显示装置和制造显示装置的方法与流程

本发明的示例实施例的多个方面涉及显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术：

在柔性显示装置中采用的有机发光显示装置通常易受到湿气和氧的影响，所以可以通过交替地堆叠有机膜和无机膜来提供密封层。然而，在包括有机发光显示装置的对比性的显示装置中，利用单体形成的有机膜会泄漏到像素的外围区域中。在这种情况下，湿气或氧会容易地渗透或进入到有机发光显示装置中，使得有机发光显示器会被不期望地劣化，并且也会降低显示装置的寿命和可靠性。另外，在无机膜中会发生诸如破裂的损坏。这样的损坏会通过有机膜和其他无机膜扩散到显示装置的内部元件中，因此会进一步降低显示装置的寿命和可靠性。此外，因为显示装置的下层结构可能与用于形成显示装置的发光层的掩模接触，所以下层结构会被损坏。

技术实现要素：

本发明的示例实施例的多个方面涉及包括多个阻挡结构的显示装置和制造具有多个阻挡结构的显示装置的方法。

示例实施例的多个方面涉及包括具有不同高度的多个阻挡结构的显示装置。

示例实施例的多个方面涉及制造包括具有不同高度的多个阻挡结构的显示装置的方法。

根据一个示例实施例，一种显示装置包括：基底，包括显示区域和外围区域；多个显示结构，在基底的显示区域处；多个阻挡结构，在基底的外围区域处；有机层，在显示结构和阻挡结构上；以及无机层，在有机层上。阻挡结构具有彼此不同的高度。

所述多个阻挡结构可以包括多个阻挡图案。例如，每个阻挡结构可以包括金属层图案和绝缘层图案。

显示装置可以额外地包括：导线，在基底的显示区域和外围区域处；绝缘层，覆盖导线；以及保护构件，在绝缘层上并且在导线中的最外面的导线的被绝缘层暴露的一部分上。这里，每个显示结构可以包括：第一电极，在绝缘层上；像素限定层，在绝缘层上并且部分地暴露第一电极；分隔件，在像素限定层上；发光层，在暴露的第一电极上；以及第二电极，在像素限定层、分隔件和发光层上。所述多个阻挡结构可以包括第一阻挡结构、第二阻挡结构和第三阻挡结构。第一阻挡结构可以具有第一高度，第二阻挡结构可以具有比第一高度大的第二高度。另外，第三阻挡结构可以具有比第二高度大的第三高度。第一阻挡结构可以包括第一金属层图案和第一绝缘层图案。第二阻挡结构可以包括第二金属层图案、第二绝缘层图案和第三绝缘层图案。第三阻挡结构可以包括第三金属层图案、第四绝缘层图案、第五绝缘层图案和第六绝缘层图案。第一金属层图案可以是保护构件的一部分，第二金属层图案可以是最外面的导线的一部分。此外，第三金属层图案可以包括与导线的材料相同的材料。第二绝缘层图案和第四绝缘层图案中的每个可以包括与绝缘层的材料相同的材料。第一绝缘层图案、第三绝缘层图案和第五绝缘层图案中的每个可以包括与像素限定层的材料相同的材料。第六绝缘层图案可以包括与分隔件的材料相同的材料。

显示装置可以额外地包括邻近于第三阻挡结构并且在外围区域处的第四阻挡结构。第四阻挡结构可以具有与第三阻挡结构的高度基本上相同的高度。这里，第四阻挡结构可以包括第四金属层图案、第七绝缘层图案、第八绝缘层图案和第九绝缘层图案。第四金属层图案可以包括与导线的材料相同的材料，第七绝缘层图案可以包括与绝缘层的材料相同的材料。第八绝缘层图案可以包括与像素限定层的材料相同的材料，第九绝缘层图案可以包括与分隔件的材料相同的材料。

显示装置可以额外地包括在邻近的像素之间的额外的阻挡结构。额外的阻挡结构可以具有与第三阻挡结构的高度基本上相同的高度。额外的阻挡结构可以包括额外的金属层图案和多个额外的绝缘层图案。

所述多个阻挡结构可以包括在最外面的导线上的第一阻挡结构和邻近于第一阻挡结构的第二阻挡结构。第一阻挡结构可以包括两个绝缘层图案和作为最外面的导线的一部分的金属层图案。另外，第二阻挡结构可以包括金属层图案和三个绝缘层图案。

所述多个阻挡结构可以包括在保护构件上的第一阻挡结构和在最外面的导线上的第二阻挡结构。第一阻挡结构可以包括一个绝缘层图案和作为保护构件的一部分的金属层图案。此外，第二阻挡结构可以包括两个绝缘层图案和作为最外面的导线的一部分的金属层图案。

根据另一个示例实施例，一种制造显示装置的方法包括下述步骤：提供包括显示区域和外围区域的基底；在基底的显示区域处形成多个显示结构；在基底的外围区域处形成具有彼此不同高度的多个阻挡结构；以及在显示结构和阻挡结构上交替地形成有机层和无机层。

所述方法还可以包括：在基底上形成晶体管、绝缘中间层和导线；在绝缘中间层上形成绝缘层，以覆盖晶体管和导线；以及在基底的外围区域处形成保护构件，以覆盖导线中的最外面的导线和绝缘层。

形成所述多个阻挡结构的步骤可以包括：形成邻近于最外面的导线的金属层图案；在最外面的导线的一部分上形成第一绝缘层图案；以及在金属层图案上形成第二绝缘层图案。

可以同时形成最外面的导线和金属层图案。此外，可以同时形成第一绝缘层图案、第二绝缘层图案和绝缘层。

形成所述多个显示结构的步骤可以包括：在绝缘层上形成第一电极；在绝缘层上形成像素限定层和分隔件，像素限定层部分地暴露第一电极；在暴露的第一电极的每个上形成发光层；以及在发光层、像素限定层和分隔件上形成第二电极。

形成所述多个阻挡结构的步骤还可以包括：在保护构件上形成第三绝缘层图案；在第一绝缘层图案上形成第四绝缘层图案；在第二绝缘层图案上形成第五绝缘层图案；以及在第五绝缘层图案上形成第六绝缘层图案。可以与像素限定层同时地形成第三绝缘层图案、第四绝缘层图案和第五绝缘层图案。此外，可以同时形成第六绝缘层图案和分隔件。

根据示例实施例的多个方面，显示装置可以包括具有彼此不同高度的多个阻挡结构，从而可以有效地防止通过处理单体而形成的有机层从显示区域向外围区域中的泄漏或溢出。此外，可以防止在无机层中产生的诸如破裂的故障或损坏向显示区域扩散。因此，显示装置可以展现出增强的耐久性、可靠性、结构稳定性等。此外，阻挡结构可以在形成发光层的过程中有效地保护显示区域中的下层结构，使得显示装置可以具有改善的耐久性、可靠性、结构稳定性等。

