1.一种真空预清洁装置，其特征在于，包括：
腔壁，与所述腔壁连接的电源连接结构；
载台，所述载台具有承载面，所述载台与所述腔壁固定连接；
位于所述载台边缘和所述腔壁之间的挡板，所述挡板分别与所述腔壁和所述载台可拆卸连接；
吸附板，所述吸附板包括基板和位于基板表面的若干层复合层，且所述若干层复合层沿垂直于吸附板表面方向重叠，所述吸附板与所述挡板可拆卸连接，且所述吸附板的复合层面朝向所述载台的承载面。
2.如权利要求1所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述单层复合层包括钝化层和位于钝化层表面的氧化层；所述钝化层到所述基板表面的距离小于所述氧化层到所述基板表面的距离。
3.如权利要求2所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述钝化层的厚度范围为10nm～500nm；所述氧化层的厚度范围为30nm～1×105nm。
4.如权利要求3所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述复合层的堆叠次数大于或等于2。
5.如权利要求2所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅或氧化铝；所述氧化层的材料包括氧化硅。
6.如权利要求1所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述吸附板的厚度范围为1cm～4cm。
7.如权利要求1所述的真空预清洁装置，其特征在于，所述吸附板的形状包括弧形。
8.一种形成如权利要求1至7任一项真空预清洁装置的方法，其特征在于，包括：
提供初始清洁装置，所述初始清洁装置包括：腔壁，与所述腔壁连接的电源连接结构；载台，所述载台具有承载面，所述载台与所述腔壁固定连接；位于所述载台边缘和所述腔壁之间的挡板，所述挡板分别与所述腔壁和所述载台可拆卸连接；基板，所述基板与所述挡板可拆卸连接；
在所述基板表面形成若干层复合层，所述若干层复合层面朝向所述载台的承载面。
9.如权利要求8所述的真空预清洁装置的形成方法，其特征在于，所述复合层的形成方法包括：在所述基板表面形成钝化层；在所述钝化层表面形成氧化层。
10.如权利要求9所述的真空预清洁装置的形成方法，其特征在于，所述钝化层的形成方法包括化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。
11.如权利要求9所述的真空预清洁装置的形成方法，其特征在于，所述氧化层的形成工艺包括化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。
12.一种使用如权利要求1至7任一项真空预清洁装置的方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1至7所述真空预清洁装置；
对所述吸附板进行清洁，去除所述吸附板表面的一层复合层。
13.如权利要求12所述的真空预清洁装置的使用方法，其特征在于，去除所述复合层的方法包括：去除吸附板表面的氧化层，直至暴露出所述钝化层；去除所述暴露出的钝化层，直至暴露出下一层复合层。
14.如权利要求13所述的真空预清洁装置的使用方法，其特征在于，去除所述氧化层的工艺包括湿法刻蚀工艺。
15.如权利要求13所述的真空预清洁装置的使用方法，其特征在于，去除所述钝化层的工艺包括湿法刻蚀工艺。