显示装置和显示面板的制作方法

本申请要求于2018年8月30日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0102722号韩国专利申请和于2018年9月19日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0112383号韩国专利申请的优先权和权益，这两个韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

一个或更多个实施例涉及一种包括凹槽的显示装置。

背景技术：

近来，显示装置的用途已经多样化。此外，随着显示装置已经变得更薄且更轻质，它们的使用范围已经逐渐扩大。

随着显示装置的显示区域占据的区域增大，增加了可以与显示装置组合或关联的功能。在显示装置的显示区域中设置开口作为在增大显示区域的同时增加各种功能的方式。

技术实现要素：

根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括开口和围绕开口的显示区域；多个凹槽，形在基底上，并位于开口与显示区域之间；显示元件层，位于基底上，并在显示区域中包括多个显示元件；薄膜封装层，设置在显示元件层上，薄膜封装层包括顺序堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；平坦化层，设置在多个凹槽上方，并包括有机绝缘材料，其中，平坦化层设置在第二无机封装层上方，并且有机封装层设置在第二无机封装层下方。

显示元件层可以包括至少一个有机材料层，并且至少一个有机材料层可以被凹槽断开。

至少一个有机材料层可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层中的至少一者。

显示元件层可以包括：像素电极，分别对应于多个显示元件；发射层，设置在像素电极上；以及对电极，覆盖显示区域，对电极被凹槽断开。

基底可以包括基体层和无机绝缘层，基体层可以包括聚合物树脂，并且多个凹槽中的每个凹槽可以包括：形成在无机绝缘层中的孔；以及形成在基体层中的孔或凹进。

显示装置还可以包括：第一阻挡层，设置在平坦化层下；以及第二阻挡层，设置在平坦化层上。

平坦化层可以设置在开口与显示区域之间，并且第一阻挡层和第二阻挡层可以在平坦化层的第一边缘周围彼此接触，平坦化层的第一边缘与显示区域相邻。

第一阻挡层可以与第二无机封装层直接接触。

平坦化层的第二边缘可以与基底的边缘位于同一条竖直线上，其中，平坦化层的第二边缘面对开口，并且基底的边缘界定开口。

显示装置还可以包括：输入感测层，包括导电层和绝缘层，绝缘层分别设置在导电层上和下，其中，第一阻挡层和第二阻挡层可以分别与输入感测层的绝缘层中的一个绝缘层一体地形成。

根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括开口和与开口相邻的显示区域，基底包括形成在开口与显示区域之间的多个凹槽；显示元件层，设置在基底上，并在显示区域中包括多个显示元件，显示元件层包括至少一个有机材料层，其中，至少一个有机材料层被多个凹槽断开；薄膜封装层，设置在显示元件层上，薄膜封装层包括至少一个无机封装层和有机封装层；以及平坦化层，包括有机绝缘材料，其中，平坦化层设置在开口与显示区域之间。

基底可以包括：第一基体层，包括聚合物树脂；第一无机绝缘层，设置在第一基体层上；第二基体层，设置在第一无机绝缘层上，并且包括聚合物树脂；以及第二无机绝缘层，设置在第二基体层上，其中，多个凹槽中的每个凹槽可以包括形成在第二无机绝缘层中的第一孔和形成在第二基体层中的第二孔或凹进。

第二无机绝缘层的侧表面可以包括相比于第二基体层的侧表面朝向凹槽的中心进一步突出的尖端，其中，第二无机绝缘层的侧表面界定第一孔，并且第二基体层的侧表面界定第二孔或凹进。

至少一个无机封装层可以包括设置在有机封装层与平坦化层之间的第一无机封装层。

平坦化层的一部分可以与有机封装层的一部分叠置。

至少一个无机封装层还可以包括设置在显示元件层与有机封装层之间的第二无机封装层，其中，第二无机封装层连续地覆盖凹槽的内表面。

显示装置还可以包括设置在平坦化层上的第一无机阻挡层。

显示装置还可以包括设置在平坦化层下的第二无机阻挡层，其中，第二无机阻挡层可以在平坦化层的第一边缘周围与第一无机阻挡层接触，第一边缘与显示区域相邻。

显示装置还可以包括输入感测层，输入感测层包括导电层和绝缘层，绝缘层分别设置在导电层上和下，其中，第一无机阻挡层和第二无机阻挡层中的每个无机阻挡层与输入感测层的绝缘层中的一个绝缘层一体地形成。

根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括开口和其中设置有多个像素的显示区域，开口形成在多个像素之间；显示元件层，包括分别对应于多个像素的多个显示元件，显示元件层包括至少一个有机材料层；薄膜封装层，设置在显示元件层上；以及多个凹槽，形成在基底中并且位于开口与显示区域之间，并且使至少一个有机材料层断开。

多个凹槽可以形成在聚合物树脂层和无机绝缘层中，并且多个凹槽中的每个凹槽可以包括：第一孔，形成在无机绝缘层中；以及第二孔或凹进，形成在聚合物树脂层中。

基底可以具有多层结构，多层结构包括聚合物树脂层和无机绝缘层。

无机绝缘层的侧表面可以包括相比于聚合物树脂层的侧表面朝向凹槽的中心进一步突出的尖端，其中，无机绝缘层的侧表面界定第一孔，并且聚合物树脂层的侧表面界定第二孔或凹进。

显示装置还可以包括设置在开口与显示区域之间的平坦化层。

平坦化层可以包括有机绝缘材料，并且薄膜封装层可以包括：有机封装层；以及第一无机封装层，设置在有机封装层与平坦化层之间。

薄膜封装层还可以包括第二无机封装层，并且第一无机封装层和第二无机封装层可以在开口与显示区域之间彼此接触，并且第一无机封装层和第二无机封装层的接触区域可以与平坦化层叠置。

显示装置还可以包括：第一无机阻挡层，设置在平坦化层下；以及第二无机阻挡层，设置在平坦化层上。

第一无机阻挡层和第二无机阻挡层可以在平坦化层的第一边缘周围彼此接触，平坦化层的第一边缘与显示区域相邻。

显示装置还可以包括：输入感测层，包括导电层和绝缘层，绝缘层分别设置在导电层上和导电层下，其中，第一无机阻挡层和第二无机阻挡层中的每个无机阻挡层可以与输入感测层的绝缘层中的一个绝缘层一体地形成。

平坦化层可以设置在开口与显示区域之间。

根据一个或更多个实施例，显示面板包括：基底，包括开口区域和围绕开口区域的显示区域；显示元件层，设置在显示区域中，并包括多个显示元件；薄膜封装层，覆盖显示元件层，并包括有机封装层和无机封装层；第一凹槽和第二凹槽，均位于开口区域与显示区域之间，第一凹槽和第二凹槽中的每个凹槽具有底切结构；平坦化层，设置在开口区域与显示区域之间，并且包括有机绝缘材料；以及输入感测层，设置在显示区域中并且设置在薄膜封装层上方，其中，平坦化层设置在无机封装层上方，并且有机封装层设置在无机封装层下方

基底可以包括顺序堆叠的第一基体层、第一无机层、第二基体层和第二无机层，并且第一凹槽和第二凹槽中的每个凹槽的底表面与第二基体层的底表面对应，或者与位于第二基体层的顶表面和底表面之间的虚设表面对应。

薄膜封装层可以包括顺序堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。

第一无机封装层可以覆盖第一凹槽和第二凹槽中的每个凹槽的内表面。

第二无机封装层可以在开口区域与显示区域之间的区域中与第一无机封装层直接接触。

平坦化层的一部分可以与有机封装层叠置。

基底可以包括与开口区域对应的第一开口，有机封装层可以包括与第一开口叠置的孔。

平坦化层的与第一开口相邻的端部可以与基底的端部位于同一条竖直线上，或者与基底的端部间隔开预定间隔。

阻挡层可以设置在平坦化层上并包括无机材料。

输入感测层可以包括多个层。阻挡层可以包括与包括在输入感测层中的多个层中的至少一个层的材料相同的材料。

附加平坦化层可以设置在阻挡层上。

输入感测层可以包括有机材料。平坦化层可以包括与输入感测层的有机材料相同的材料。

下阻挡层可以设置在平坦化层与薄膜封装层之间。

输入感测层可以包括无机材料。下阻挡层可以包括与输入感测层的无机材料相同的材料。

下阻挡层可以与无机封装层直接接触。

根据一个或更多个实施例，显示面板包括：基底，包括开口；显示元件层，设置在基底的显示区域中，显示区域至少部分地围绕开口；薄膜封装层，设置在显示元件层上，并包括有机封装层和无机封装层；第一凹槽和第二凹槽，位于基底的凹槽区域中，其中，凹槽区域位于开口与显示区域之间；以及平坦化层，设置在凹槽区域中且设置在有机封装层上方，并且无机封装层置于平坦化层与有机封装层之间。

平坦化层可以包括有机材料。

第一凹槽和第二凹槽中的每个凹槽可以形成在基底中，并且具有底切结构。

基底可以包括顺序堆叠的第一基体层、第一无机层、第二基体层和第二无机层。

第二无机层可以包括分别与第一凹槽和第二凹槽中的每个凹槽对应的第一孔。第二基体层可以包括分别与第一孔对应的第二孔或凹进。

第二无机层中的每个第一孔的侧表面可以相比于第二基体层中的第二孔或凹进的侧表面朝向第一孔的中心进一步突出。

第一凹槽可以围绕开口。第二凹槽可以围绕开口，并位于开口与第一凹槽之间。

薄膜封装层可以包括顺序堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。第一无机封装层可以覆盖第一凹槽和第二凹槽中的每个凹槽的内表面。

平坦化层的一部分可以与有机封装层叠置。

第二无机封装层的一部分可以与第一无机封装层直接接触。

平坦化层或有机封装层可以至少部分地填充第二凹槽。

阻挡层可以设置在平坦化层上。

阻挡层可以在开口周围与无机封装层直接接触。

阻挡层可以包括金属层和无机绝缘层中的至少一者。

附加平坦化层可以设置在阻挡层上。

输入感测层可以设置在显示区域中，并且包括第一感测电极和第二感测电极。

输入感测层可以包括覆盖第一感测电极和第二感测电极的有机绝缘层。平坦化层包括与有机绝缘层的材料相同的材料。

下阻挡层可以设置在平坦化层与薄膜封装层之间。

下阻挡层可以与无机封装层直接接触。

下阻挡层可以包括金属层和无机绝缘层中的至少一者。

下阻挡层可以至少覆盖第二凹槽。

第三凹槽可以设置在开口与第二凹槽之间。

下阻挡层可以覆盖第二凹槽和第三凹槽。

输入感测层可以设置在显示元件层上，并且包括无机材料。

下阻挡层可以包括与输入感测层的无机材料相同的材料。

根据一个或更多个实施例，显示面板包括：基底，包括开口；显示元件层，设置在基底的显示区域中；薄膜封装层，设置在显示元件层上，并包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；输入感测层，设置在显示元件层上；多个凹槽，位于基底的凹槽区域中，凹槽区域位于开口与显示区域之间；以及阻挡层，覆盖多个凹槽中的至少一个凹槽，并包括无机材料。

