的过程更加便捷、高效。

进一步地，上述实施例中制作光转换纳米颗粒的溶液的步骤可具体包括：在化合物中掺杂稀土离子，并与溶剂混合，制作光转换纳米颗粒的溶液；其中化合物包括：氧化物、氟化物、氟氧化物、硫化物和卤化物中的一种或多种。

具体地，掺杂的稀土离子可选为镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)、钪(sc)和钇(y)离子等，所选用的溶剂可选为甲醇、乙醇等溶剂。

更详细地说，可将掺杂稀土离子的化合物与甲醇、乙醇等溶剂配成体积比5％-20％的溶液，通过喷墨打印的方式形成在容纳凹槽中，然后再以50℃-80℃的温度对形成在容纳凹槽中的光转换纳米颗粒的溶液进行烘干。

值得注意，目前利用上述光转换纳米颗粒溶液制作的光转换图形20的光转换效率为可达到62.5％左右。

进一步地，上述实施例中形成有机封装层3的步骤可具体包括：

制作与容纳凹槽一一对应的有机封装层3，在形成每一有机封装层3对应的流变性有机材料层时，向与该有机封装层3对应的目标容纳凹槽中的目标光转换图形照射第一光线，使经目标光转换图形转换得到的第二光线固化位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层，以使在垂直于基底10的方向上，位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层，低于用于形成目标容纳凹槽的挡墙图形21中的远离显示区域的挡墙图形21。

具体地，在实际制作复合封装层时，有机封装层3和无机封装层4的具体层数可根据实际需求设置，示例性的，可制作一层有机封装层3或多层有机封装层3；为了更好的避免流变性有机材料流出光转换结构2在基底10上限定的区域，当制作多层有机封装层3时，可设置每层有机封装层3均对应一个容纳凹槽，即每层有机封装层3均对应一个光转换图形20。更详细地说，沿靠近基底10至远离基底10的方向制作依次层叠设置的第一有机封装层至第n有机封装层，沿靠近基底10的显示区域至远离基底10的显示区域的方向，制作依次分布的第一容纳凹槽至第n容纳凹槽，相邻的容纳凹槽之间共用一个挡墙图形21；上述第一有机封装层与第一容纳凹槽对应，第二有机封装层与第二容纳凹槽对应，依此类推，第n有机封装层与第n容纳凹槽对应。

在制作一一对应的有机封装层3和容纳凹槽时，在形成每一有机封装层3对应的流变性有机材料层时，可向与该有机封装层3对应的目标容纳凹槽中的目标光转换图形照射第一光线，使经目标光转换图形转换得到的第二光线照射位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层，以对位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层进行固化，从而降低位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料的流动性，使位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层，不会继续向基底10的边缘延伸，进而使得在垂直于基底10的方向上，位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层，低于用于形成目标容纳凹槽的挡墙图形21中，远离显示区域的挡墙图形21。

值得注意，利用第一光线对位于容纳凹槽中的光转换图形20进行照射的方式多种多样，下面给出两种具体的照射方式，但不仅限于此。

第一种方式，如图2所示，当基底10为透光基底，且位于基底10和光转换结构2之间的膜层均为透光膜层时，向光转换结构2照射第一光线的步骤具体包括：利用第一光线(如图2中带箭头的虚线)从基底10侧照射光转换结构2，光转换结构2将第一光线转换为第二光线(如图2中带箭头的实线)后，第二光线直接射向位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层。

具体地，当基底10为透光基底10，且位于基底10和光转换结构2之间的膜层均为透光膜层时，可直接利用第一光线从基底10侧照射光转换结构2(可具体照射光转换结构2中的光转换图形20)，这样第一光线可直接穿过基底10和光转换结构2之间的膜层射向光转换结构2，光转换结构2在将接收到的第一光线转换为第二光线后，第二光线可直接射向位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层，对该位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层进行固化。

第二种方式，如图3所示，当基底10与光转换结构2之间设置有具有反光作用的膜层时，向光转换结构2照射第一光线的步骤具体包括：利用第一光线(如图2中带箭头的虚线)从光转换结构2背向基底10的一侧照射光转换结构2，光转换结构2将第一光线转换为第二光线(如图2中带箭头的实线)后，第二光线经具有反光作用的膜层反射，射向位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层。