附图说明

通过结合附图进行的下面的描述，可以更详细地理解示例实施例，在附图中：

图1是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。

图2是示出根据另一示例实施例的显示装置的剖视图。

图3是示出根据又一示例实施例的显示装置的剖视图。

图4是示出根据再一示例实施例的显示装置的剖视图。

图5至图7是示出根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。

图8是示出根据再一示例实施例的多个显示装置的剖视图。

具体实施方式

在下文中参照附图更充分地描述示例实施例。然而，可以以很多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应被解释为限制于在此阐述的示例实施例。在附图中，为了清晰起见，可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。

将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。相同的或相似的附图标记始终指示相同的或相似的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出的项的任何和全部组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表述在一系列元件(要素)之后时，修饰整个系列的元件(要素)，而不是修饰系列中的个别元件(要素)。

将理解的是，尽管在这里可以使用术语第一、第二和第三等来描述各种元件、组件、区域、层、图案和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层、图案和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层、图案或部分与另一元件、组件、区域、层、图案或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。

为了便于描述，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等的空间相对术语以描述在附图中示出的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位以外，空间相对术语意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，当附图中的装置被翻转时，被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后被定位为“在”所述其他元件或特征“之上”或“上方”。因此，示例术语“在……下方”可包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或在其他方位)，并相应地解释在这里使用的空间相对描述语。

在这里使用的术语仅出于描述具体示例实施例的目的，而不意图成为本发明的限制。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地示出，否则单数形式“一个”、“一种”、“所述”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，表示所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。此外，当描述本发明的实施例时，“可以(可)”的使用是指“本发明的一个或更多个实施例”。

在这里参照作为本发明的说明性理想化的示例实施例(和中间结构)的示意性图示的剖视图描述了示例实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，示例实施例不应被解释为限于这里示出的区域的具体形状，而将包括例如由制造产生的形状上的偏差。在附图中示出的区域在本质上是示意性的，它们的形状不意图说明装置的区域的实际形状且不意图限制本发明的范围。

除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非这里明确这样定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与所述术语在相关领域的环境中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于形式的含义来解释。

图1是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。

参照图1，根据示例实施例的显示装置10可以包括基底20、外围电路、显示结构和多个阻挡结构。在示例实施例中，显示装置10可以包括显示区域i(例如，有效区域)和基本上围绕显示区域i的外围区域ii。

在示例实施例中，每个显示结构可以包括第一电极65、发光层85和第二电极90。多个阻挡结构可以具有不同的高度(例如，基本上不同的高度)。多个阻挡结构可以包括第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115。第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115中的至少一个可以包括多个阻挡图案。将详细描述第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115的布置。在图1中示出的显示装置10中，第一阻挡结构98可以具有第一高度，第二阻挡结构100可以具有基本上比第一高度大的第二高度。此外，第三阻挡结构115可以具有基本上比第二高度大的第三高度。例如，显示装置10的多个阻挡结构可以具有随着远离显示装置10的显示区域i而增大的不同高度(即，靠近显示装置10的外围区域ii的外面的阻挡结构的高度可以比靠近显示装置10的显示区域i的阻挡结构的高度大)。

显示结构可以设置在显示装置10的显示区域i中，同时外围电路以及第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115可以位于显示装置10的外围区域ii中。在示例实施例中，显示装置10的外围区域ii可以包括外围电路所处的外围电路区域以及与像素的最外面的区域对应的无效空间区域(deadspaceregion)(例如，对图像的显示不会做出贡献的区域)。这里，多个阻挡结构可以设置在外围电路区域和无效空间区域中。例如，第一阻挡结构98和第二阻挡结构100可以设置在外围电路区域中，第三阻挡结构115可以位于无效空间区域中。

在图1中示出的显示装置10中，基底20可以包括柔性透明树脂。例如，基底20可以包括聚(甲基丙烯酸甲酯)类树脂(pmma)、聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、聚丙烯酸酯类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚醚类树脂、磺酸类树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯类树脂(pet)等。在一些示例实施例中，基底20可以包括透明陶瓷基底，例如，薄玻璃基底。

缓冲层25可以设置在基底20上。缓冲层25可以使得显示结构和多个阻挡结构容易地形成在基底20上。另外，缓冲层25可以防止材料从基底20扩散。此外，缓冲层25可以防止湿气和/或氧从外面渗透到显示装置10中。缓冲层25可以基本上改善基底20的平坦度(即，缓冲层25可以提供基底20上方的基本上平坦的表面)。

在示例实施例中，缓冲层25可以具有基本上小于基底20的面积的面积(例如，表面积)。例如，缓冲层25可以暴露基底20的邻近于基底20的边缘的部分。因此，在基底20和缓冲层25之间可以产生台阶。缓冲层25可以包括硅化合物、透明树脂等。例如，缓冲层25可以包括至少一个缓冲膜，所述至少一个缓冲膜包含氧化硅(例如，sio2)、氮化硅(例如，si3n4)、碳氧化硅、碳氮化硅、聚丙烯酸酯类树脂、聚丙烯酸甲酯类树脂(pma)、烯烃类树脂和/或聚乙烯基类树脂。在示例实施例中，缓冲层25可以包括分别包含不同的硅化合物的两个缓冲膜。在一些示例实施例中，缓冲层25可以具有由硅化合物构成的至少一个缓冲膜和由透明树脂构成的至少一个缓冲膜交替地形成在基底20上的堆叠结构。然而，缓冲层25的结构可以根据显示装置10的构造、尺寸和/或用途而变化。

栅极绝缘层30可以设置在缓冲层25上。在示例实施例中，栅极绝缘层30可以具有与缓冲层25的面积基本上相同或基本上相似的面积(例如，表面积)。栅极绝缘层30可以覆盖缓冲层25上的第一晶体管35和第二晶体管40的有源图案。例如，有源图案可以包括硅化合物、半导体氧化物等。在有源图案包括低温多晶硅(ltps)的情况下，可以通过结晶化工艺来获得有源图案。栅极绝缘层30可以包括诸如氧化硅、氮化硅等的硅化合物。可选择地，栅极绝缘层30可以包括金属氧化物。

第一晶体管35和第二晶体管40的栅电极可以设置在栅极绝缘层30的覆盖有源图案的部分上。每个栅电极可以包括金属、合金、导电的金属氧化物、透明导电材料等。诸如电结合到(例如，电连接到)栅电极的栅极线的导线可以设置在栅极绝缘层30上。