平坦化层可以设置在凹槽区域中。

平坦化层可以设置在第二无机封装层上。有机封装层可以设置在第二无机封装层下。

输入感测层可以包括多个层，并且阻挡层和平坦化层中的至少一者可以包括与输入感测层的多个层中的至少一个层的材料相同的材料。

多个凹槽中的每个凹槽可以具有底切结构。

基底可以包括顺序堆叠的第一基体层、第一无机层、第二基体层和第二无机层。

第二无机层可以包括多个第一孔，所述多个第一孔分别对应于所述多个凹槽中的每个凹槽。

第二基体层可以包括多个第二孔或凹进，多个第二孔或凹进分别对应于多个第一孔中的每个第一孔。第二无机层的在每个第一孔中的侧表面可以相比于第二基体层的在每个第二孔或凹进中的侧表面朝向第一孔的中心进一步突出。

多个凹槽可以包括：第一凹槽，与显示区域相邻；以及第二凹槽，比第一凹槽靠近开口，其中，有机封装层覆盖第一凹槽，并且至少部分地填充第一凹槽。

有机材料可以位于第二凹槽内部，其中，有机材料包括与有机封装层的材料相同的材料。

第二凹槽被阻挡层覆盖。

附图说明

图1是根据实施例的显示装置的透视图。

图2a至图2c是根据实施例的显示装置的剖视图。

图3是根据实施例的显示面板的平面图。

图4是显示面板的一个像素的等效电路图。

图5是根据实施例的显示面板的一部分的平面图。

图6是根据实施例的显示面板的一部分的平面图。

图7是沿图6的线vii-vii’截取的剖视图。

图8是图7的有机发光二极管的放大剖视图。

图9至图14是示出根据实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。

图15是示出根据实施例的制造显示面板的工艺的剖视图。

图16是根据实施例的显示面板的平面图。

图17是根据实施例的输入感测层的平面图。

图18a和图18b是分别示出根据实施例的输入感测层的第一导电层和第二导电层的平面图。

图18c是根据实施例的输入感测层的剖视图。

图19a和图19b是分别示出根据实施例的输入感测层的第一导电层和第二导电层的平面图。

图19c是根据实施例的输入感测层的剖视图。

图20a和图20b是分别示出根据实施例的输入感测层的第一导电层和第二导电层的平面图。

图20c是根据实施例的输入感测层的剖视图。

图21是根据实施例的显示面板的剖视图。

图22是根据实施例的显示面板的剖视图。

图23是根据实施例的显示面板的剖视图。

图24是根据实施例的显示面板的剖视图。

图25是根据实施例的制造显示面板的工艺中的开口区域和第一非显示区域的剖视图。

图26是图25的变型实施例的剖视图。

图27是根据实施例的制造显示面板的工艺中的开口区域和第一非显示区域的剖视图。

图28是图27的部分xxviii的放大图。

图29是根据实施例的制造显示面板的工艺中的开口区域和第一非显示区域的剖视图。

图30是图29的部分xxx的放大图。

图31是根据实施例的制造显示面板的工艺中的开口区域和第一非显示区域的剖视图。

图32是根据实施例的显示面板中的下阻挡层的平面图。

图33是根据实施例的显示面板中的下阻挡层的平面图。

图34是根据实施例的显示面板中的下阻挡层的平面图。

图35是根据实施例的显示面板的第一非显示区域的剖视图。

图36是图35的部分xxxvi的放大图。

图37是根据实施例的显示面板的一部分的平面图。

图38是沿图37的线xxxviii-xxxviii’截取的剖视图。

图39是根据实施例的显示面板的剖视图。

图40是根据实施例在显示装置的第二凹槽中的下阻挡层的结构的放大剖视图。

图41是根据实施例的显示面板的剖视图。

图42是根据实施例的显示面板的剖视图。

图43是根据实施例的显示面板的剖视图。

图44是根据实施例的显示面板的开口区域和第一非显示区域的剖视图。

图45是根据实施例的显示面板的开口区域和第一非显示区域的剖视图。

图46a和图46b是图45的第三凹槽的放大图。

图47是根据实施例的显示面板的开口区域和第一非显示区域的剖视图。

图48是根据实施例的显示面板的开口区域和第一非显示区域的剖视图。

图49a是根据实施例的显示面板的剖视图。

图49b是根据实施例的显示面板的剖视图。

图50是图49a和图49b的部分“a”的放大图。

图51是根据实施例的显示面板的平面图。

图52是图51的开口区域的放大平面图。

图53是根据实施例的显示面板的平面图。

图54是图53的开口区域的放大平面图。

具体实施方式

由于公开允许各种改变和多种实施例，所以将在附图中示出并在书面描述中详细描述示例性实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，而不应该被解释为局限于在此所阐述的示例性实施例。

在下文中，将参照附图更充分地描述公开，附图中示出了公开的示例性实施例。当参照附图进行描述时，附图中的同样的附图标记可以表示同样或对应的元件，并且将省略其重复描述。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件上时，该层、区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接连接到”所述另一层、区域或组件，或者可以“间接连接到”所述层、区域或组件且其它层、区域或组件置于它们之间。

在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(者/种)”表示仅a、仅b、仅c、a和b、a和c、b和c、所有a、b和c或者它们的变型。

图1是根据实施例的显示装置1的透视图。

参照图1，根据实施例，显示装置1包括第一区域oa、第二区域da和第三区域nda。第二区域da是发光的显示区域da，第三区域nda是不发光的非显示区域nda。在下文中，为了便于描述，将把第二区域da描述为显示区域da，并且将把第三区域nda描述为非显示区域nda。非显示区域nda与显示区域da相邻。显示装置1利用从布置在显示装置1的显示区域da中的多个像素发射的光来显示图像。

根据实施例，显示装置1的第一区域oa至少部分地被显示区域da围绕。图1示出了第一区域oa完全被显示区域da围绕。非显示区域nda包括：第一非显示区域nda1，位于第一区域oa与显示区域da之间；以及第二非显示区域nda2，围绕显示区域da。第一非显示区域nda1可以完全围绕第一区域oa，显示区域da可以完全围绕第一非显示区域nda1，第二非显示区域nda2可以完全围绕显示区域da。

虽然下面示例性地描述了有机发光显示装置作为根据实施例的显示装置1，但实施例不局限于此。在其他实施例中，显示装置可以是例如无机发光显示器或量子点发光显示器。

图2a至图2c是根据实施例的显示装置1的剖视图，并且对应于沿图1的线ii-ii’截取的显示装置1的剖视图。

参照图2a，根据实施例，显示装置1包括显示面板10和位于显示面板10的第一区域oa中的组件20。

根据实施例，显示面板10包括：基底100；显示元件层200，包括显示元件，并且设置在基底100上；薄膜封装层300，覆盖显示元件层200；以及输入感测层400，位于薄膜封装层300上，并感测触摸输入。此外，还可以在输入感测层400上设置各种其他元件，诸如防反射构件(包括偏振器、延迟器、滤色器和黑矩阵)或透明窗。

根据实施例，基底100包括聚合物树脂。聚合物树脂基底100比玻璃基底柔韧。聚合物树脂可以是透明聚合物树脂。除了聚合物树脂之外，基底100还可以包括包含sinx和/或siox的单个无机层或多个无机层作为防止外部异物的渗透的阻挡层。

根据实施例，显示元件层200包括设置在显示区域da中的显示元件。例如，显示元件包括有机发光二极管。此外，显示元件层200包括与显示元件连接的薄膜晶体管、存储电容器和布线。

根据实施例，薄膜封装层300通过覆盖显示元件层200来防止外部湿气或污染物渗透到显示元件层200中。薄膜封装层300包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。

根据实施例，薄膜封装层300在显示区域da中覆盖显示元件，并延伸到非显示区域nda中。关于这一点，图2a示出了薄膜封装层300延伸到第一非显示区域nda1中。

根据实施例，输入感测层400设置在显示区域da中。输入感测层400可以获得诸如与触摸事件对应的坐标信息的外部输入。输入感测层400包括感测电极或触摸电极以及与感测电极或触摸电极连接的迹线。

根据实施例，可以在形成下面描述的平坦化层610的工艺之后连续地执行或者可以在形成薄膜封装层300的工艺之后连续地执行形成输入感测层400的工艺。因此，不需要在输入感测层400与薄膜封装层300之间或者在输入感测层400与平坦化层610之间设置粘合构件。

根据实施例，平坦化层610设置在第一非显示区域nda1中。平坦化层610包括有机绝缘材料。平坦化层610可以包括光致抗蚀剂(诸如，负性光致抗蚀剂或正性光致抗蚀剂)，或者包括与薄膜封装层300的有机封装层的材料相同的材料，或者包括与下面描述的输入感测层400的一个绝缘层的材料相同的材料，或者包括各种其他类型的有机绝缘材料。

根据实施例，如图2a中所示，显示面板10包括从显示面板10的顶表面穿过或穿透到显示面板10的底表面的开口10h。开口10h可以对应于第一区域oa。基底100、显示元件层200、薄膜封装层300、输入感测层400和平坦化层610分别包括与第一区域oa对应的第一开口100h、第二开口200h、第三开口300h、第四开口400h和第五开口610h。第一开口100h从基底100的顶表面穿过或穿透到基底100的底表面，第二开口200h从显示元件层200的最下层穿过或穿透到显示元件层200的最上层，第三开口300h穿过或穿透薄膜封装层300。第四开口400h从输入感测层400的最下层穿过或穿透到输入感测层400的最上层，第五开口610h从平坦化层610的顶表面穿过或穿透到平坦化层610的底表面。第一区域oa可以被理解为其中定位有至少一个开口(诸如第一开口100h、第二开口200h、第三开口300h、第四开口400h、第五开口610h或开口10h)的开口区域oa。在下文中，为了便于描述，将第一区域oa描述为开口区域oa。

根据实施例，开口区域oa是其中设置有组件20的位置。如图2a中所示，组件20位于显示面板10下方。可选地，如图2b中所示，组件20可以设置在开口10h内部，使得组件20与显示面板10的开口10h的侧表面叠置。

根据实施例，组件20包括电子元件。例如，组件20可以是利用光或声音的电子元件。电子元件可以检测或产生光或声音。例如，电子元件是诸如产生和接收红外光的红外传感器的传感器、接收光并捕获图像的相机、输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯、麦克风或输出声音的扬声器。利用光的电子元件可以使用各种波段的光，诸如可见光、红外光或紫外光。在实施例中，开口区域oa可以是从组件20输出或由组件20接收的光或声音可以穿过其传播或穿过其的透射区域。

在实施例中，当显示面板10是智能手表或汽车仪表板的一部分时，组件20可以是包括时钟指针或指示预定信息(诸如车辆速度等)的仪表指针的构件。组件20可以如图2a或图2b中所示设置在与显示面板10的开口10h对应的位置处，并且可以包括与显示面板10的功能相关的元件或者诸如改善显示面板10的外观的附件的元件。