具体地，当基底10与光转换结构2之间设置有具有反光作用的膜层时，可利用第一光线从光转换结构2背向基底10的一侧照射光转换结构2(可具体照射光转换结构2中的光转换图形20)，由于形成在光转换结构2背向基底10的一侧有机封装层3和无机封装层4具有良好的透光性，因此第一光线能够穿过有机封装层3和无机封装层4射向光转换结构2，光转换结构2在将接收到的第一光线转换为第二光线后，第二光线射向位于基底10与光转换结构2之间的具有反光作用的膜层，并在该膜层的反射作用下射向位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层，对该位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层进行固化。

值得注意，在利用第一光线对光转换结构2进行照射时，可采用短距离集中照射的方式，这种方式能够将第一光线精确的照射在光转换图形20上，不仅光源损耗低，光转换图形20的光线转化效率高，有效降低了光转换的成本，而且避免了第一光线对外界产生辐射，减小光污染的可能性。

此外，在利用第一光线对光转换结构2进行照射时，还可采用对整块显示基板进行照射的方式，这种方式对设备精度要求较低，能够很好的降低设备成本。

在一些实施例中，上述实施例提供的第一光线可选为红外光线或可见光线，第二光线可选为紫外光线，当选用红外光线作为第一光线时，示例性的，红外光线的波段可选在800nm-1100nm之间，光强度可选在100j/cm²～200j/cm²之间，转换得到的紫外光线的波长可在100nm-420nm之间。

具体地，上述光转换图形20将第一光线转换为第二光线的原理为上转换发光原理，即在长波长光的激发下，可持续发射波长比激发光的波长短的光。上转换发光主要有激发态吸收、能量传递上转换、和光子雪崩三种发光机制，这些过程均是通过参杂在晶体颗粒中的激活离子能级连续吸收一个或者多个光子来实现的，这些激活离子一般具有f电子和d电子，其因具有大量的亚稳能级而被用来上转换发光。

进一步地，当第一光线包括红外光线，第二光线包括紫外光线时，上述实施例中在基底10的非显示区域制作至少两个挡墙图形21的步骤具体包括：

制作紫外光阻挡材料；

利用紫外光阻挡材料沉积形成阻挡薄膜，阻挡薄膜至少覆盖基底10的非显示区域；

对阻挡薄膜进行图案化，得到至少两个挡墙图形21。

具体地，在制作挡墙图形21时，可选用的材料多种多样，示例性的，可选用紫外光阻挡材料来制作挡墙图形21；更详细地说，可先制作紫外光阻挡材料，然后利用该紫外光阻挡材料在基底10上沉积形成阻挡薄膜，该阻挡薄膜可覆盖基底10的全部区域，然后用掩膜板对形成的阻挡薄膜进行曝光，形成阻挡薄膜保留区域和阻挡薄膜去除区域，其中阻挡薄膜保留区域对应挡墙图形21所在的区域，阻挡薄膜去除区域对应除挡墙图形21所在区域之外的其它区域，最后利用显影液对曝光后的阻挡薄膜进行显影，将位于阻挡薄膜去除区域的阻挡薄膜去除，形成位于阻挡薄膜保留区域的至少两个挡墙图形21。

采用上述实施例提供的封装方法制作的挡墙图形21，除具有阻挡流变性有机材料层的作用外，还具有阻挡紫外光线的作用。设置挡墙图形21具有阻挡紫外光线的作用，使得经光转换图形20转换得到的紫外光线仅能够沿着没有挡墙图形21阻挡的方向射向流变性有机材料层，而不会穿过挡墙图形21射向位于挡墙图形21内侧(即挡墙图形21靠近显示区域的一侧)的流变性有机材料层，可见，采用上述实施例提供的封装方法制作的挡墙图形21，除了能限制流变性有机材料层的范围之外，还能够限制第二光线仅能够对流至光转换结构2上方的流变性有机材料层进行固化，即实现由光转换图形20转换得到的紫外光仅能够对边缘小范围的流变性有机材料层进行固化，避免了由光转换图形20转换得到的紫外光穿过挡墙图形21射向位于挡墙图形21内侧的流变性有机材料层，从而使得流变性有机材料层能够均匀的流平，保证了形成的有机封装层3整体的均匀性。