绝缘中间层45可以形成在栅极绝缘层30上，以覆盖第一晶体管35和第二晶体管40的栅电极。绝缘中间层45可以使第一晶体管35和第二晶体管40的栅电极与上面的导线和/或电极电绝缘。绝缘中间层45可以包括硅化合物、透明树脂等。用于绝缘中间层45的硅化合物的示例可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。

第一晶体管35和第二晶体管40的源电极和漏电极可以设置在绝缘中间层45上。另外，包括数据线50和最外面的导线55(例如，电源线)的导线可以位于绝缘中间层45上。数据线50可以电结合到(例如，电连接到)第一晶体管35和第二晶体管40的源电极。最外面的导线55可以电结合到显示结构的第二电极90。源电极和漏电极中的每个可以包括金属、合金、导电的金属氧化物、透明导电材料等。源电极和漏电极可以穿过绝缘中间层45并分别接触有源图案。

如图1中所示，绝缘层60可以设置为覆盖显示区域i中的第一晶体管35和数据线50。绝缘层60可以延伸到外围区域ii中，使得绝缘层60可以覆盖第二晶体管40并且部分地覆盖在外围区域ii中的最外面的导线55。绝缘层60可以使第一晶体管35与显示区域i中的显示结构的第一电极65电绝缘。

绝缘层60可以包括有机材料。例如，绝缘层60可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂等。可以单独使用这些或者以它们的组合来使用。绝缘层60可以具有单层结构或多层结构。在一些示例实施例中，绝缘层60可以包括诸如硅化合物、金属氧化物等的无机材料。用于绝缘层60的硅化合物的示例可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。

除了第二晶体管40和包括最外面的导线55的导线之外，被绝缘层60覆盖的外围电路还可以包括栅极驱动器、数据驱动器、时序控制器等。

第一电极65可以设置在绝缘层60上。第一电极65可以分别通过形成在绝缘层60中的接触件75电结合到(例如，电连接到)第一晶体管35的漏电极。在显示区域i中，邻近的第一电极65可以分开距离(例如，预定的距离)。每个第一电极65可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。可以单独使用这些或者以它们的组合来使用。

在图1中示出的显示装置10的显示区域i中，像素限定层80可以设置在绝缘层60上。像素限定层80可以具有分别暴露第一电极65的开口。像素限定层80的开口可以限定显示装置10的各发光区域。像素限定层80可以延伸到绝缘层60的覆盖显示区域i中的数据线50的部分上。像素限定层80可以包括有机材料。例如，像素限定层80可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、丙烯酸类树脂等。分隔件83可以设置在像素限定层80上，以确保像素的盒间隙。在示例实施例中，分隔件83可以包括与像素限定层80的材料基本上相同或基本上相似的材料。在这种情况下，可以通过利用半色调掩模、半色调缝隙掩模等的蚀刻工艺来形成(例如，获得)分隔件83和像素限定层80。这里，分隔件83可以与像素限定层80一体地形成。在一些示例实施例中，分隔件83可以独立地形成在像素限定层80上。例如，分隔件83可以额外地形成在像素限定层80上。

在显示装置10的外围区域ii中，保护构件70可以设置在绝缘层60的上部和侧部(例如，侧面)上。保护构件70可以保护外围电路不受静电、外部冲击等的影响。此外，保护构件70可以用作用于将最外面的导线55电结合到第二电极90的导线。在示例实施例中，保护构件70可以在外围区域ii中从像素限定层80的侧部延伸到最外面的导线55上。例如，保护构件70可以接触像素限定层80的侧部，并且可以延伸到最外面的导线55上，同时基本上包围像素限定层80的侧部。

保护构件70可以包括与第一电极65的材料基本上相同或基本上相似的材料。例如，保护构件70可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。保护构件70可以具有包含上述金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物和/或透明导电材料的单层结构或多层结构。如下面进一步描述的，保护构件70的一部分可以用作第一阻挡结构98的第一金属层图案。例如，第一阻挡结构98可以包括第一绝缘层图案95和作为保护构件70的该部分的第一金属层图案。

发光层85可以分别设置在被像素限定层80中的开口暴露的第一电极65上。每个发光层85可以具有多层结构，该多层结构包括有机发光层(eml)、空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)等。根据像素的相应类型，发光层85的有机发光层可以包括发射不同颜色(诸如红色、蓝色和绿色)的光的发光材料。在一些示例实施例中，每个发光层85的有机发光层可以包括用于发射红光、蓝光和绿光以产生基本上白色光的多种堆叠的发光材料。

第二电极90可以设置在发光层85、像素限定层80和分隔件83上。第二电极90可以延伸到外围区域ii中的保护构件70上。例如，第二电极90可以与外围区域ii中的保护构件70叠置。第二电极90可以用作被显示装置10的邻近像素共用的共电极。第二电极90可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。

如图1中所示，包括多个阻挡图案的第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115可以位于显示装置10的外围区域ii中。

在示例实施例中，具有第一高度的第一阻挡结构98可以设置在最外面的导线55上。第一阻挡结构98可以包括第一金属层图案和第一绝缘层图案95。因为第一阻挡结构98可以具有第一金属层图案和第一绝缘层图案95，所以第一阻挡结构98可以防止显示装置10的第一有机层140和/或第二有机层150泄漏到外围区域ii的外面(例如，第一阻挡结构98可以防止第一有机层140和/或第二有机层150接触最外面的导线55)。在示例实施例中，第一金属层图案可以是保护构件70的一部分，第一绝缘层图案95可以位于第一金属层图案上。当第一绝缘层图案95形成在第一金属层图案上时，可以容易地形成第一绝缘层图案95。在图1中示出的显示装置10中，第一有机层140可以与第一阻挡结构98分开(例如，分隔开)，然而，第一有机层140可以接触第一阻挡结构98，以防止第一有机层140向显示装置10的外围区域ii的外面的泄漏。因此，即使第一有机层140具有相对大的厚度，第一阻挡结构98也可以有效地防止第一有机层140的泄漏。

第一阻挡结构98可以因最外面的导线55和保护构件70的厚度的总和而具有第一高度，第一高度可基本上比显示区域i中的绝缘层60的高度大。在一些示例实施例中，当显示装置10不包括保护构件70时，第一阻挡结构98的第一金属层图案可以是最外面的导线55的一部分。在这种情况下，第一阻挡结构98的第一高度可以因最外面的导线55的厚度而基本上比绝缘层60的高度大。第一绝缘层图案95可以包括与显示区域i中的像素限定层80的材料基本上相同或基本上相似的材料。例如，第一绝缘层图案95可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。可以单独使用这些或者以它们的组合来使用。