根据实施例，如图2a和图2b中所示，基底100包括对应于开口区域oa的第一开口100h。在其他实施例中，如图2c中所示，基底100不包括第一开口100h。如由虚线所示出的，组件20可以设置在显示面板10下方，或者如由实线所示出的，组件20可以设置在显示面板10的开口10h内部。设置在显示面板10下方的组件20可以是利用光的电子元件。在这种情况下，显示面板10的开口区域oa的透光率为至少大约50％、至少大约70％、至少大约75％、至少大约80％、至少大约85％或至少大约90％。

根据实施例，如参照图2a至图2c所描述的，基底100可以包括或可以不包括第一开口100h。当基底100包括第一开口100h时，基底100可以在不脱离关于组件20的类型和位置的限制的情况下被不同地使用。在下文中，为了便于描述，虽然描述了包括包含第一开口100h的基底100的显示面板10，但是下面描述的特征可以并入到图2c中示出的显示面板10中。

图3是根据实施例的显示面板10的平面图，图4是显示面板10的一个像素p的等效电路图。

参照图3，根据实施例，显示面板10包括显示区域da、第一非显示区域nda1和第二非显示区域nda2。图3示出了显示面板10的基底100。例如，基底100包括开口区域oa、显示区域da以及第一非显示区域nda1和第二非显示区域nda2。

根据实施例，显示面板10包括布置在显示区域da中的多个像素p。每个像素p包括有机发光二极管oled。每个像素p可以通过有机发光二极管oled发射例如红光、绿光、蓝光或白光。

参照图4，根据实施例，每个像素p包括像素电路pc和作为连接到像素电路pc的显示元件的有机发光二极管oled。像素电路pc包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和存储电容器cst。

根据实施例，第二薄膜晶体管t2是开关薄膜晶体管。第二薄膜晶体管t2连接到扫描线sl和数据线dl，并且根据从扫描线sl接收的开关电压将从数据线dl接收的数据电压传输到第一薄膜晶体管t1。存储电容器cst连接到第二薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且存储与从第二薄膜晶体管t2接收的电压和通过驱动电压线pl接收的第一电源电压elvdd之间的差对应的电压。

根据实施例，第一薄膜晶体管t1是驱动薄膜晶体管。第一薄膜晶体管t1连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且基于存储在存储电容器cst中的电压来控制从驱动电压线pl流过有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled利用驱动电流发射具有预定亮度的光。有机发光二极管oled的对电极(诸如阴极)接收第二电源电压elvss。

根据实施例，虽然图4示出了包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的像素电路pc，但本公开的实施例不局限于此。薄膜晶体管和存储电容器的数量可以根据像素电路pc的设计而变化。

再次参照图3，根据实施例，第一非显示区域nda1围绕开口区域oa。第一非显示区域nda1是其中没有设置诸如有机发光二极管oled的显示元件的区域。将信号传输到开口区域oa周围的像素p的信号线可以延伸穿过第一非显示区域nda1，或者可以在第一非显示区域nda1中形成下面描述的凹槽。向每个像素p提供扫描信号的扫描驱动器1100、向每个像素p提供数据信号的数据驱动器1200以及提供第一电源电压elvdd和第二电源电压elvss的主电源布线设置在第二非显示区域nda2中。可选地，数据驱动器1200可以设置在柔性印刷电路板(fpcb)上，柔性印刷电路板(fpcb)连接到设置在显示面板10的一侧上的垫(pad，或称为“焊盘”或“垫盘”)。

图5是根据实施例的显示面板10的一部分的平面图，并且示出了位于第一非显示区域nda1中的信号线。

参照图5，根据实施例，像素p设置在开口区域oa周围的显示区域da中。第一非显示区域nda1位于开口区域oa与显示区域da之间。

根据实施例，像素p彼此且相对于开口区域oa间隔开。在平面图中，像素p彼此且相对于开口区域oa竖直地间隔开，并且彼此且相对于开口区域oa水平地间隔开。

根据实施例，将信号传输到像素p的且与开口区域oa相邻的信号线绕过开口区域oa。延伸穿过显示区域da的数据线dl中的一些在y方向上延伸以将数据信号传输到设置在开口区域oa周围的像素p，并且在第一非显示区域nda1中沿开口区域oa的边缘绕行。延伸穿过显示区域da的扫描线sl中的一些在x方向上延伸以将扫描信号传输到设置在开口区域oa周围的像素p，并且在第一非显示区域nda1中沿开口区域oa的边缘绕行。

图6是根据实施例的显示面板10的一部分的平面图，并且示出了位于第一非显示区域nda1中的凹槽。

根据实施例，在开口区域oa与显示区域da之间形成至少一个凹槽。关于这一点，图6示出了第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3形成在开口区域oa与显示区域da之间。然而，实施例不局限于此，并且在其他实施例中，可以在第一非显示区域nda1中形成多于3个的凹槽或少于3个的凹槽。

根据实施例，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3是同心圆，该同心圆具有在第一非显示区域nda1中完全围绕开口区域oa的环形形状。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个的直径大于开口区域oa的直径，并且第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3彼此间隔开预定间隔。

根据实施例，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的至少两个的宽度彼此不同。关于这一点，图6示出了第三凹槽g3的宽度大于第一凹槽g1的宽度和第二凹槽g2的宽度。然而，实施例不局限于此，并且在其他实施例中，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的至少两个的宽度可以相同。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的至少两个的突出尖端之间的宽度相同。下面将描述第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个的突出尖端。

参照图5和图6，根据实施例，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3比绕过开口区域oa的信号线靠近开口区域oa。

图7是根据实施例的显示面板10的剖视图，并且对应于沿图6的线vii-vii’截取的剖面，图8是图7的有机发光二极管oled的放大剖视图。图7示出了开口区域oa、第一非显示区域nda1以及显示区域da。图7示出了基底100包括开口区域oa的第一开口100h。在下文中，开口区域oa可以指显示面板10的开口10h或基底100的第一开口100h。

首先，描述图7的显示区域da。

根据实施例，基底100包括聚合物树脂。基底100包括包含聚合物树脂的基体层和无机层。例如，基底100包括第一基体层101、第一无机层102、第二基体层103和第二无机层104。

根据实施例，第一基体层101和第二基体层103中的每个包括聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103中的每个包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(pes)、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或乙酸丙酸纤维素(cap)。聚合物树脂是透明的。

根据实施例，第一无机层102和第二无机层104中的每个是防止外部异物的渗透的阻挡层，并且可以是包括诸如sinx或siox的无机材料的单层或多层。

根据实施例，设置在基底100上的显示元件层200包括显示元件、各自连接到对应的显示元件的像素电路、缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、有机绝缘层209和像素电极221。根据实施例，防止杂质渗透到薄膜晶体管tft的半导体层act中的缓冲层201设置在基底100上。缓冲层201包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料。缓冲层201可以是包括所述无机绝缘材料的单层或多层。在实施例中，基底100的第二无机层104是多层缓冲层201的部分层或子层。

根据实施例，包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst的像素电路pc(见图4)设置在缓冲层201上方。薄膜晶体管tft包括半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de。图7中示出的薄膜晶体管tft对应于参照图4描述的驱动薄膜晶体管t1。在本实施例中，虽然图7示出了其中栅电极ge设置在半导体层act上方且栅极绝缘层203置于它们之间的顶栅型薄膜晶体管，但是根据其他实施例，薄膜晶体管tft是底栅型薄膜晶体管。

根据实施例，半导体层act包括多晶硅。可选地，在其他实施例中，半导体层act可以包括无机半导体(诸如非晶硅或氧化物半导体)或有机半导体。栅电极ge包括低电阻金属。栅电极ge包括导电材料(诸如mo、al、cu或ti)，并且可以是包括上述材料的单层或多层(多重结构)。

根据实施例，栅极绝缘层203设置在半导体层act与栅电极ge之间。栅极绝缘层203包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。栅极绝缘层203可以是包括上述材料的单层或多层。

根据实施例，源电极se和漏电极de都包括导电材料。源电极se和漏电极de包括诸如mo、al、cu或ti或者它们的混合物的导电材料。源电极se和漏电极de可以是包括上述材料的单层或多层。在实施例中，源电极se和漏电极de包括包含ti/al/ti的多层。

根据实施例，存储电容器cst包括彼此叠置的下电极ce1和上电极ce2，第一层间绝缘层205置于下电极ce1与上电极ce2之间。存储电容器cst与薄膜晶体管tft叠置。关于这一点，图7示出了薄膜晶体管tft的栅电极ge用作存储电容器cst的下电极ce1。然而，在其他实施例中，存储电容器cst不与薄膜晶体管tft叠置。存储电容器cst被第二层间绝缘层207覆盖。

根据实施例，第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以均为包括上述材料的单层或多层。

根据实施例，包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst的像素电路pc被有机绝缘层209覆盖。有机绝缘层209是平坦化绝缘层。有机绝缘层包括有机绝缘材料，有机绝缘材料包括：通用聚合物，诸如酰亚胺类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)；或者具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。在实施例中，有机绝缘层209包括聚酰亚胺。

根据实施例，有机发光二极管oled设置在有机绝缘层209上。有机发光二极管oled的像素电极221设置在有机绝缘层209上，并通过有机绝缘层209中的接触孔与像素电路pc连接。

根据实施例，像素电极221包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)。在其他实施例中，像素电极221包括包含ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或它们的混合物的反射层。在其他实施例中，像素电极221还包括位于反射层上或下的包括ito、izo、zno或in2o3的层。

根据实施例，像素限定层211包括暴露像素电极221的顶表面的开口，并且覆盖像素电极221的边缘。像素限定层211包括有机绝缘材料。然而，在其他实施例中，像素限定层211可以包括无机绝缘材料或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。

根据实施例，包括发射层222b的中间层222设置在像素电极221和像素限定层211上。发射层222b包括发射预定颜色的光的聚合物或低分子有机材料。在实施例中，如图8中所示，中间层222包括位于发射层222b下的第一功能层222a和位于发射层222b上方的第二功能层222c。

根据实施例，第一功能层222a可以是单层或者包括多层。例如，当第一功能层222a包括聚合物材料时，第一功能层222a是具有单层结构的空穴传输层(htl)，并且包括聚-(3,4)-乙撑-二氧噻吩(pedot)或聚苯胺(pani)。当第一功能层222a包括低分子有机材料时，第一功能层222a包括空穴注入层(hil)和htl。

根据实施例，第二功能层222c是可选的。例如，当第一功能层222a和发射层222b包括聚合物材料时，第二功能层222c被设置为改善有机发光二极管oled的特性。第二功能层222c可以是单层或者包括多层。第二功能层222c包括电子传输层(etl)或电子注入层(eil)。

根据实施例，构成中间层222的多个层中的一些层(诸如功能层)不仅设置在显示区域da中而且设置在第一非显示区域nda1中，并且在第一非显示区域nda1中被下面描述的第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3分开。