需要说明，所制作的多个挡墙图形21中，最远离显示区域的挡墙图形21可不必采用紫外光材料制作。

进一步地，上述实施例提供的制作紫外光阻挡材料的步骤具体包括：在光阻胶中掺杂红外量子点材料，形成紫外光阻挡材料。

具体地，在光阻胶中掺杂的红外量子点材料可选为硒化镉(cdse)、硫化镉(cds)、碲化镉(cdte)、硒化锌(znse)和硫化银(ags)中的一种或多种；利用掺杂红外量子点材料的紫外光阻挡材料制作的挡墙图形21，能够将接收到的紫外光线转换为红外光线射出，更详细地说，由光转换图形20转换得到的紫外光线射向靠近显示区域的挡墙图形21后，该挡墙图形21能够将接收到的紫外光线转换为红外光线后射向位于挡墙图形21内侧的流变性有机材料层，而红外光线并不会对位于挡墙图形21内侧的流变性有机材料层产生固化作用，从而保证了流变性有机材料层能够均匀的流平，保证了形成的有机封装层3整体的均匀性。

在一些实施例中，上述制作无机封装层4的步骤具体包括：

制作多层无机封装层4，光转换结构2在基底10上的正投影，位于无机封装层4在基底10上的正投影的内部，无机封装层4与有机封装层3交替层叠设置，且位于复合封装层外表面的膜层为无机封装层4。

具体地，可用于制作无机封装层4的材料多种多样，只需满足制作的无机封装层4具有良好的阻隔水和氧气的作用，且制作的无机封装层4具有良好的透光性即可，示例性的，可选用多氮化硅(sinx)、二氧化硅(sio2)、碳化硅(sic)、三氧化二铝(al2o3)、硫化锌(zns)和氧化锌(zno)中的一种或多种。制作无机封装层4可采用常规的制作方法，例如：采用化学气相沉积法(英文：chemicalvapordeposition，简称：cvd)、溅射工艺或原子层沉积法(英文：atomiclayerdeposition，简称：ald)等方式形成。制作的无机封装层4的厚度可根据实际需要设置，示例性的，制作在垂直于基底10的方向上厚度在0.05μm-2.5μm之间的无机封装层4。

为了更清楚的说明上述实施例提供的封装方法，下面给出两个具体实施例。

实施例一，

如图1所示，制作至少两个挡墙图形的步骤具体包括：

在基底10的非显示区域制作第一挡墙图形和第二挡墙图形，第一挡墙图形位于显示区域和第二挡墙图形之间，第一挡墙图形和第二挡墙图形之间形成第一容纳凹槽；

在容纳凹槽中制作光转换图形20的步骤具体包括：

在第一容纳凹槽中制作第一光转换图形；

制作复合封装层的步骤具体包括：

制作第一无机封装层41；

在第一无机封装层41背向基底10的一侧形成第一流变性有机材料层，并向第一光转换图形照射第一光线，使经第一光转换图形转换得到的第二光线固化位于第一容纳凹槽所在区域的第一流变性有机材料层，以使在垂直于基底10的方向上，位于第一容纳凹槽所在区域的第一流变性有机材料层低于第二挡墙图形；对全部第一流变性有机材料层进行固化，形成第一有机封装层(如图1中的有机封装层3)；

在第一有机封装层31背向基底10的一侧制作第二无机封装层42。

具体地，先在光阻树脂胶中掺杂粒径在5nm-15nm之间，能够吸收紫外光的硒化镉(cdse)、硫化锌(zns)量子点，形成紫外光阻挡材料，利用该紫外光阻挡材料，在基底10的非显示区域制作第一挡墙图形和设置在第一挡墙图形外围的第二挡墙图形，其中第一挡墙图形在垂直于基底10的方向上的高度为2μm，第二挡墙图形在垂直于基底10的方向上的高度为3μm，第一挡墙图形和第二挡墙图形之间间隔0.5mm。

制作20％浓度的β-nayf4:yb³⁺和/或tm³⁺/cdse纳米颗粒的甲醇溶液，利用喷墨打印技术将该溶液打印在由第一挡墙图形和第二挡墙图形形成的第一容纳凹槽内，然后将打印在第一容纳凹槽中的溶液在80℃的环境下烘干，制作成第一光转换图形。

