1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，并在所述衬底中形成有至少一沟槽隔离结构，以及在所述沟槽隔离结构外围的衬底表面上形成有掩膜叠层；
去除所述掩膜叠层中的膜层至底层薄膜层，以暴露出所述底层薄膜层；以及，
执行干法刻蚀工艺，以去除所述底层薄膜层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掩膜叠层中的膜层至底层薄膜层的方法包括：
利用湿法刻蚀工艺去除所述掩膜叠层中的至少部分膜层。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜叠层包括形成在所述衬底上的所述底层薄膜层和形成在所述底层薄膜层上的硬质掩膜层。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硬质掩膜层的材质包括氮化硅和/或多晶硅。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在暴露出所述底层薄膜层之后，以及执行干法刻蚀工艺之前，还包括：在所述衬底上形成一遮蔽层，所述遮蔽层覆盖所述沟槽隔离结构，并暴露出所述底层薄膜层；
以及，在执行所述干法刻蚀工艺时，以所述遮蔽层为掩膜刻蚀所述底层薄膜层。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底上具有器件区和逻辑区，所述器件区中形成有所述沟槽隔离结构，以在所述器件区中界定出多个器件单元。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述遮蔽层还覆盖所述逻辑区。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟槽隔离结构的形成方法包括：
以所述掩膜叠层为掩膜刻蚀所述衬底，以形成隔离沟槽，在所述隔离沟槽中填充绝缘材料层，以构成所述沟槽隔离结构；
以及，在填充所述绝缘材料层之前，执行氧化工艺，以在所述隔离沟槽的内壁上形成一衬氧化层。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述底层薄膜层的材质包括氧化硅。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述底层薄膜层以暴露出所述衬底的表面之后，还包括：
在所述衬底的表面上形成隧道氧化层，以构成半导体器件。