根据实施例，对电极223被设置为面对像素电极221，中间层222置于对电极223与像素电极221之间。对电极223包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极223包括(半)透明层，(半)透明层包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca或它们的合金。然而，在其他实施例中，对电极223还包括位于包括上述材料的(半)透明层上的包括ito、izo或in2o3的层。

根据实施例，有机发光二极管oled被薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。图7示出了薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及位于第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。然而，在其他实施例中，可以改变有机封装层和无机封装层的数量以及堆叠顺序。

根据实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330包括一种或更多种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，并且可以通过化学气相沉积(cvd)等形成。有机封装层320包括聚合物类材料。聚合物类材料包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺或聚乙烯。

根据实施例，输入感测层400设置在薄膜封装层300上。输入感测层400获得对应于外部输入(诸如触摸事件)的坐标信息。由于输入感测层400设置为直接形成在包括薄膜封装层300的基底100上方，因此与薄膜封装层300接触，所以可以省略诸如使输入感测层400结合到薄膜封装层300的粘合层的附加构件。输入感测层400包括感测电极或触摸电极以及连接到感测电极或触摸电极的迹线。输入感测层400包括第一导电层410和第二导电层420以及第一绝缘层401、第二绝缘层403和第三绝缘层405。第一导电层410和第二导电层420中的至少一个包括感测电极。关于这一点，下面参照图17至图20c来描述输入感测层400的具体结构。

接下来，描述图7的第一非显示区域nda1。

参照图7的第一非显示区域nda1，根据实施例，第一非显示区域nda1包括：第一子非显示区域snda1，距开口区域oa相对远；以及第二子非显示区域snda2，相对靠近开口区域oa。

根据实施例，第一子非显示区域snda1是信号线延伸穿过的区域。图7中的数据线dl与参照图5描述的绕过开口区域oa的数据线dl对应，第一子非显示区域snda1是信号线延伸穿过的布线区域。数据线dl交替地设置在不同的层上且其间具有绝缘层，或者设置在同一绝缘层上。当相邻数据线dl分别设置在位于它们之间的绝缘层(诸如第二层间绝缘层207)上和下时，可以减小相邻数据线dl之间的间隙或间距，并且可以减小第一非显示区域nda1的宽度。虽然图7示出了延伸穿过第一子非显示区域snda1的数据线dl，但是参照图5描述的绕过开口区域oa的扫描线sl也延伸穿过第一子非显示区域snda1。

根据实施例，第二子非显示区域snda2是其中形成有凹槽的凹槽区域。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3形成在第二子非显示区域snda2中。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个具有底切结构。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3通过包括无机层和有机层的多个层来形成。例如，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3通过去除包括多个层的基底100的一部分来形成。

根据实施例，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3通过对第二基体层103和位于第二基体层103上的第二无机层104进行蚀刻来形成。关于这一点，图7示出了第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3通过去除第二基体层103和第二无机层104的一部分来形成。参照图7，第二无机层104上方的缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207也被去除，并且构成第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个的一部分。

根据实施例，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个具有底切结构。详细地，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的至少部分地穿透第二基体层103的部分的宽度大于第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的穿透诸如第二无机层104或缓冲层201的无机绝缘层的部分的宽度。中间层222和对电极223的部分被第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的底切结构分开。

根据实施例，薄膜封装层300的第一无机封装层310覆盖第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的内表面。有机封装层320覆盖第一凹槽g1并且至少部分地填充第一凹槽g1的一部分。有机封装层320通过在基底100上方涂覆单体并使单体硬化来形成。为了控制单体的流动并确保单体的厚度，在第一凹槽g1与第二凹槽g2之间设置分隔壁500。分隔壁500具有包括第一子壁部510和第二子壁部520的堆叠结构，第一子壁部510和第二子壁部520中的每个包括有机绝缘层。有机封装层320的边缘320e与开口区域oa或基底100的边缘100e间隔开预定间隔。第二无机封装层330设置在有机封装层320上并覆盖第二凹槽g2和第三凹槽g3的内表面。第二无机封装层330在第二凹槽g2和第三凹槽g3中与第一无机封装层310直接接触。

根据实施例，平坦化层610设置在第二子非显示区域snda2中，并覆盖至少一个凹槽。平坦化层610覆盖第二凹槽g2和第三凹槽g3，并且至少部分地填充第二凹槽g2和第三凹槽g3中的至少一个。如图7中所示，平坦化层610至少部分地填充第二凹槽g2的在第二无机封装层330上方的内部空间。平坦化层610通过至少覆盖第二子非显示区域snda2的未被有机封装层320覆盖的区域来增加显示面板10的在开口区域oa周围的平坦度。

根据实施例，平坦化层610包括有机绝缘材料。平坦化层610通过第二无机封装层330在空间上与有机封装层320分开。例如，当平坦化层610设置在第二无机封装层330上，并且有机封装层320设置在第二无机封装层330下时，有机封装层320和平坦化层610在空间上彼此分开。有机封装层320不与平坦化层610直接接触。平坦化层610具有例如至少大约5μm的厚度。

根据实施例，平坦化层610的一部分与有机封装层320叠置。平坦化层610的第一边缘610e1在有机封装层320上方延伸，并且与有机封装层320叠置。平坦化层610的第二边缘610e2与开口区域oa或基底100的边缘100e间隔开预定间隔。因此，将在下面描述的阻挡层620的第二边缘620e2在与开口10h相邻的区域中与第二无机封装层330直接接触。平坦化层610可以防止在制造显示面板10的工艺期间在第一非显示区域nda1中的绝缘层和金属层或导电层中的裂纹、浮动和剥离的发生，或者使在制造显示面板10的工艺期间在第一非显示区域nda1中的绝缘层和金属层或导电层中的裂纹、浮动和剥离的出现最小化。平坦化层610被阻挡层620覆盖。

根据实施例，阻挡层620设置在第一非显示区域nda1中，并且覆盖平坦化层610。阻挡层620覆盖平坦化层610的顶表面和侧表面。如图7中所示，阻挡层620的第一边缘620e1与平坦化层610的第一边缘610e1位于同一条竖直线上。然而，在其他实施例中，阻挡层620的第一边缘620e1在第二无机封装层330的顶表面上方延伸超过平坦化层610的边缘并与第二无机封装层330接触。阻挡层620的第二边缘620e2与基底100的边缘100e位于同一条竖直线上。

根据实施例，阻挡层620包括无机材料，诸如无机绝缘材料或金属。在实施例中，阻挡层620包括与包括在输入感测层400中的无机绝缘层或金属层的材料相同的材料。例如，阻挡层620包括第一子阻挡层621、第二子阻挡层622、第三子阻挡层623和第四子阻挡层624。第一子阻挡层621和第三子阻挡层623可以分别包括与输入感测层400的第一绝缘层401和第二绝缘层403的材料相同的材料。在这种情况下，与图7不同，第一子阻挡层621和第三子阻挡层623分别连接到输入感测层400的第一绝缘层401和第二绝缘层403作为一体。第二子阻挡层622和第四子阻挡层624分别包括与输入感测层400的第一导电层410和第二导电层420的材料相同的材料，但不与第一导电层410和第二导电层420连接，而是彼此间隔开。虽然图7示出了阻挡层620包括第一子阻挡层621、第二子阻挡层622、第三子阻挡层623和第四子阻挡层624，但本公开的实施例不局限于此。阻挡层620可以是单层或具有两层或三层。例如，阻挡层620包括第一子阻挡层621、第二子阻挡层622、第三子阻挡层623和第四子阻挡层624中的至少一个。

图9至图14是示出根据实施例在制造显示面板10的工艺中开口区域oa和第一非显示区域nda1的剖视图。图9是形成在图7的显示面板10中的第一凹槽g1至第三凹槽g3的剖视图，图10是示出根据另一实施例形成的第一凹槽g1至第三凹槽g3的剖视图，图11是示出在图9的显示面板10上方形成的中间层至薄膜封装层的剖视图，图12和图13是示出在图11的工艺之后形成平坦化层610和阻挡层620的剖视图，图14是示出根据另一实施例的制造显示面板10的工艺的剖视图，并且是根据另一实施例的切割工艺或划线工艺之后的状态的剖视图。图15是示出根据实施例的制造显示面板10的工艺的剖视图。图16是根据实施例的显示面板10的平面图。

参照图9，根据实施例，通过去除多层膜的一部分形成第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3。多层膜包括基底100的部分层中的至少一个。多层膜具有堆叠结构，该堆叠结构包括包含诸如聚合物树脂的有机绝缘材料的层和设置在有机绝缘材料上的包括无机绝缘材料的层。例如，包括聚合物树脂的第二基体层103和位于第二基体层103上的无机绝缘层(诸如第二无机层104或缓冲层201)对应于该多层膜。虽然在图9中第二无机层104和缓冲层201分别由单独的名称表示，但第二无机层104可以是具有多层的缓冲层201的一部分(或子层)，或者缓冲层201可以是具有多层的第二无机层104的一部分(或子层)。

根据实施例，通过去除第二基体层103的一部分和无机绝缘层的一部分来形成第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3。在实施例中，图9示出了通过蚀刻工艺去除第二基体层103和第二无机层104的部分。通过蚀刻工艺去除缓冲层201、栅极绝缘层203以及第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的部分。分开执行去除第二基体层103的一部分的蚀刻工艺和去除第二基体层103上的无机绝缘层的蚀刻工艺。分隔壁500设置在第一凹槽g1与第二凹槽g2之间，并且包括第一子壁部510和第二子壁部520，第一子壁部510包括与有机绝缘层209的材料相同的材料，第二子壁部520包括与像素限定层211的材料相同的材料。

根据实施例，第一凹槽g1的至少部分地穿透第二基体层103的部分的宽度w1大于第一凹槽g1的穿透缓冲层201和第二无机层104的部分的宽度w2。因此，第一凹槽g1具有底切结构。缓冲层201和第二无机层104的侧表面相比于第二基体层103的侧表面朝向第一凹槽g1的中心进一步突出。缓冲层201和第二无机层104的在与基底100的顶表面平行的方向上朝向第一凹槽g1的中心进一步突出的部分对应于一对突出尖端pt。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个的突出尖端pt朝向第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个的中心突出大约0.7μm至大约1.5μm。

根据实施例，像第一凹槽g1一样，第二凹槽g2和第三凹槽g3具有底切结构。第二凹槽g2的穿透到第二基体层103中的部分的宽度w1'大于第二凹槽g2的穿透缓冲层201和第二无机层104的部分的宽度w2'，第三凹槽g3的穿透到第二基体层103中的部分的宽度w1”大于第三凹槽g3的穿透缓冲层201和第二无机层104的部分的宽度w2”。同样地，第二凹槽g2和第三凹槽g3的缓冲层201和第二无机层104的侧表面相比于第二基体层103的侧表面朝向第二凹槽g2和第三凹槽g3的中心进一步突出。缓冲层201和第二无机层104的朝向第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个的中心突出的一对突出尖端pt形成底切结构。