采用cvd方法形成覆盖第一挡墙图形和第二挡墙图形，且在垂直于基底10的方向上的厚度为1μm的sinx薄膜，作为第一无机封装层41。

制作第一流变性有机材料，利用喷墨打印技术，将该第一流变性有机材料打印在第二挡墙图形限定的范围内，形成第一流变性有机材料层，向第一光转换图形照射红外光线，使经第一光转换图形转换得到的紫外光线固化位于第一容纳凹槽所在区域的第一流变性有机材料层，以使在垂直于基底10的方向上，位于第一容纳凹槽所在区域的第一流变性有机材料层低于第二挡墙图形；在第一流变性有机材料流平静置后，对全部第一流变性有机材料层照射紫外光线，固化形成第一有机封装层31，该第一有机封装层31在垂直于基底10的方向上的最大厚度可选为10μm。

最后在第一有机封装层31背向基底10的一侧，利用al2o3材料，采用ald方法制作覆盖基底10全部区域的第二无机封装层42，该第二无机封装层42在垂直于基底10的方向上的最大厚度可选为0.05μm。

实施例二，

如图4所示，制作至少两个挡墙图形的步骤具体包括：

在基底10的非显示区域，制作沿靠近显示区域至远离显示区域的方向依次分布的第一挡墙图形、第二挡墙图形和第三挡墙图形，第一挡墙图形和第二挡墙图形之间形成第一容纳凹槽，第二挡墙图形和第三挡墙图形之间形成第二容纳凹槽；

在容纳凹槽中制作光转换图形20的步骤具体包括：

在第一容纳凹槽中制作第一光转换图形，在第二容纳凹槽中制作第二光转换图形；

制作复合封装层的步骤具体包括：

在制作第一光转换图形和第二光转换图形之前，制作第一无机封装层41；

在制作第一光转换图形之后，形成第一流变性有机材料层，并向第一光转换图形照射第一光线，使经第一光转换图形转换得到的第二光线固化位于第一容纳凹槽所在区域的第一流变性有机材料层，以使在垂直于基底10的方向上，位于第一容纳凹槽所在区域的第一流变性有机材料层低于第二挡墙图形；对全部第一流变性有机材料层进行固化，形成第一有机封装层31；

在第一有机封装层31背向基底10的一侧制作第二无机封装层42；

在制作第二光转换图形之后，在第二无机封装层42背向基底10的一侧形成第二流变性有机材料层，并向第二光转换图形照射第一光线，使经第二光转换图形转换得到的第二光线固化位于第二容纳凹槽所在区域的第二流变性有机材料层，以使在垂直于基底10的方向上，位于第二容纳凹槽所在区域的第二流变性有机材料层低于第三挡墙图形；对全部第二流变性有机材料层进行固化，形成第二有机封装层32；

在第二有机封装层32背向背板的一侧制作第三无机封装层43。

具体地，实施例二与实施例一的不同之处在于：

1、在第二挡墙图形的外围制作了第三挡墙图形，该第三挡墙图形在垂直于基底10的方向上的高度可选为4μm。

2、在第二挡墙图形和第三挡墙图形之间形成第二容纳凹槽，在第二容纳凹槽中制作第二光转换图形。

3、增加了第二有机封装层32和第三无机封装层43，该第二有机封装层32在垂直于基底10的方向上的高度可选为10μm，该第三无机封装层43在垂直于基底10的方向上的高度可选为1μm。

4、在制作第一光转换图形和第二光转换图形之前，制作第一无机封装层41。

其它具体的制作方式可参见实施例一种的描述，此处不再赘述。

本发明实施例还提供了一种显示基板的封装结构，采用上述实施例提供的封装方法封装，该显示基板的封装结构包括：

基底10，该基底10包括显示区域和环绕显示区域的非显示区域；

设置在非显示区域的光转换结构2，光转换结构2能够将接收到的第一光线转换为对有机材料具有固化作用的第二光线；

设置在基底10形成有光转换结构2的一侧的复合封装层，复合封装层包括有机封装层3和无机封装层4，其中有机封装层3在基底10上的正投影与光转换结构2在基底10上的正投影部分重叠，且有机封装层3在基底10上的正投影被光转换结构2在基底10上的正投影包围。