第二阻挡结构100可以邻近于第一阻挡结构98。第二阻挡结构100可以包括第二金属层图案58、第二绝缘层图案105和第三绝缘层图案110。第二阻挡结构100可以进一步防止第一有机层140和/或第二有机层150泄漏到外围区域ii中。例如，当第二有机层150流过第一阻挡结构98时，第二阻挡结构100可以防止第二有机层150向外围区域ii的泄漏(例如，第二阻挡结构100可以防止第二有机层150向外围区域ii中的进一步泄漏)。第二阻挡结构100的第二高度可以因第三绝缘层图案110的厚度而基本上比第一阻挡结构98的第一高度大。

在示例实施例中，第二阻挡结构100的第二金属层图案58可以是最外面的导线55的端部。第二绝缘层图案105可以设置(例如，部分地设置)在绝缘中间层45上，以覆盖第二金属层图案58。例如，最外面的导线55的一个端部可以被第二绝缘层图案105覆盖，最外面的导线55的顶部(例如，中心部分)可以被第一绝缘层图案95覆盖。另外，最外面的导线55的另一端部可以被绝缘层60覆盖。这里，保护构件70可以延伸到第二绝缘层图案105的侧部上，并且延伸到第二绝缘层图案105的上表面的一部分(例如，顶部的一部分)上。因此，保护构件70的一个端部可以置于第二绝缘层图案105和第三绝缘层图案110之间。当第二绝缘层图案105设置在第二金属层图案58上时，可以容易地形成第二绝缘层图案105。第二绝缘层图案105可以包括与显示区域i中的绝缘层60的材料基本上相同或基本上相似的材料。在示例实施例中，可以在一个工艺(例如，单个工艺)中形成(例如，通过一个工艺(例如，单个工艺)获得)第二绝缘层图案105和绝缘层60。例如，第二绝缘层图案105可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂等。可以单独使用这些或者以它们的组合来使用。在一些示例实施例中，第二绝缘层图案105可以包括无机材料，例如，硅化合物、金属氧化物等。第三绝缘层图案110可以包括与显示区域i中的像素限定层80的材料基本上相同或基本上相似的材料。例如，第三绝缘层图案110可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂等。可以单独使用这些或者以它们的组合来使用。在这种情况下，可以在同一工艺(例如，单个工艺)中形成(例如，通过同一工艺(例如，单个工艺)获得)第三绝缘层图案110和像素限定层80。

在图1中示出的显示装置10中，第三阻挡结构115可以布置成邻近于第二阻挡结构100。在示例实施例中，第一阻挡结构98和第二阻挡结构100可以布置在外围区域ii的外围电路区域中，第三阻挡结构115可以设置在外围区域ii的无效空间区域中。第三阻挡结构115可以防止在将掩模置于像素限定层80和/或分隔件83上以在显示区域i中形成发光层85的工艺过程中对包括第二阻挡结构100和像素限定层80的其他结构(例如，下层结构)的损坏。此外，第三阻挡结构115可以防止故障(例如在第一无机层145和/或第二无机层155中产生的破裂)从外围区域ii扩散到显示区域i中的结构中。此外，第三阻挡结构115可以防止第二有机层150向外围区域ii的泄漏(例如，可以防止第二有机层150进一步泄漏到外围区域ii中)。在一些示例实施例中，当显示装置10包括额外的有机层和无机层时，第三阻挡结构115可以防止额外的有机层流到(例如，进一步流到)外围区域ii中。

在示例实施例中，第三阻挡结构115可以包括第三金属层图案120、第四绝缘层图案125、第五绝缘层图案130和第六绝缘层图案135。第三阻挡结构115的第三高度可以基本上比第二阻挡结构100的第二高度大。例如，第三阻挡结构115的第三高度可以因第六绝缘层图案135的厚度而比第二阻挡结构100的第二高度大。因此，显示装置10可以包括高度向像素的外面增大的第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115(例如，第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115的各自的高度可以根据与显示装置10的外面的距离而增大)。

第三金属层图案120可以包括与导线50和导线55的材料基本上相同或基本上相似的材料。当第四绝缘层图案125设置在第三金属层图案120上时，可以容易地形成第四绝缘层图案125。在示例实施例中，第三金属层图案120可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。例如，第三金属层图案120可以包括铝、包含铝的合金、氮化铝、银、包含银的合金、钨、氮化钨、铜、包含铜的合金、镍、铬、氮化铬、钼、包含钼的合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、锶、氧化钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等。可以单独使用这些或者以它们的组合来使用。可以在同一工艺(例如，单个工艺)中形成(例如，通过同一工艺(例如，单个工艺)获得)第三金属层图案120以及导线50和导线55。例如，可以同时或同步地形成第一金属层图案(即，保护构件70的一部分)、第二金属层图案58和第三金属层图案120。

第三阻挡结构115的第四绝缘层图案125可以包括与显示区域i中的绝缘层60的材料基本上相同或基本上相似的材料。例如，第四绝缘层图案125可以包括与第一绝缘层图案95和第二绝缘层图案105的材料基本上相同的材料。在示例实施例中，可以在同一工艺(即，单个工艺)中形成(即，可以通过同一工艺(即，单个工艺)获得)绝缘层60和第一绝缘层图案95。在一些示例实施例中，可以在同一工艺中形成第一绝缘层图案95、第二绝缘层图案105和第四绝缘层图案125。在另外的示例实施例中，可以在同一工艺中形成绝缘层60、第一绝缘层图案95、第二绝缘层图案105和第四绝缘层图案125。第五绝缘层图案130可以包括与显示区域i中的像素限定层80的材料基本上相同或基本上相似的材料。例如，可以同时或同步地形成(例如，获得)第五绝缘层图案130和像素限定层80。第六绝缘层图案135可以包括与显示区域i中的分隔件83的材料基本上相同或基本上相似的材料。在示例实施例中，可以在用于形成显示区域i中的像素限定层80和分隔件83的工艺中形成(例如，获得)第五绝缘层图案130和第六绝缘层图案135。

如上所述，根据示例实施例的显示装置10可以包括可以具有至少一个金属层图案和至少一个绝缘层图案的至少一个阻挡结构。第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115可以具有各种类型的阻挡图案，第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115中的阻挡图案的数量可以是不同的或者可以变化，使得第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115可以分别具有不同的高度或各种高度。