根据实施例，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的至少两个的宽度彼此不同。凹槽的宽度表示凹槽的一对突出尖端之间的宽度。例如，第一凹槽g1的突出尖端pt之间的宽度w2小于第二凹槽g2的突出尖端pt之间的宽度w2'。第二凹槽g2的突出尖端pt之间的宽度w2'小于第三凹槽g3的突出尖端pt之间的宽度w2”。然而，实施例不局限于此，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的至少两个的突出尖端pt之间的宽度在其他实施例中可以是相同的。在其他实施例中，远离开口区域oa的凹槽的宽度小于靠近开口区域oa的凹槽的宽度。在其他实施例中，可以不同地选择第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3以及其他凹槽的宽度。例如，凹槽的宽度可以在宽和窄之间交替。

根据实施例，图9示出了第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3包括穿透诸如缓冲层201和第二无机层104的无机绝缘层的孔以及形成在第二基体层103中的凹进。分别形成在第二基体层103中的凹进的深度h1、h2和h3小于第二基体层103的厚度t。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的底表面对应于第二基体层103的顶表面与底表面之间的虚设表面。

在其他实施例中，如图10中所示，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个包括穿透诸如缓冲层201和第二无机层104的无机绝缘层的孔以及穿透第二基体层103的孔。分别形成在第二基体层103中的孔的深度h1'、h2'和h3'基本等于第二基体层103的厚度t。因此，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的底表面对应于第二基体层103的底表面。凹进的深度h1、h2和h3或孔的深度h1'、h2'和h3'为至少大约2μm。

在下文中，为了便于描述，主要描述图9中示出的其中第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的底表面位于第二基体层103的顶表面与底表面之间的结构，然而，第二基体层103可以在下面描述的实施例和从其衍生的实施例中具有参照图10描述的结构。

参照图11，根据实施例，在包括第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的基底100上方形成中间层222和对电极223。可以通过热沉积等形成中间层222和对电极223。中间层222(诸如第一功能层222a和第二功能层222c)和对电极223的部分可以在显示区域da和第一非显示区域nda1中(例如，在第二凹槽g2中)形成为一体。第一功能层222a和第二功能层222c在第一非显示区域nda1中被第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的底切结构分开。同样地，对电极223也在第一非显示区域nda1中被第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3分开。

根据实施例，不同于中间层222和对电极223，薄膜封装层300的第一无机封装层310具有良好的阶梯覆盖性，因此第一无机封装层310可以连续地形成而不会分开。如图11中所示，第一无机封装层310完全覆盖第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的内表面。构成凹槽g1、g2和g3的缓冲层201和第二无机层104的侧表面和底表面以及第二基体层103的侧表面和底表面被第一无机封装层310覆盖。第一无机封装层310覆盖定位在第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的底表面上的分开的第一功能层222a和第二功能层222c以及对电极223。

根据实施例，基底100上的包括有机材料的层会用作诸如湿气或氧的异物的传输路径。由于包括有机材料的第一功能层222a和第二功能层222c被第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3分开，所以可以防止湿气在横向(x)方向上的传播，并且可以防止有机发光二极管的损坏。

根据实施例，第一凹槽g1被有机封装层320覆盖，并且填充有机封装层320。在制造有机封装层320的工艺期间，通过第一凹槽g1与第二凹槽g2之间的分隔壁500来控制单体的流动。因为单体的流动已经被分隔壁500阻挡，所以当单体硬化时形成的有机封装层320不会延伸超过分隔壁500。有机封装层320的厚度由分隔壁500控制，并且第二凹槽g2和第三凹槽g3不被有机封装层320覆盖。

如上所述，根据实施例，第二凹槽g2和第三凹槽g3的内表面被第一无机封装层310覆盖。第一无机封装层310和第二无机封装层330在第二凹槽g2和第三凹槽g3中彼此接触。第一无机封装层310和第二无机封装层330不仅形成在显示区域da和第一非显示区域nda1中，而且形成在开口区域oa中。

参照图12，根据实施例，在薄膜封装层300上形成预平坦化层610p。预平坦化层610p包括有机材料(诸如负性光致抗蚀剂或正性光致抗蚀剂)或者聚合物类材料。预平坦化层610p覆盖第一非显示区域nda1的其中第一无机封装层310和第二无机封装层330彼此接触的区域，并且预平坦化层610p的一部分与有机封装层320叠置且第二无机封装层330置于它们之间。

参照图13，通过图案化预平坦化层610p来形成平坦化层610。例如，通过去除预平坦化层610p的与开口区域oa对应的部分来形成平坦化层610。平坦化层610覆盖第二凹槽g2和第三凹槽g3。如图13中所示，平坦化层610填充第三凹槽g3的一部分和第二凹槽g2。根据图案化预平坦化层610p的工艺，平坦化层610的第二边缘610e2的位置可以从图13中示出的位置在左右方向上改变。

之后，根据实施例，在平坦化层610上形成阻挡层620。阻挡层620是无机层，并且包括无机绝缘层或金属层。如上面参照图7所描述的，阻挡层620包括针对输入感测层400设置的至少一个层。

根据实施例，阻挡层620覆盖平坦化层610的顶表面和侧表面。阻挡层620覆盖第二无机封装层330的位于开口区域oa中和位于第一非显示区域nda1的一部分中的顶表面。阻挡层620与平坦化层610的顶表面和侧表面直接接触，并且与第二无机封装层330的顶表面直接接触。

接下来，根据实施例，当沿与开口区域oa对应的第一线scl1执行激光切割工艺或划线工艺时，如图14中所示，在基底100中形成第一开口100h。如果在切割基底100或对基底100划线的工艺期间在无机绝缘层中形成裂纹，则裂纹可能沿图14的箭头方向(“c”)传播。然而，由于第三凹槽g3的底切结构，裂纹不会朝向显示区域da进一步传播。

根据实施例，当沿图13的第一线scl1执行切割或划线工艺时，如图14中所示，第三凹槽g3具有在剖视图中在左右方向上具备突出尖端的屋檐结构。在另一实施例中，当沿如图13中所示的与第三凹槽g3叠置的第二线scl2执行切割工艺或划线工艺时，如图15所示，第三凹槽g3仅具有右突出尖端。

根据实施例，虽然根据实施例已经描述了激光切割工艺或划线工艺作为在基底100中形成第一开口100h的方法，但在其他实施例中，可以使用诸如机械抛光的其他方法。

根据实施例，参照图7至图15描述的结构围绕开口10h(即，开口区域oa)。例如，如图16中所示，开口区域oa与显示区域da之间的平坦化层610在平面图中是围绕开口区域oa的环形区域。有机封装层320覆盖第一非显示区域nda1的一部分和显示区域da，并且有机封装层320的边缘320e与开口区域oa间隔开预定间隔并与平坦化层610叠置。

图17是根据实施例的输入感测层400的平面图。

参照图17，根据实施例，输入感测层400包括设置在显示区域da中的第一感测电极sp1和第二感测电极sp2。第一感测电极sp1在x方向上间隔开，第二感测电极sp2在与x方向交叉的y方向上间隔开。第一感测电极sp1与第二感测电极sp2垂直交叉。

根据实施例，第一感测电极sp1和第二感测电极sp2被布置为使得其角部彼此相邻。第一感测电极sp1通过第一连接电极cp1彼此电连接，第二感测电极sp2通过第二连接电极cp2彼此电连接。

图18a和图18b是分别示出根据实施例的输入感测层400的第一导电层410和第二导电层420的平面图，图18c是根据实施例的输入感测层400的剖视图，并且对应于沿图17的线xvii-xvii’截取的剖面。

参照图18a和图18b，根据实施例，第一感测电极sp1和第二感测电极sp2位于同一层中。第一导电层410如图18a中所示包括第一连接电极cp1，第二导电层420如图18b中所示包括第一感测电极sp1、第二感测电极sp2和第二连接电极cp2。

根据实施例，第二感测电极sp2通过位于同一层中的第二连接电极cp2彼此连接。第一感测电极sp1在x方向上间隔开并且由位于不同层中的第一连接电极cp1连接。

参照图18c，根据实施例，第二绝缘层403设置在第一导电层410与第二导电层420之间。位于第二导电层420中的第一感测电极sp1通过第二绝缘层403中的接触孔cnt与位于第一导电层410中的第一连接电极cp1连接。第二导电层420被第三绝缘层405覆盖。第一绝缘层401设置在第一导电层410下。第一绝缘层401和第二绝缘层403是包括诸如氮化硅的无机材料的无机绝缘层，第三绝缘层405是有机绝缘层。虽然图18c示出了第一绝缘层401设置在薄膜封装层300与第一导电层410之间，但在其他实施例中，可以省略第一绝缘层401，并且第一导电层410可以直接设置在薄膜封装层300上。在其他实施例中，第一绝缘层401和第二绝缘层403是有机绝缘层。

图19a和图19b是分别示出根据实施例的输入感测层400的第一导电层410和第二导电层420的平面图，图19c是根据图19a和图19b的实施例的输入感测层400的剖视图，并且对应于沿图17的线xvii-xvii’截取的剖面。

参照图19a和图19b，根据实施例，第一导电层410包括第一感测电极sp1和连接第一感测电极sp1的第一连接电极cp1，第二导电层420包括第二感测电极sp2和连接第二感测电极sp2的第二连接电极cp2。第一导电层410还包括均与第二感测电极sp2连接的第二辅助感测电极s-sp2，第二导电层420还包括与第一感测电极sp1连接的第一辅助感测电极s-sp1。

参照图19a的放大图，根据实施例，每个第一感测电极sp1包括多个孔h。孔h与像素p的发射区域p-e叠置。此外，第二感测电极sp2、第一辅助感测电极s-sp1和第二辅助感测电极s-sp2也包括多个孔，每个孔如图19a的放大图中所示对应于像素p的发射区域p-e。

参照图19c，根据实施例，第一辅助感测电极s-sp1通过第二绝缘层403中的接触孔cnt连接到第一感测电极sp1。通过这种结构，可以减小第一感测电极sp1的电阻。同样地，第二感测电极sp2通过第二绝缘层403中的接触孔cnt连接到第二辅助感测电极s-sp2。第一绝缘层401和第二绝缘层403是无机绝缘层，第一导电层410和第二导电层420可以均是包括诸如铝或钛的金属的单层或多层。第三绝缘层405包括有机绝缘材料。

图20a和图20b是分别示出根据其他实施例的输入感测层400的第一导电层410和第二导电层420的平面图，图20c是根据图20a和图20b的实施例的输入感测层400的剖视图，并且对应于沿图17的线xvii-xvii’截取的剖面。

参照图20a和图20b，根据实施例，第一导电层410包括第一感测电极sp1和连接第一感测电极sp1的第一连接电极cp1，第二导电层420包括第二感测电极sp2和连接第二感测电极sp2的第二连接电极cp2。