具体地，上述基底10可以为透明的基底10或不透明的基底，基底10包括显示区域和位于显示区域周边，能够环绕显示区域的非显示区域，基底10的显示区域上设置有用于实现显示功能显示单元11。在基底10的非显示区域设置有能够将接收到的第一光线转换为第二光线的光转换结构2，经该光转换结构2转换得到的第二光线具有固化有机材料的作用。

在基底10形成有显示单元11和光转换结构2的一侧设置有复合封装层，该复合封装层可包括层叠设置的有机封装层3和无机封装层4，其中制作有机封装层3的步骤具体包括：制作能够在第二光线的照射下发生固化的流变性有机材料，该流变性有机材料主要包括有机物主体、光引发剂、活性稀释剂以及其它各种助剂的混合物，其中有机物主体在该混合物中的体积比大于95％；采用喷墨打印技术，将制作的流变性有机材料打印在基底10形成有显示单元11和光转换结构2的一侧，打印的具体位置可选为显示单元11背向基底10的表面，流变性有机材料被打印在显示单元11的表面后，会在基底10上慢慢流平，形成流变性有机材料层，而且由于液面张力的作用，流变性有机材料在流至基底10非显示区域的过程中，沿垂直于基底10的方向上厚度变薄，当流变性有机材料流至位于非显示区域的光转换结构2时，向光转换结构2照射第一光线，使经光转换结构2转换得到的第二光线照射位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层，以将位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层固化，使得流变性有机材料层在基底10上的正投影被光转换结构2在基底10上的正投影包围，避免流变性有机材料层继续向基底10的边缘延伸；在流变性有机材料层静止流平后，对全部流变性有机材料层进行固化，形成有机封装层3，使得所形成的有机封装层3在基底10上的正投影被光转换结构2在基底10上的正投影包围。

由于本发明实施例提供的显示基板的封装结构采用上述实施例提供的封装方法制作，因此本发明实施例提供的显示基板的封装结构在封装过程中，在基底10的非显示区域制作了能够将第一光线转换为对有机材料具有固化作用的第二光线，然后在基底10制作有光转换结构2的一侧制作复合封装层，在制作该复合封装层中的有机封装层3时，先在基底10上形成流变性有机材料层，然后向光转换结构2照射第一光线，使经光转换结构2转换得到的第二光线照射位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层，以对该位于光转换结构2所在区域的流变性有机材料层进行初步固化，使得流变性有机材料层能够被限制在光转换结构2限定的区域内，避免流变性有机材料层继续向基底10的边缘延伸；最后对全部所述流变性有机材料层进行固化形成有机封装层3，该有机封装层3在基底10上的正投影能够被光转换结构2在基底10上的正投影包围；可见，本发明实施例提供的显示基板的封装结构中，有机封装层3能够被限定在光转换结构2在基底10上限定的范围内，进而使得设置的无机封装层4能够将有机封装层3完全覆盖，避免有机封装层3暴露，为水和氧气入侵提供捷径，有效提升了显示基板封装的信赖性。

在一些实施例中，上述实施例提供的光转换结构2包括：

至少两个挡墙图形21，至少两个挡墙图形21均包围显示区域，沿靠近显示区域至远离显示区域的方向，至少两个挡墙图形21在垂直于基底10的方向上的高度逐渐增大，相邻的挡墙图形21之间形成容纳凹槽；

设置在容纳凹槽中的光转换图形20，光转换图形20能够将接收到的第一光线转换为第二光线。

具体地，在制作上述结构的光转换结构2时，以采用光阻树脂胶制作各挡墙图形21为例，制作挡墙图形21的步骤具体包括：利用光阻树脂胶形成光阻树脂薄膜，通过曝光、显影等常规工艺，对形成的光阻树脂薄膜进行图案化，进而形成各挡墙图形21。

上述实施例提供的封装结构中，通过设置间隔嵌套设置、且均能够包围基底10显示区域的各挡墙图形21，使得在相邻的挡墙图形21之间能够形成环绕显示区域的容纳凹槽，然后在各容纳凹槽中，设置能够将接收到的第一光线转换为对有机材料具有固化作用的第二光线的光转换图形20，这样在制作有机封装层3时，在流变性有机材料在任意方向流至容纳凹槽所在的区域时，经容纳凹槽中的光转换图形20转换得到的第二光线均能够对位于容纳凹槽所在的区域的流变性有机材料层进行固化，从而实现在各个方向均能够限制流变性有机材料流出光转换结构2并继续流至基底10的边缘，进而使得在对全部流变性有机材料层固化形成有机封装层3时，该有机封装层3在基底10上的正投影均能够被光转换结构2在基底10上的正投影包围。