现在参照图1，第一有机层140可以形成在显示区域i中和外围区域ii中，以覆盖显示结构。尽管在图1中未示出，但是第一有机层140可以流过第一阻挡结构98并且可以接触外围区域ii中的第二阻挡结构100。此外，第一有机层140可以流过第一阻挡结构98和第二阻挡结构100，并且可以与外围区域ii中的第三阻挡结构115接触。即，第一有机层140可以形成在第一阻挡结构98和/或第二阻挡结构100上，并且可以与第三阻挡结构115接触。第一有机层140可以改善显示装置10的平坦度，并且还可以保护显示区域i中的显示结构。此外，第一有机层140可以防止杂质从下层结构扩散或扩散到下层结构。例如，第一有机层140可以包括聚酰亚胺类树脂、聚丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂等。

第一无机层145可以设置在第一有机层140上。第一无机层145可以防止第一有机层140和显示结构因湿气、氧等的渗透而劣化。另外，第一无机层145可以保护第一有机层140和显示结构不受外部冲击的影响。第一无机层145可以包括金属化合物。例如，第一无机层145可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氧氮化硅等。

第二有机层150可以位于第一无机层145上。第二有机层150可以执行与第一有机层140的功能基本上相同或基本上相似的功能，第二有机层150可以包括与第一有机层140的材料基本上相同或基本上相似的材料。

第二无机层155可以设置在第二有机层150上。第二无机层155可以执行与第一无机层145的功能基本上相同或基本上相似的功能，第二无机层155可以包括与第一无机层145的材料基本上相同或基本上相似的材料。

根据示例实施例，显示装置10可以包括具有上述构造的第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115，因此可以有效地防止因单体处理形成的第一有机层140和第二有机层150的泄漏或溢出。例如，第一有机层140和第二有机层150可以流过第一阻挡结构98并且可以接触外围区域ii中的第二阻挡结构100。此外，第一有机层140可以流过第一阻挡结构98和第二阻挡结构100，并且可以与外围区域ii中的第三阻挡结构115接触。换言之，第一有机层140和第二有机层150可以因第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和/或第三阻挡结构115而不流向外围区域ii的外面(例如，第一有机层140和第二有机层150不会越过第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和/或第三阻挡结构115进一步流到外围区域ii中)。此外，因为第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115可以阻挡故障(例如在第一无机层145和/或第二无机层155中可能产生的破裂)的扩散，所以显示装置10的耐久性和可靠性不会降低。此外，第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115可以在用于形成显示区域i中的发光层85的掩蔽工艺过程中有效地保护诸如显示结构的下层结构，从而显示装置10可以具有改善的可靠性、耐久性等。

在一些示例实施例中，显示装置10可以根据应用、尺寸、组件等而包括至少一个额外的上有机层和至少一个额外的上无机层。可选择地，显示装置10可以包括至少一个额外的下有机层和至少一个额外的下无机层。当多个额外的有机层设置在显示装置10中时，第二阻挡结构100和/或第三阻挡结构115可以有效地防止额外的有机层从显示区域i向外围区域ii的泄漏或溢出。在另外的示例实施例中，显示装置10可以包括一个有机层和一个无机层。

图2是示出根据本发明的一些其他示例实施例的显示装置的剖视图。在图2中，使用同样的附图标记指示显示装置的与图1中的元件相同的元件，可以省略这些元件的详细描述。除了邻近于第三阻挡结构115的第四阻挡结构160之外，在图2中示出的显示装置可以具有与参照图1描述的显示装置10的构造基本上相同或基本上相似的构造。

参照图2，第四阻挡结构160可以具有与第三阻挡结构115的第三高度基本上相同或基本上相似的第四高度。此外，第四阻挡结构160可以包括与第三阻挡结构115的阻挡图案基本上相同或基本上相似的阻挡图案。即，显示装置可以包括两个阻挡结构115和160，两个阻挡结构115和160与设置在外围区域ii中的第一阻挡结构98和第二阻挡结构100邻近(例如，两个阻挡结构115和160可以邻近于外围电路区域并且在无效空间区域中)。这里，第四阻挡结构160可以具有与第三阻挡结构115的构造基本上相同或基本上相似的构造。

第四阻挡结构160可以包括第四金属层图案165、第七绝缘层图案170、第八绝缘层图案175和第九绝缘层图案180。第四金属层图案165可以包括与第三金属层图案120的材料基本上相同或基本上相似的材料。另外，第七绝缘层图案170、第八绝缘层图案175和第九绝缘层图案180可以包括分别与第四绝缘层图案125、第五绝缘层图案130和第六绝缘层图案135的材料基本上相同或基本上相似的材料。

因为显示装置可以额外地包括第四阻挡结构160，因此可以有效地防止第一有机层140、第二有机层150和/或额外的有机层向外围区域ii的泄漏或溢出。此外，可以阻挡故障(例如在第一无机层145、第二无机层155和/或额外的无机层中产生的破裂)的扩展。此外，第一阻挡结构98、第二阻挡结构100、第三阻挡结构115和第四阻挡结构160可以在用于形成发光层85的工艺过程中有效地保护包括显示区域i中的显示结构的下层结构。因此，显示装置可以确保增强的耐久性、可靠性等。

图3是示出根据本发明的一些其他示例实施例的显示装置的剖视图。在图3中示出的显示装置中，第一阻挡结构100'和第二阻挡结构115'可以具有与参照图1描述的第二阻挡结构100和第三阻挡结构115的构造基本上相同或基本上相似的构造。即，图1中的第二阻挡结构100和第三阻挡结构115可以与图3中的第一阻挡结构100'和第二阻挡结构115'基本上对应或者可以与图3中的第一阻挡结构100'和第二阻挡结构115'基本上相似。除了图1中示出的第一阻挡结构98之外，图3中示出的显示装置可以具有与参照图1描述的显示装置10的构造基本上相同或基本上相似的构造。即，阻挡结构可以不设置在保护构件70上。

在一些示例实施例中，第一阻挡结构100'可以包括第一金属层图案58'、第一绝缘层图案105'和第二绝缘层图案110'。在这种情况下，第一金属层图案58'、第一绝缘层图案105'和第二绝缘层图案110'可以分别与第二金属层图案58、第二绝缘层图案105和第三绝缘层图案110基本上相同或基本上相似。第二阻挡结构115'可以包括第二金属层图案120'、第三绝缘层图案125'、第四绝缘层图案130'和第五绝缘层图案135'。这里，第二金属层图案120'、第三绝缘层图案125'、第四绝缘层图案130'和第五绝缘层图案135'可以分别与第三金属层图案120、第四绝缘层图案125、第五绝缘层图案130和第六绝缘层图案135基本上相同或基本上相似。