参照图20c，根据实施例，第二绝缘层403'设置在第一导电层410与第二导电层420之间。第二绝缘层403'不包括单独的接触孔。第一感测电极sp1和第二感测电极sp2彼此电绝缘，且第二绝缘层403'位于它们之间。第二导电层420被第三绝缘层405'覆盖。第二绝缘层403'是有机绝缘层。在其他实施例中，第二绝缘层403'可以是有机绝缘层或无机绝缘层，或者可以包括有机绝缘层和无机绝缘层两者。

图21是根据另一实施例的显示面板10的剖视图，并且对应于沿图6的线vii-vii’截取的剖面。图21的显示面板10与参照图7描述的显示面板10的不同之处在于：在第一非显示区域nda1中形成有四个或更多个凹槽。关于这一点，虽然图21示出了一个第四凹槽g4位于第二凹槽g2与第三凹槽g3之间，但实施例不局限于此，而是在第二凹槽g2与第三凹槽g3之间可以定位一个或更多个第四凹槽g4。例如，第四凹槽g4上的堆叠结构可以与第二凹槽g2上的堆叠结构相同。

根据实施例，参照图21描述的凹槽的数量及其结构不仅可以并入上述实施例中，而且可以并入下面描述的实施例和由其衍生的实施例中。

图22是根据其他实施例的显示面板10的剖视图，并且对应于沿图6的线vii-vii’截取的剖面。虽然参照图7描述的显示面板10示出了其中平坦化层610的第二边缘610e2与开口区域oa(诸如基底100的边缘100e)间隔开预定间隔的结构，但平坦化层610的第二边缘610e2的位置如图22中所示变化。

参照图22，根据实施例，平坦化层610的第二边缘610e2与基底100的边缘100e位于同一条竖直线上。换言之，平坦化层610的侧表面与边缘100e位于同一条竖直线上。

根据实施例，当省略参照图9至图15描述的图案化预平坦化层610p的工艺时，如图22中所示，平坦化层610的侧表面暴露于开口10h而不被阻挡层620覆盖。

根据实施例，由于平坦化层610的侧表面暴露于开口10h，所以通过作为有机绝缘层的平坦化层610引入的湿气会在横向(x)方向上朝向显示区域da传播。然而，由于第二无机封装层330设置在平坦化层610与有机封装层320之间，所以可以防止湿气朝向显示区域da传播超过第二无机封装层330。

参照图22描述的平坦化层610的结构不仅可以并入上述实施例中，而且可以并入下面描述的实施例和由其衍生的实施例中。

图23是根据其他实施例的显示面板10的剖视图，并且对应于沿图6的线vii-vii’截取的剖面。

参照图23，根据实施例，在第一凹槽g1与显示区域da之间还设置有分隔壁500a。在下文中，为了易于描述，第一凹槽g1与第二凹槽g2之间的分隔壁500被称为第一分隔壁500，第一凹槽g1与显示区域da之间的分隔壁500a被称为第二分隔壁500a。

根据实施例，第二分隔壁500a包括有机绝缘材料。例如，第二分隔壁500a包括与像素限定层211的材料相同的材料。在实施例中，第二分隔壁500a与绕过开口区域oa的信号线(诸如数据线dl)叠置。

根据实施例，在制造有机封装层320的工艺中，单体的流动被第二分隔壁500a阻挡。在这种情况下，有机封装层320的边缘与第二分隔壁500a的内表面相邻，并且有机封装层320不覆盖第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g。第一无机封装层310和第二无机封装层330在第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g中彼此接触。

根据实施例，参照图23描述的平坦化层610的结构不仅可以并入上述实施例中，而且可以并入下面描述的实施例和由其衍生的实施例中。

图24是根据其他实施例的显示面板10的剖视图，并且对应于沿图6的线vii-vii’截取的剖面。图24示出了开口区域oa、在开口区域oa周围的第一非显示区域nda1和显示区域da。基底100包括与开口区域oa对应的第一开口100h。在下文中，开口区域oa可以指显示面板10的开口10h或基底100的第一开口100h。由于图24的显示区域da的结构与参照图7描述的结构相同，所以下面主要描述第一非显示区域nda1。

根据实施例，参照图24，第一非显示区域nda1包括：第一子非显示区域snda1，距开口区域oa相对远；以及第二子非显示区域snda2，相对靠近开口区域oa。

根据实施例，第一子非显示区域snda1是信号线延伸穿过其的区域。图24的数据线dl与参照图5描述的绕过开口区域oa的数据线dl对应。如图24中所示，数据线dl交替地设置且其间具有绝缘层。然而，实施例不局限于此，在其他实施例中，数据线dl设置在同一绝缘层上。当相邻/邻近数据线dl分别设置在插置在它们之间的绝缘层(诸如第二层间绝缘层207)上和下时，可以减小相邻数据线dl之间的间隙，并且可以减小第一非显示区域nda1的宽度。此外，类似于图24的第一子非显示区域snda1中的数据线dl，参照图5描述的绕过开口区域oa的扫描线sl也可以延伸穿过第一子非显示区域snda1。

根据实施例，第二子非显示区域snda2是其中布置有凹槽的区域。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3形成在第二子非显示区域snda2中。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个具有底切结构。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3形成为包括无机层和有机层的多层结构。例如，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3通过去除包括多个层的基底100的一部分来形成。

根据实施例，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3通过对基底100的第二基体层103和位于第二基体层103上的第二无机层104进行蚀刻来形成。关于这一点，图24示出了第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3通过去除第二基体层103的一部分和第二无机层104的一部分来形成。在实施例中，第二无机层104上的缓冲层201、栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207被去除，以形成第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的一部分。

根据实施例，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个具有底切结构。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个具有如下的底切结构：至少部分地穿透第二基体层103的部分的宽度大于穿透诸如第二无机层104或缓冲层201的无机绝缘层的部分的宽度。中间层222(诸如第一功能层222a和第二功能层222c)和对电极223的部分被第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的底切结构分开。

根据实施例，薄膜封装层300的第一无机封装层310覆盖第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的内表面。有机封装层320覆盖第一无机封装层310上的第一凹槽g1，并填充第一无机封装层310上的第一凹槽g1。有机封装层320通过在基底100上方涂覆单体然后使单体硬化来形成。为了控制单体的流动并确保单体的厚度，在第一凹槽g1与第二凹槽g2之间设置分隔壁500。分隔壁500包括有机绝缘材料，并且例如具有包括第一子壁部510和第二子壁部520的堆叠结构。

根据实施例，有机封装层320的边缘320e与开口区域oa或基底100的边缘100e间隔开预定间隔。在实施例中，在形成有机封装层320的工艺期间，有机封装层320的材料存在于第二凹槽g2中。关于这一点，图24示出了有机材料部320m存在于第二凹槽g2中。

根据实施例，第二无机封装层330设置在有机封装层320上，并且覆盖第二凹槽g2和第三凹槽g3的内表面。第二无机封装层330在第二凹槽g2和第三凹槽g3中与第一无机封装层310直接接触。

根据实施例，平坦化层610设置在第二无机封装层330的与第二凹槽g2和第三凹槽g对应的部分上。下阻挡层700设置在平坦化层610下。

根据实施例，平坦化层610设置在第二子非显示区域snda2中并覆盖至少一个凹槽。平坦化层610覆盖第二凹槽g2和第三凹槽g3，并且至少部分地填充第二凹槽g2和第三凹槽g3中的至少一个。如图24中所示，第二凹槽g2和第三凹槽g3的在第二无机封装层330上方的内部空间填充有平坦化层610。通过覆盖第二子非显示区域snda2的未被有机封装层320覆盖的区域，平坦化层610增加了显示面板10的在开口区域oa周围的平坦度。因此，当在显示面板10上形成元件时，可以防止显示面板10上的诸如防反射构件或窗的元件的不良结合、分离或浮动。

根据实施例，平坦化层610包括有机绝缘材料。平坦化层610包括负性光致抗蚀剂或正性光致抗蚀剂。在其他实施例中，平坦化层610包括与参照图18c、图19c和图20c描述的第三绝缘层405的材料相同的材料。

根据实施例，平坦化层610设置在薄膜封装层300上。平坦化层610通过第二无机封装层330在空间上与有机封装层320分开。例如，当平坦化层610设置在第二无机封装层330上，并且有机封装层320设置在第二无机封装层330下时，有机封装层320在空间上与平坦化层610分开。有机封装层320不与平坦化层610直接接触。平坦化层610具有至少大约5μm的厚度。

根据实施例，平坦化层610的一部分与有机封装层320叠置。平坦化层610的第一边缘610e1在有机封装层320上方延伸，并且与有机封装层320叠置。平坦化层610的第二边缘610e2面对开口区域oa。第二边缘610e2与基底100的边缘100e位于同一条竖直线上。

根据实施例，下阻挡层700覆盖至少一个凹槽。关于这一点，图24示出了下阻挡层700覆盖第二凹槽g2。当在制造显示面板10的工艺期间，在形成在第二凹槽g2周围的无机层(诸如第一无机封装层310和第二无机封装层330)中出现裂纹，或者无机层变得分开时，湿气会穿透裂纹或分开的部分。为了防止湿气的渗透，下阻挡层700覆盖其中在第二无机封装层330上可能出现裂纹的区域(诸如第二沟槽及其附近)。

根据实施例，下阻挡层700包括无机材料。例如，下阻挡层700包括无机绝缘层或金属层，并且可以是单层或包括多层。在实施例中，如图24中所示，下阻挡层700包括包含第一下层701、第二下层702、第三下层703和第四下层704的多个子层。下阻挡层700可以包括上面参照图18a至图20c描述的输入感测层400中包括的至少一个层。

例如，根据实施例，第一下层701、第二下层702、第三下层703和第四下层704分别包括与第一绝缘层401、第一导电层410、第二绝缘层403和第二导电层420的材料相同的材料。第一下层701和第三下层703是包括诸如氮化硅的无机绝缘材料的无机绝缘层，第二下层702和第四下层704是包括al、ti等的金属层。在实施例中，第二下层702和第四下层704具有ti/al/ti的多层。

根据实施例，当下阻挡层700包括与输入感测层400的无机材料层的材料相同的材料时，下阻挡层700在与形成输入感测层400的无机材料层的工艺相同的工艺期间形成。类似地，平坦化层610包括与输入感测层400的有机材料层的材料相同的材料，并且可以在与形成输入感测层400的有机材料层的工艺相同的工艺期间形成。

根据实施例，虽然图24示出了下阻挡层700的边缘与输入感测层400间隔开预定间隔，并且平坦化层610的边缘与输入感测层400间隔开另一预定间隔，但本公开的实施例不局限于此。下阻挡层700的第一下层701和第三下层703可以分别与输入感测层400的第一绝缘层401和第二绝缘层403连接为一体。如图24中所示，下阻挡层700的第二下层702和第四下层704与输入感测层400的第一导电层410和第二导电层420间隔开。平坦化层610可以与输入感测层400的第三绝缘层405连接为一体。