同时，上述实施例提供的封装结构中，沿靠近显示区域至远离显示区域的方向，设置了在垂直于基底10的方向上的高度逐渐增大的至少两个挡墙图形21，使得沿靠近显示区域至远离显示区域的方向，挡墙图形21对流变性有机材料层的阻挡作用逐渐增强，从而更有利于将有机封装层3形成在由光转换结构2在基底10上限定出的区域内。

在一些实施例中，上述实施例提供的有机封装层3可与容纳凹槽一一对应，在垂直于基底10的方向上，有机封装层3位于目标容纳凹槽所在区域的部分，低于用于形成目标容纳凹槽的挡墙图形21中的远离显示区域的挡墙图形21；目标容纳凹槽为与该有机封装层3对应的容纳凹槽。

具体地，上述复合封装层中包括的有机封装层3和无机封装层4的具体层数可根据实际需求设置，示例性的，可设置一层有机封装层3或多层有机封装层3；为了更好的避免流变性有机材料流出光转换结构2在基底10上限定的区域，当设置多层有机封装层3时，可设置每层有机封装层3均对应一个容纳凹槽，即每层有机封装层3均对应一个光转换图形20。更详细地说，沿靠近基底10至远离基底10的方向依次层叠设置的第一有机封装层至第n有机封装层，沿靠近基底10的显示区域至远离基底10的显示区域的方向，设置依次分布的第一容纳凹槽至第n容纳凹槽，相邻的容纳凹槽之间共用一个挡墙图形21；上述第一有机封装层与第一容纳凹槽对应，第二有机封装层与第二容纳凹槽对应，依此类推，第n有机封装层与第n容纳凹槽对应。

在制作一一对应的有机封装层3和容纳凹槽时，在形成每一有机封装层3对应的流变性有机材料层时，可向与该有机封装层3对应的目标容纳凹槽中的目标光转换图形照射第一光线，使经目标光转换图形转换得到的第二光线照射位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层，以对位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层进行固化，从而降低位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料的流动性，使位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层，不会继续向基底10的边缘延伸，进而使得在垂直于基底10的方向上，位于目标容纳凹槽所在区域的流变性有机材料层，低于用于形成目标容纳凹槽的挡墙图形21中，远离显示区域的挡墙图形21。

进一步地，上述实施例提供的复合封装层包括多层无机封装层4，光转换结构2在基底10上的正投影，位于无机封装层4在基底10上的正投影的内部，无机封装层4与有机封装层3交替层叠设置，且位于复合封装层外表面的膜层为无机封装层4。

具体地，上述无机封装层4可选用的材料多种多样，只需满足制作的无机封装层4具有良好的阻隔水和氧气的作用，且制作的无机封装层4具有良好的透光性即可。

在一些实施例中，上述实施例提供的第一光线可包括红外光线，第二光线可包括紫外光线，至少两个挡墙图形21可采用紫外光阻挡材料。

具体地，当选用红外光线作为第一光线时，示例性的，红外光线的波段可选在800nm-1100nm之间，光强度可选在100j/cm²～200j/cm²之间，转换得到的紫外光线的波长可在100nm-420nm之间。

进一步地，上述实施例提供的紫外光阻挡材料可包括：光阻胶掺杂红外量子点材料。

具体地，挡墙图形21可选用的材料多种多样，示例性的，可选用紫外光阻挡材料来制作挡墙图形21；更详细地说，可先制作紫外光阻挡材料，然后利用该紫外光阻挡材料在基底10上沉积形成阻挡薄膜，该阻挡薄膜可覆盖基底10的全部区域，然后用掩膜板对形成的阻挡薄膜进行曝光，形成阻挡薄膜保留区域和阻挡薄膜去除区域，其中阻挡薄膜保留区域对应挡墙图形21所在的区域，阻挡薄膜去除区域对应除挡墙图形21所在区域之外其它区域，最后利用显影液度曝光后的阻挡薄膜进行显影，将位于阻挡薄膜去除区域的阻挡薄膜去除，形成位于阻挡薄膜保留区域的至少两个挡墙图形21。