根据一些示例实施例，显示装置可以包括具有不同高度的两个阻挡结构100'和115'，从而当显示装置不包括额外的有机层时可以防止第一有机层140和/或第二有机层150向外围区域ii的泄漏或溢出。另外，第二阻挡结构115'可以防止当利用掩模形成发光层85时对下层结构的损坏。此外，第一阻挡结构100'和第二阻挡结构115'可以防止在第一无机层145和第二无机层155中会产生的破裂向显示区域i中的下层结构的扩展。因为图3中示出的显示装置可以包括两个阻挡结构110'和115'，所以显示装置可以具有相对小的尺寸(例如，比图1和图2中示出的显示装置小的尺寸)。

图4是示出根据本发明的一些其他示例实施例的显示装置的剖视图。在图4中，使用同样的附图标记指示显示装置的与图1中的元件相同的元件，可以省略这些元件的详细描述。除了图1中示出的第三阻挡结构115之外，图4中示出的显示装置可以具有与参照图1描述的显示装置10的构造基本上相同或基本上相似的构造。

参照图4，显示装置可以包括第一阻挡结构98和第二阻挡结构100。第一阻挡结构98可以设置在保护构件70上，第二阻挡结构100可以位于被绝缘层60部分地暴露的最外面的导线55上。

在一些示例实施例中，第一阻挡结构98和第二阻挡结构100可以与显示区域i邻近，使得显示装置可以具有相对减小的尺寸。除非显示装置包括过多的额外的有机层，否则第一阻挡结构98和第二阻挡结构100可以有效地防止第一有机层140和/或第二有机层150从显示区域i向外围区域ii中的泄漏或溢出。此外，对第一无机层145和/或第二无机层155的损坏(例如，破裂)因第一阻挡结构98和第二阻挡结构100而不会扩展到显示区域i中的下层结构中。

图5至图7是示出根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。在图5至图7中，该方法可以提供具有与参照图1描述的显示装置10的构造基本上相同或基本上相似的构造的显示装置，然而，本领域技术人员可以理解，可以通过诸如图案化工艺或蚀刻工艺的工艺的明显修改或改变来获得在图2至图4中示出的显示装置中的任意一种。

参照图5，提供了具有显示区域ⅲ和外围区域ⅳ的基底220。这里，基底220的外围区域ⅳ可以包括形成有外围电路的外围电路区域和与基底220的最外面的部分对应的无效空间区域。基底220可以包括柔性透明树脂，该柔性透明树脂包含例如聚(甲基丙烯酸甲酯)类树脂(pmma)、聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、聚丙烯酸酯类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚醚类树脂、磺酸类树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯类树脂(pet)等。可选择地，基底220可以包括透明陶瓷基底，例如，玻璃基底。

可以在基底220上形成缓冲层225。缓冲层225可以从显示区域ⅲ延伸到外围区域ⅳ中。可以利用透明树脂、硅化合物等来形成缓冲层225。例如，可以利用聚丙烯酸酯类树脂、聚甲基丙烯酸酯类树脂、烯烃类树脂和/或聚乙烯基类树脂、氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅来形成缓冲层225。此外，可以通过旋涂工艺、印刷工艺、热处理工艺、化学气相沉积工艺等来形成(例如，获得)缓冲层225。

在示例实施例中，缓冲层225可以包括通过在基底220上沉积硅化合物得到的多个缓冲膜。可选择地，可以通过交替地形成包含硅化合物的至少一个缓冲膜和包含透明树脂的至少一个缓冲膜来形成(例如，获得)缓冲层225。在一些示例实施例中，可以基于包括在基底220中的材料或基底220的表面状况而不在基底220上形成缓冲层225。

可以在缓冲层225上形成第一有源图案230和第二有源图案235。第一有源图案230可以形成在(例如，位于)显示区域ⅲ中，第二有源图案235可以形成在(例如，位于)外围区域ⅳ中。在示例实施例中，可以在基底220上形成半导体层，然后可以将半导体层图案化，以在显示区域ⅲ中形成初步的第一有源图案。另外，可以在外围区域ⅳ中形成初步的第二有源图案。可以通过对初步的第一有源图案和初步的第二有源图案执行热处理工艺、激光照射工艺或利用催化剂的热处理工艺来形成(例如，获得)第一有源图案230和第二有源图案235。例如，可以利用非晶硅、包含杂质的非晶硅(例如，掺杂的非晶硅)等来形成半导体层。此外，可以通过化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺、溅射工艺等来形成半导体层。第一有源图案230和第二有源图案235中的每个可以包括多晶硅、包含杂质的多晶硅(例如，掺杂的多晶硅)、部分结晶的硅、包含微晶的硅、半导体氧化物等。

参照图5，可以在缓冲层225上形成栅极绝缘层240，以覆盖第一有源图案230和第二有源图案235。可以在缓冲层225上均匀地形成栅极绝缘层240。另外，栅极绝缘层240可以具有与缓冲层225的面积(例如，表面积)基本上相同或基本上相似的面积(例如，表面积)。栅极绝缘层240可以由诸如氧化硅、碳氧化硅、氧氮化硅等的硅化合物形成。此外，可以通过化学气相沉积工艺、旋涂工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、溅射工艺、真空蒸镀工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、印刷工艺等来形成栅极绝缘层240。在一些示例实施例中，可以利用金属氧化物(例如，氧化铪、氧化铝、氧化锆、氧化钛、氧化钽等)通过化学气相沉积工艺、旋涂工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、溅射工艺、真空蒸镀工艺或高密度等离子体化学气相沉积工艺来形成(例如，获得)栅极绝缘层240。

参照图6，可以在栅极绝缘层240上形成第一栅电极245和第二栅电极250。可以通过金属、合金、导电的金属氧化物、透明导电材料等来形成第一栅电极245和第二栅电极250。此外，可以通过溅射工艺、化学气相沉积工艺、脉冲激光沉积工艺、真空蒸镀工艺、原子层沉积工艺等来形成第一栅电极245和第二栅电极250。第一栅电极245可以位于栅极绝缘层240的部分上，在栅极绝缘层240的所述部分下方第一有源图案230(见图5)设置在显示区域ⅲ中。第二栅电极250可以位于栅极绝缘层240的第二有源图案235(见图5)位于外围区域ⅳ中的部分上。

可以在显示区域ⅲ和外围区域ⅳ中的栅极绝缘层240上形成栅极线。栅极线可以电结合到(例如，电连接到)第一栅电极245和第二栅电极250。此外，可以在第一有源图案230(见图5)和第二有源图案235(见图5)中通过利用第一栅电极245和第二栅电极250作为掩模注入杂质来形成源区域和漏区域。