根据实施例，虽然图24示出了下阻挡层700包括四个层，但实施例不局限于此，下阻挡层700在其他实施例中可以是单层或者可以包括两个层、三个层、五个层或更多层。

图25、图26、图27、图29和图31是在实施例中根据制造显示面板10的工艺的开口区域oa和第一非显示区域nda1的剖视图。图28是图27的部分xxviii的放大图，图30是图29的部分xxx的放大图。图25是其中形成有显示面板10的第一凹槽g1至第三凹槽g3的剖视图，图26是根据另一实施例的其中形成有显示面板10的第一凹槽g1至第三凹槽g3的剖视图，图27是其中在图25的显示面板10上形成有中间层222到下阻挡层700的剖视图，图29是其中形成有平坦化层610的剖视图，图31是切割工艺或划线工艺之后的状态的剖视图。

参照图25，根据实施例，通过去除多层膜的一部分形成第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3。多层膜包括基底100的至少一个层。多层膜具有包括包含有机绝缘材料(诸如聚合物树脂)的层和设置在该层上的包括无机绝缘材料的层的堆叠结构。例如，多层膜包括：第二基体层103，包括聚合物树脂；以及无机绝缘层(诸如第二无机层104或缓冲层201)，位于第二基体层103上。虽然第二无机层104和缓冲层201(诸如图25中的第二基体层103与薄膜晶体管tft之间的无机绝缘层)分别用不同的名称表示，但根据实施例，第二无机层104可以被认为是具有多层结构的缓冲层201的子层，或者缓冲层201可以被认为是具有多层结构的第二无机层104的子层。

根据实施例，通过去除第二基体层103的一部分和位于第二基体层103上的无机绝缘层的一部分来形成第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3。图25示出了通过蚀刻工艺去除第二基体层103和第二无机层104的部分。通过蚀刻工艺还去除了缓冲层201、栅极绝缘层203以及第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207的部分。分开执行去除第二基体层103的一部分的蚀刻工艺和去除第二基体层103上的无机绝缘层的蚀刻工艺。分隔壁500设置在第一凹槽g1与第二凹槽g2之间，并且包括第一子壁部510和第二子壁部520，第一子壁部510包括与有机绝缘层209的材料相同的材料，第二子壁部520包括与像素限定层211的材料相同的材料。

根据实施例，第一凹槽g1的至少部分地穿透第二基体层103的部分的宽度w1大于第一凹槽g1的穿透缓冲层201和第二无机层104的部分的宽度w2。因此，第一凹槽g1具有底切结构。缓冲层201和第二无机层104的侧表面相比于第二基体层103的侧表面朝向第一凹槽g1的中心进一步突出。缓冲层201和第二无机层104的在与基底100的顶表面平行的方向上朝向第一凹槽g1的中心进一步突出的部分对应于一对突出尖端pt。

根据实施例，像第一凹槽g1一样，第二凹槽g2和第三凹槽g3具有底切/屋檐结构。第二凹槽g2的至少部分地穿透第二基体层103的部分的宽度w1'大于第二凹槽g2的穿透缓冲层201和第二无机层104的部分的宽度w2'，第三凹槽g3的至少部分地穿透第二基体层103的部分的宽度w1”大于第三凹槽g3的穿透缓冲层201和第二无机层104的部分的宽度w2”。同样地，缓冲层201和第二无机层104的界定第二凹槽g2和第三凹槽g3的侧表面相比于第二基体层103的侧表面朝向第二凹槽g2和第三凹槽g3的中心进一步突出，并且形成它们的突出尖端pt。缓冲层201和第二无机层104的突出尖端pt朝向第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个的中心突出大约0.7μm至大约1.5μm。

根据实施例，图25示出第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个包括穿透无机绝缘层的部分(诸如形成在缓冲层201和第二无机层104中的部分)和形成在第二基体层103中的凹进。形成在第二基体层103中的每个凹进的深度h1、h2和h3小于第二基体层103的厚度t。第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的底表面在第二基体层103的顶表面与底表面之间形成虚设表面。

在其他实施例中，如图26中所示，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中的每个包括穿透无机绝缘层的部分(诸如形成在缓冲层201和第二无机层104中的孔)和穿透第二基体层103的部分。形成在第二基体层103中的每个孔的深度h1'、h2'和h3'基本等于第二基体层103的厚度t，因此第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的底表面与第二基体层103的底表面共面。凹进的深度h1、h2和h3或孔的深度h1'、h2'和h3'为至少大约2μm。

在下文中，为了便于描述，主要描述图25的其中第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的底表面在第二基体层103的顶表面与底表面之间形成虚设表面的结构，将理解的是，第二基体层103可以在下面描述的实施例和从其衍生的实施例中具有参照图26描述的结构。

参照图27，根据实施例，在基底100以及第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3上方形成中间层222和对电极223。可以通过热沉积等形成中间层222和对电极223。

根据实施例，中间层222(诸如第一功能层222a和第二功能层222c)的部分以及对电极223的部分可以在显示区域da和第一非显示区域nda1中分别形成为一体。如图28中所示，第一功能层222a和第二功能层222c在第一非显示区域nda1中被第二凹槽g2的底切结构分开。第一功能层222a和第二功能层222c被分开，并且对电极223也被限定第二凹槽g2的底切结构的一对突出尖端pt分开。因为如图27中所示的第一凹槽g1和第二凹槽g2的底切结构，所以第一功能层222a或/和第二功能层222c以及对电极223被分开。

基底100上方的包括有机材料的层可以用作诸如湿气或氧的异物的传输路径。由于包括有机材料的第一功能层222a和第二功能层222c被第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3分开，所以可以防止湿气在横向(x)方向上的传播，并且可以防止有机发光二极管的损坏。

根据实施例，不同于中间层222和对电极223，由于薄膜封装层300的第一无机封装层310的阶梯覆盖性比第一功能层222a或第二功能层222c和对电极223的阶梯覆盖性好，所以第一无机封装层310可以连续地形成。第一无机封装层310完全且连续地覆盖第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的内表面。

根据实施例，在第一无机封装层310上形成有机封装层320。第一凹槽g1被有机封装层320覆盖，第一凹槽g1的位于第一无机封装层310上方的内部空间至少部分地填充有机封装层320。在制造有机封装层320的工艺期间，通过第一凹槽g1与第二凹槽g2之间的分隔壁500来控制单体的流动。当单体硬化时形成有机封装层320，并且单体的流动被分隔壁500阻挡，所以单体不会流动超过分隔壁500。

在实施例中，如图27和图28中所示，在制造有机封装层320的工艺期间，有机材料部320m的一部分设置在第二凹槽g2中。例如，在涂覆单体的工艺期间，单体的一部分可能落入第二凹槽g2中并被硬化以形成有机材料部320m。在另一实施例中，执行硬化单体的工艺和灰化的工艺。在这种情况下，通过灰化工艺未去除的有机材料部320m残留在第二凹槽g2中。有机材料部320m残留在第二凹槽g2的突出尖端pt结构下。有机材料部320m包括与有机封装层320的材料相同的材料。有机材料部320m与有机封装层320分开。

根据实施例，在有机封装层320上形成第二无机封装层330。在第一凹槽g1中，第一无机封装层310由于有机封装层320而不与第二无机封装层330直接接触。相反地，在第二凹槽g2和第三凹槽g3中，第一无机封装层310和第二无机封装层330彼此接触。如图27中所示，第一无机封装层310和第二无机封装层330不仅形成在第一非显示区域nda1中，而且形成在开口区域oa中。

接下来，根据实施例，在第二无机封装层330上形成下阻挡层700。下阻挡层700覆盖第一非显示区域nda1的部分(诸如第二凹槽g2)。在实施例中，如图28中所示，下阻挡层700包括包含第一下层701、第二下层702、第三下层703和第四下层704的多个层。第二凹槽g2在突出尖端pt下的在竖直(z)方向(即，垂直于基底100的顶表面的方向)上的深度h2大于第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223、第一无机封装层310、第二无机封装层330和下阻挡层700的厚度之和。

根据实施例，在第二无机封装层330上顺序地形成第一下层701、第二下层702、第三下层703和第四下层704。由于第二凹槽g2的位于突出尖端pt下的内部空间至少部分地填充有有机材料部320m，所以下阻挡层700的层连续地形成在突出尖端pt周围而不会断开。

参照图29，根据实施例，在下阻挡层700上形成平坦化层610。平坦化层610包括与参照图18a至图20c描述的输入感测层400中包括的至少一个层的有机材料相同的材料。可选地，平坦化层610可以包括负性光致抗蚀剂或正性光致抗蚀剂，或者包括与薄膜封装层300的有机封装层320的材料相同的材料。

参照图30，根据实施例，平坦化层610至少部分地填充第二凹槽g2。例如，平坦化层610至少部分地填充第二凹槽g2的位于下阻挡层700上方的内部空间。

接下来，根据实施例，当沿与开口区域oa对应的第一线scl1执行激光切割工艺或划线工艺时，如图31中所示，形成显示面板10的开口10h。通过切割工艺或划线工艺在基底100中形成第一开口100h。当在切割基底100或对基底100划线的工艺期间在无机绝缘层中形成裂纹时，裂纹可能在横向(x)方向上传播，但裂纹在第三凹槽g3或第二凹槽g2的突出尖端pt附近停止。因此，裂纹不会朝向显示区域da传播。

虽然在上述实施例中已经将激光切割工艺或划线工艺描述为在基底100中形成第一开口100h的方法，但在其他实施例中，可以使用诸如机械抛光等的各种其他方法。

图32是根据实施例的显示面板10中的下阻挡层700的平面图。在图32中，为了便于描述，省略了第一凹槽g1。

参照图32，根据实施例，下阻挡层700具有围绕开口区域oa的环形形状。下阻挡层700覆盖第二凹槽g2，并且具有大于第二凹槽g2的宽度的宽度。

根据实施例，图32中示出的第一非显示区域nda1的平面结构与参照图24至图31描述的结构相同。也就是说，参照图24至图31描述的结构围绕开口10h(即，图32中示出的开口区域oa)。例如，如图32中所示，在开口区域oa与显示区域da之间的下阻挡层700在平面图中具有围绕开口区域oa的环形形状。在实施例中，参照图24至图31描述的平坦化层610在平面图中也具有围绕开口区域oa的环形形状。此外，分隔壁500在平面图中具有围绕开口区域oa的环形形状。

图33是根据实施例的显示面板10中的下阻挡层700的平面图。像图32一样，为了便于描述，图33省略了第一凹槽g1。

参照图33，根据实施例，下阻挡层700在平面图中具有围绕开口区域oa的环形形状，并且覆盖第二凹槽g2的部分区域。例如，下阻挡层700的宽度小于第二凹槽g2的宽度。下阻挡层700覆盖第二凹槽g2的一侧，诸如如参照图28所描述的延伸到第二凹槽g2中的一对突出尖端pt中的一个(诸如图31中示出的右突出尖端pt)。