采用上述紫外光阻挡材料制作的挡墙图形21，除具有阻挡流变性有机材料层的作用外，还具有阻挡紫外光线的作用。设置挡墙图形21具有阻挡紫外光线的作用，使得经光转换图形20转换得到的紫外光线仅能够沿着没有挡墙图形21阻挡的方向射向流变性有机材料层，而不会穿过挡墙图形21射向位于挡墙图形21内侧(即挡墙图形21靠近显示区域的一侧)的流变性有机材料层，可见，采用上述紫外光阻挡材料制作挡墙图形21，除了能限制流变性有机材料层的范围之外，还能够限制挡墙图形21仅能够对流至光转换结构2上方的流变性有机材料层进行固化，即实现由光转换图形20转换得到的紫外光仅能够对边缘小范围的流变性有机材料层进行固化，避免了由光转换图形20转换得到的紫外光穿过挡墙图形21射向位于挡墙图形21内侧的流变性有机材料层，从而使得流变性有机材料层能够均匀的流平，保证了形成的有机封装层3整体的均匀性。

需要说明，所制作的多个挡墙图形21中，最远离显示区域的挡墙图形21可不必采用紫外光材料制作。

值得注意，在光阻胶中掺杂的红外量子点材料可选为cdse、cds、cdte、znse和ags中的一种或多种；利用掺杂红外量子点材料的紫外光阻挡材料制作的挡墙图形21，能够将接收到的紫外光线转换为红外光线射出，更详细地说，由光转换图形20转换得到的紫外光线射向靠近显示区域的挡墙图形21后，该挡墙图形21能够将接收到的紫外光线转换为红外光线后射向位于挡墙图形21内侧的流变性有机材料层，而红外光线并不会对位于挡墙图形21内侧的流变性有机材料层产生固化作用，从而保证了流变性有机材料层能够均匀的流平，保证了形成的有机封装层3整体的均匀性。

在一些实施例中，上述实施例提供的光转换图形20采用化合物掺杂稀土离子制作，所述化合物可包括：氧化物、氟化物、氟氧化物、硫化物和卤化物中的一种或多种。

为了更清楚的说明上述实施例提供的显示基板的封装结构，下面给出两个具体实施例。

实施例一，

如图1所示，至少两个挡墙图形包括：第一挡墙图形和第二挡墙图形，第一挡墙图形位于显示区域和第二挡墙图形之间，第一挡墙图形和第二挡墙图形之间形成第一容纳凹槽；

光转换图形20包括：设置在第一容纳凹槽中的第一光转换图形；

复合封装层包括：

设置在第一光转换图形背向基底10的一侧的第一无机封装层41；

设置在第一无机封装层41背向基底10的一侧的第一有机封装层31，第一有机封装层31位于第一容纳凹槽所在区域的部分，在垂直于基底10的方向上低于第二挡墙图形；

设置在第一有机封装层31背向基底10的一侧的第二无机封装层42。

实施例二，

如图4所示，至少两个挡墙图形包括：沿靠近显示区域至远离显示区域的方向依次分布的第一挡墙图形、第二挡墙图形和第三挡墙图形，第一挡墙图形和第二挡墙图形之间形成第一容纳凹槽，第二挡墙图形和第三挡墙图形之间形成第二容纳凹槽；

光转换图形20包括：设置在第一容纳凹槽中的第一光转换图形，设置在第二容纳凹槽中的第二光转换图形；

复合封装层包括：

设置在光转换图形和基底10之间的第一无机封装层41；

设置在第一无机封装层41背向基底10的一侧的第一有机封装层31，第一有机封装层31中位于第一容纳凹槽所在区域的部分，在垂直于基底10的方向上低于第二挡墙图形；

设置在第一有机封装层31背向基底10的一侧的第二无机封装层42，第二光转换图形位于第二无机封装层42背向基底10的一侧；

设置在第二无机封装层42背向基底10的一侧的第二有机封装层32，第二有机封装层32中位于第二容纳凹槽所在区域的部分，在垂直于基底10的方向上低于第三挡墙图形；

设置在第二有机封装层32背向背板的一侧的第三无机封装层43。

需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于产品实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件″上″或″下″时，该元件可以″直接″位于另一元件″上″或″下″，或者可以存在中间元件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。