可以在栅极绝缘层240上形成绝缘中间层290，以覆盖第一栅电极245和第二栅电极250。可以利用硅化合物、透明树脂等来形成绝缘中间层290。另外，可以通过印刷工艺、旋涂工艺、化学气相沉积工艺等来获得绝缘中间层290。

可以部分地蚀刻绝缘中间层290以形成暴露第一有源图案230和第二有源图案235的源区域和漏区域的接触孔。可以在绝缘中间层290上和/或在接触孔处形成第一漏电极255、第一源电极260、第二漏电极265和第二源电极270。同时，可以在显示区域ⅲ和外围区域ⅳ中的绝缘中间层290上形成导线295和导线300。这样的导线295(例如，数据线)可以电结合(例如，电连接)到第一源电极260和第二源电极270。此外，导线300(例如，电源线)可以电结合(例如，电连接)到第二电极370(见图7)。

在示例实施例中，可以部分地去除绝缘中间层290、栅极绝缘层240和缓冲层225，以暴露基底220的一部分(例如，可以去除栅极绝缘层240的部分以暴露基底220的一部分)。例如，在去除绝缘中间层290、栅极绝缘层240和缓冲层225之后，可以暴露基底220的邻近于其边缘的一部分。因此，可以在基底220、缓冲层225、栅极绝缘层240和绝缘中间层290之间产生台阶。在一些示例实施例中，可以部分地去除绝缘中间层290和栅极绝缘层240，以暴露缓冲层225的邻近于其边缘的一部分。另外，可以部分地去除缓冲层225以暴露基底220的邻近于其边缘的一部分。

在示例实施例中，可以在绝缘中间层290上形成导电层以填充接触孔。在形成导电层之后，导电层可以被图案化，以获得第一漏电极255、第二漏电极265、第一源电极260、第二源电极270以及导线295和300。可以利用金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等来形成导电层。可以单独使用这些或者以它们的组合来使用。此外，可以通过印刷工艺、溅射工艺、真空蒸镀工艺、化学气相沉积工艺等来形成导电层。

第一漏电极255和第二漏电极265可以接触第一有源图案230和第二有源图案235的漏区域，第一源电极260和第二源电极270可以接触第一有源图案230和第二有源图案235的源区域。可以在基底220上方设置包括第一漏电极255和第一源电极260的第一晶体管275以及包括第二漏电极265和第二源电极270的第二晶体管280。可以分别在显示区域ⅲ和外围区域ⅳ中形成第一晶体管275和第二晶体管280。

如图6中所示，可以在外围区域ⅳ中与最外面的导线300邻近地形成金属层图案305，同时形成导线295和300。在示例实施例中，可以不在绝缘中间层290或基底220上直接形成阻挡结构的绝缘层图案。然而，当将金属层图案305置于绝缘中间层290和阻挡结构的绝缘层图案之间时，可以在金属层图案305和绝缘中间层290上容易地形成阻挡结构的绝缘层图案。例如，金属层图案305可以改善阻挡结构的结构稳定性。如下面所讨论的，当显示装置包括第一阻挡结构378、第二阻挡结构380和第三阻挡结构390(见图7)时，金属层图案305可以是第三阻挡结构390的第三金属层图案。在这种情况下，最外面的导线300的部分303可以是第二阻挡结构380的第二金属层图案，其后形成的保护构件340的一部分可以是第一阻挡结构378的第一金属层图案。

可以在绝缘中间层290上形成绝缘层310，以覆盖显示区域ⅲ中的第一晶体管275和数据线295并且覆盖外围区域ⅳ中的第二晶体管280和外围电路。绝缘层310可以延伸成覆盖最外面的导线300的部分303。可以利用聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂等来形成绝缘层310。此外，可以通过印刷工艺、喷墨工艺、旋涂工艺等来形成绝缘层310。可选择地，可以利用硅化合物、金属氧化物等来形成绝缘层310。

在示例实施例中，可以在外围区域ⅳ中形成绝缘层图案325和绝缘层图案330，同时形成绝缘层310。即，可以同时或同步地形成绝缘层310以及绝缘层图案325和绝缘层图案330。这里，可以在最外面的导线300的部分303上形成绝缘层图案325和绝缘层图案330中的一个，并且可以在金属层图案305上形成绝缘层图案325和绝缘层图案330中的另一个。因此，最外面的导线300的部分303(例如，一个端部)可以被绝缘层图案325覆盖，最外面的导线300的另一个端部可以被绝缘层310覆盖。如上所述，当绝缘层图案325和330包括有机材料时，可以在最外面的导线300和金属层图案305上分别容易地形成绝缘层图案325和绝缘层图案330。

现在参照图6，绝缘层310可以被部分地蚀刻以在显示区域ⅲ中形成暴露第一晶体管275的第一漏电极255的接触孔。可以在接触孔中形成接触件315，可以在接触件315和绝缘层310上形成第一电极335。此时，可以在外围区域ⅳ中的绝缘层310和最外面的导线300上形成保护构件340。即，可以同时或同步地形成第一电极335和保护构件340。可以利用金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等来形成第一电极335和保护构件340中的每个。此外，可以通过溅射工艺、印刷工艺、化学气相沉积工艺等来形成第一电极335和保护构件340。

第一电极335可以分别通过形成在接触孔中的接触件315来电结合到(例如，电连接到)第一漏电极255。保护构件340可以覆盖最外面的导线300的被暴露的部分并且可以在外围区域ⅳ中从绝缘层310延伸到绝缘层图案325。在示例实施例中，保护构件340的形成在最外面的导线300上的一部分可以用作第一阻挡结构378的第一金属层图案(见图7)。保护构件340可以保护外围电路(除了包括第二晶体管280和最外面的导线300之外，还包括栅极驱动器、数据驱动器和时序控制器)不受外部冲击、静电等的影响。

