技术特征：
技术总结
本发明涉及用于改善FINFET效能的栅极裙氧化及其制造方法，提供一种用于控制在FinFET装置内的栅极长度以提高功率效能的方法以及所产生的装置。数个具体实施例包括：形成在多个鳍片上方延伸的垂直栅极；沉积各自的氧化物层于该垂直栅极与该多个鳍片的各自的交叉点处形成的多个裙区上方；以及氧化各个氧化物层以形成多个氧化栅极裙。
技术研发人员：高群;C·纳萨尔;S·克里夏纳穆尔特伊;都米葛·安东尼奥·费瑞尔·路毕;J·斯波勒;S·西迪基;B·鲍默特;A·扎因丁;刘金平;李泰正;L·潘蒂萨诺;H·拉扎尔;臧辉
受保护的技术使用者：格芯公司
技术研发日：2019.02.13
技术公布日：2019.10.18