参照图7，可以在显示区域ⅲ中在第一电极335和绝缘层310上形成像素限定层345。像素限定层345可以具有暴露(例如，部分地暴露)第一电极335的开口。这里，可以在保护构件340上形成第一绝缘层图案320和第三绝缘层图案350，可以在绝缘层图案330上形成第五绝缘层图案355和第六绝缘层图案360。第一绝缘层图案320可以位于保护构件340上，第三绝缘层图案350可以位于保护构件340和绝缘层图案325上。第五绝缘层图案355和第六绝缘层图案360可以以各自的顺序设置在绝缘层图案330上(即，第五绝缘层图案355可以在绝缘层图案330上，第六绝缘层图案360可以在第五绝缘层图案355上)。在示例实施例中，可以形成(例如，获得)第六绝缘层图案360，同时在像素限定层345上形成分隔件348。例如，可以在外围区域ⅳ中形成第一绝缘层图案320、第三绝缘层图案350、第五绝缘层图案355和第六绝缘层图案360，同时在显示区域ⅲ中利用半色调掩模或半色调缝隙掩模来形成像素限定层345和分隔件348。因此，可以在最外面的导线300上形成包括第一金属层图案和第一绝缘层图案320的第一阻挡结构378。这里，第一阻挡结构378的第一金属层图案可以是保护构件340的中心部分。因此，绝缘层图案325可以被称为第二绝缘层图案，绝缘层图案330可以被称为第四绝缘层图案。因此，可以在最外面的导线300上设置第二阻挡结构380。第二阻挡结构380可以包括第二金属层图案303、第二绝缘层图案325和第三绝缘层图案350。另外，可以邻近于第二阻挡结构380形成第三阻挡结构390。第三阻挡结构390可以包括第三金属层图案305、第四绝缘层图案330、第五绝缘层图案355和第六绝缘层图案360。

在示例实施例中，可以利用有机材料来形成像素限定层345、第一绝缘层图案320、第三绝缘层图案350、第五绝缘层图案355和第六绝缘层图案360中的每个。例如，可以利用聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等来形成像素限定层345、第一绝缘层图案320、第三绝缘层图案350、第五绝缘层图案355和第六绝缘层图案360中的每个。此外，可以通过印刷工艺、喷墨工艺、旋涂工艺等来形成像素限定层345、第一绝缘层图案320、第三绝缘层图案350、第五绝缘层图案355和第六绝缘层图案360。

可以在被像素限定层345的开口暴露的第一电极335上分别形成发光层365。在发光层365的形成步骤中，可以在每个第一电极335上形成(例如，连续地形成)有机发光层(eml)、空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。这里，可以根据有机发光显示装置中的像素的类型利用用于产生红光、绿光和/或蓝光的发光材料来形成有机发光层。可选择地，可以通过在每个第一电极335上堆叠用于产生红光、绿光和蓝光以由此发射白光的多种发光材料来获得每个有机发光层。

在示例实施例中，当掩模位于像素限定层345和分隔件348上以用于在显示区域ⅲ中形成发光层365时，在外围区域ⅳ中的第二阻挡结构380和/或第三阻挡结构390可以防止由于掩模和下层结构之间的接触而导致的对下层结构(包括显示结构)的损坏。因此，显示装置可以确保改善的可靠性和耐久性。

可以在发光层365、像素限定层345和分隔件348上形成第二电极370。第二电极370可以沿保护构件340的接触像素限定层345的一部分延伸。可以利用金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等来形成第二电极370。

如图7中所示，可以形成第一有机层395以覆盖显示区域ⅲ中的显示结构和外围区域ⅳ中的第一阻挡结构378、第二阻挡结构380和第三阻挡结构390。可以利用聚酰亚胺类树脂、聚丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂等来形成第一有机层395。可以通过印刷工艺、喷墨工艺、旋涂工艺、真空蒸镀工艺等来形成第一有机层395。在示例实施例中，可以在显示结构以及第一阻挡结构378、第二阻挡结构380和第三阻挡结构390上涂覆形成上面讨论的树脂的单体，然后可以对单体执行热处理工艺或紫外线照射工艺，从而形成(例如，获得)第一有机层395。在形成第一有机层395的同时，第一阻挡结构378可以防止第一有机层395通过外围区域ⅳ向外围区域ⅳ的外面的泄漏或溢出。

可以在第一有机层395上形成第一无机层400。可以通过真空蒸镀工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺等利用金属化合物来形成第一无机层400。

尽管未示出，但是可以在第一无机层400上交替地形成额外的有机层和额外的无机层，使得显示装置可以具有与参照图1描述的显示装置10的构造基本上相同或基本上相似的构造。可选择地，可以在第一无机层400上交替地形成不只一个额外的有机层和不只一个额外的无机层。

图8是示出根据本发明的一些其他示例实施例的多个显示装置的剖视图。例如，图8示出了在分开各个显示装置之前设置在母基底上的多个显示装置。在图8中，使用同样的附图标记指示显示装置的与图1中的元件相同的元件，可以省略这些元件的详细描述。

参照图8，显示装置可以包括设置在显示装置的邻近的单元像素之间的至少一个额外的阻挡结构185。在这种情况下，每个单元像素可以包括如上所述的第一阻挡结构98、第二阻挡结构100和第三阻挡结构115。

在一些示例实施例中，显示装置可以包括三个额外的阻挡结构185。在每个额外的阻挡结构185中的阻挡图案的数量可以是相同的，因此额外的阻挡结构185可以具有基本上相同或基本上相似的高度。例如，每个额外的阻挡结构185可以具有与第三阻挡结构115的第三高度基本上相同或基本上相似的高度。可选择地，额外的阻挡结构185可以分别具有不同的或各种的高度。

如图8中所示，每个额外的阻挡结构185可以包括第一额外绝缘层图案190、第二额外绝缘层图案193、第三额外绝缘层图案194、额外金属层图案195、第四额外绝缘层图案198、第五额外绝缘层图案200和第六额外绝缘层图案203。第一额外绝缘层图案190、第二额外绝缘层图案193和第三额外绝缘层图案194可以包括分别与缓冲层25、栅极绝缘层30和绝缘中间层45的材料基本上相同或基本上相似的材料。每个额外的阻挡结构185的额外金属层图案195可以包括与导线50和导线55的材料基本上相同或基本上相似的材料。此外，第四额外绝缘层图案198、第五额外绝缘层图案200和第六额外绝缘层图案203可以包括分别与绝缘层60、像素限定层80和分隔件83的材料基本上相同或基本上相似的材料。

在一些示例实施例中，显示装置可以包括位于相邻的像素之间的额外的阻挡结构185，从而可以更有效地防止由于利用掩模形成发光层85而导致的对下层结构(包括显示结构)的损坏。

以上是示例实施例的举例说明并且将不被解释为对其的限制。虽然已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易地认识到，在实质上不脱离本发明的新颖性教导和方面的情况下，能够对示例实施例做出许多改变。因此，所有这样的改变意图被包括在如权利要求及其等同物中限定的本发明的范围内。在权利要求书中，功能性限定意图覆盖这里被描述为执行所述功能的结构，不仅覆盖结构等同物，而且覆盖等同的结构。因此，将理解的是，以上是各种示例实施例的举例说明并且将不被解释为限于所公开的特定示例实施例，并且对所公开的示例实施例的修改以及其他示例实施例意图被包括在权利要求及其等同物的范围内。