根据实施例，虽然图32和图33示出了下阻挡层700在平面图中具有封闭的弯曲形状，但本公开的实施例不局限于此。在其他实施例中，下阻挡层700在平面图中具有敞开的弯曲形状。

图34是根据实施例的显示面板10中的下阻挡层700的平面图。像图32一样，为了便于描述，图34省略了第一凹槽g1。

参照图34，根据实施例，下阻挡层700在第一非显示区域nda1中具有敞开的弯曲形状。下阻挡层700的第一端部710和第二端部720彼此间隔开。此外，图34的下阻挡层700具有包括如参照图24所描述的多个层的堆叠结构。

根据实施例，下阻挡层700的至少一个层包括导电材料。例如，下阻挡层700中的第二下层702或第四下层704可以被用作布线。例如，可以通过导电材料层的方式从第二端部720接收传输到第一端部710的预定信号。当下阻挡层700的一部分破裂时，不能从第二端部720接收信号。如上所述，下阻挡层700可以用于确定在制造显示面板10的工艺期间或在制造显示面板10之后可能发生的裂纹的发生。

根据实施例，下阻挡层700的一部分(诸如第一端部710与第二端部720之间的部分)具有如图34中示出的在圆周围缠绕的方波形状。下阻挡层700的第一部分沿第二凹槽g2的边缘延伸以围绕第二凹槽g2的一部分，下阻挡层700的第二部分在第二凹槽g2上方朝向开口区域oa的中心延伸预定间隔。第一部分和第二部分重复地布置并且在平面图中具有方波形状。

虽然上面的实施例已经被描述为具有位于第一非显示区域nda1中以覆盖第二凹槽g2的下阻挡层700，但本公开的实施例不局限于此。在其他实施例中，下阻挡层700覆盖第二凹槽g2和第三凹槽g3。

图35是根据其他实施例的显示面板10的第一非显示区域nda1的剖视图，图36是图35的部分xxxvi的放大图。

参照图35，根据实施例，由于下阻挡层700在第一非显示区域nda1中覆盖第二凹槽g2和第三凹槽g3，并且除了该结构之外，其他结构和特性与上面描述的结构和特性相同，所以下面主要描述不同之处。

根据实施例，参照图35的第一非显示区域nda1，第二凹槽g2和第三凹槽g3被下阻挡层700覆盖。下阻挡层700的一个边缘700e与基底100的边缘100e位于同一条竖直线上。第二凹槽g2上的下阻挡层700的堆叠结构与参照图28和图30描述的下阻挡层700的堆叠结构相同。

根据实施例，第一无机封装层310、第二无机封装层330和下阻挡层700顺序地形成在第三凹槽g3上。第二无机封装层330与第一无机封装层310的顶表面直接接触，下阻挡层700与第二无机封装层330的顶表面直接接触。

参照图36，根据实施例，第三凹槽g3的穿透到第二基体层103中的部分的深度h3大于第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223、第一无机封装层310、第二无机封装层330和下阻挡层700的在竖直(z)方向(垂直于基底100的顶表面的方向)上的厚度之和。第一无机封装层310和第二无机封装层330以及第一下层701和第三下层703可以通过cvd等形成，第二下层702和第四下层704可以通过诸如溅射的工艺形成。

根据实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330以及第一下层701和第三下层703完全覆盖第三凹槽g3的内表面。相反地，根据工艺条件，第二下层702和第四下层704的阶梯覆盖性比无机绝缘层的阶梯覆盖性差。在这种情况下，如图36中所示，第二下层702和第四下层704在突出尖端pt周围是不连续的或者非常薄。

图37是根据其他实施例的显示面板10的一部分的平面图，图38是沿图37的线xxxviii-xxxviii’截取的剖视图。围绕开口区域oa的第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3位于图37的第一非显示区域nda1中，并且因为其具体构造与上面描述的相同并且显示区域da的结构相同，因此下面主要描述不同之处。

参照图37和图38，根据实施例，在第二非显示区域nda2中设置至少一个外凹槽。关于这一点，图37和图38示出了第一外凹槽og1和第二外凹槽og2。第二非显示区域nda2中的第一外凹槽og1和第二外凹槽og2至少部分地围绕显示区域da。

参照图38的第二非显示区域nda2，根据实施例，形成在基底100上方的包括有机材料的绝缘层包括谷孔vy。例如，有机绝缘层209和像素限定层211分别包括第一谷孔209vh和第二谷孔211vh。在实施例中，位于有机绝缘层209下方的包括无机材料的绝缘层也包括如图38中示出的谷孔。如上所述，有机材料会用作湿气传输路径，由于显示面板10具有包括第一谷孔209vh和第二谷孔211vh的谷结构，所以在与基底100的顶表面平行的(x)方向上穿透的湿气不能朝向显示区域da移动。

根据实施例，分隔壁1500设置在第二非显示区域nda2中，并且位于第一外凹槽og1的内侧中，即，相比于第一外凹槽og1靠近显示区域da。分隔壁1500围绕显示区域da。有机封装层320由于分隔壁1500而不朝向第一外凹槽og1和第二外凹槽og2延伸。可选地，在形成有机封装层320的工艺之后，有机材料部1320m残留在第一外凹槽og1中，但第一外凹槽og1的有机材料部1320m与有机封装层320的边缘分开，且分隔壁1500位于它们之间。

根据实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个延伸到基底100的外边缘100oe，并且覆盖第二非显示区域nda2。第一无机封装层310和第二无机封装层330在第一外凹槽og1和第二外凹槽og2中彼此接触。

根据实施例，阻挡层1700设置在第二无机封装层330上。阻挡层1700在与形成上述下阻挡层700的工艺相同的工艺期间形成，并且具有相同的堆叠结构。

根据实施例，阻挡层1700覆盖至少一个外凹槽(诸如第一外凹槽og1)，由于第一外凹槽og1周围的堆叠结构与参照图28描述的堆叠结构基本相同，所以省略重复的描述。在其他实施例中，由于阻挡层1700可以覆盖第一外凹槽og1和第二外凹槽og2两者，所以阻挡层1700的边缘与基底100的外边缘100oe位于同一条竖直线上。

图39是根据其他实施例的显示面板10的剖视图，并且对应于沿图6的线vii-vii’截取的剖面。在参照图7描述的显示面板10中，平坦化层610在第一非显示区域nda1中直接设置在薄膜封装层300上。因此，图7的平坦化层610在第一非显示区域nda1中与第二无机封装层330的顶表面直接接触。然而，在图39的显示面板10中，下阻挡层700还设置在薄膜封装层300与平坦化层610之间，因此薄膜封装层300不与平坦化层610直接接触。

根据实施例，下阻挡层700包括无机材料。例如，下阻挡层700包括无机绝缘层或金属层。在实施例中，下阻挡层700包括输入感测层400中包括的层中的一些层。

参照图39的放大图，根据实施例，下阻挡层700包括包含第一下层701、第二下层702、第三下层703和第四下层704的多个层。下阻挡层700包括参照图18a至图20c描述的输入感测层400中包括的至少一个层。例如，第一下层701和第三下层703分别包括与输入感测层400的第一绝缘层401和第二绝缘层403的材料相同的材料。第一绝缘层401和第二绝缘层403包括如参照图18c或图19c所描述的无机绝缘材料。第二下层702和第四下层704分别包括与输入感测层400的第一导电层410和第二导电层420的材料相同的材料。下阻挡层700上的平坦化层610包括与输入感测层400的第三绝缘层405的材料相同的材料。第三绝缘层405包括如参照图18c或图19c所描述的有机绝缘材料。在与形成输入感测层400的工艺相同的工艺期间形成下阻挡层700和平坦化层610。

根据实施例，虽然图39示出了平坦化层610和下阻挡层700的端部与输入感测层400间隔开预定间隔，但本公开的实施例不局限于此。在其他实施例中，下阻挡层700的第一下层701和第三下层703分别与输入感测层400的第一绝缘层401和第二绝缘层403连接为一体。如图39中所示，下阻挡层700的第二下层702和第四下层704分别与输入感测层400的第一导电层410和第二导电层420间隔开。平坦化层610与输入感测层400的第三绝缘层405连接为一体。

根据实施例，下阻挡层700的多层结构可以并入下面描述的实施例和由其衍生的实施例中。虽然图39示出了包括四个层的下阻挡层700，但实施例不局限于此，下阻挡层700在其它实施例中可以包括一个层、两个层、三个层或五个层或更多层。在其他实施例中，当下阻挡层700包括三个层时，下阻挡层700可以包括与参照图20c描述的输入感测层400的第一导电层410、第二绝缘层403'和第二导电层420的材料相同的材料。下阻挡层700上的平坦化层610包括与图20c的第三绝缘层405'的材料相同的材料。

图40是根据实施例在显示装置1的第二凹槽g2中的下阻挡层700的结构的放大剖视图，并且对应于图39的第二凹槽g2的放大图。为了便于描述，图40示出了当下阻挡层700包括第一下层701、第二下层702、第三下层703和第四下层704时的情况。

参照图40，根据实施例，第二凹槽g2的穿透到第二基体层103中的部分的深度可以大于第一功能层222a、第二功能层222c、对电极223、第一无机封装层310、第二无机封装层330和下阻挡层700在竖直(z)方向(即，垂直于基底100的顶表面的方向)上的厚度之和。

根据实施例，下阻挡层700具有包括无机绝缘层和金属层的堆叠结构。例如，第一下层701和第三下层703是包括氮化硅的无机绝缘层，第二下层702和第四下层704是包括al和ti的金属层。在实施例中，第二下层702和第四下层704具有包括ti/al/ti的多层结构。第二无机封装层330和第一无机封装层310设置在下阻挡层700下。

根据实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330以及第一下层701和第三下层703可以通过诸如cvd等的工艺形成，第二下层702和第四下层704可以通过诸如溅射等的工艺形成。

参照图40，根据实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330以及第一下层701和第三下层703完全且连续地覆盖第二凹槽g2的内表面。相反地，根据工艺条件，第二下层702和第四下层704的阶梯覆盖性比无机绝缘层的阶梯覆盖性差。在这种情况下，如图40中所示，第二下层702和第四下层704在第二凹槽g2的突出尖端pt周围会是薄的或不连续的。

根据实施例，虽然图40参照第二凹槽g2示出了下阻挡层700的具体结构，但本公开的实施例不局限于此。下阻挡层700在第三凹槽g3中的结构可以类似于图40中示出的结构。图40中示出的结构不仅可以并入参照图39描述的实施例中，而且可以并入参照图41至图43描述的实施例和由其衍生的实施例中。

图41至图43是根据其他实施例的显示面板10的剖视图，并且对应于沿图6的线vii-vii’截取的剖面。

如图41中所示，根据实施例，显示面板10在第一非显示区域nda1中还包括至少一个第四凹槽g4，下阻挡层700在第二凹槽g2、第三凹槽g3和第四凹槽g4中与第二无机封装层330直接接触。

如图42中所示，根据实施例，显示面板10包括平坦化层610，平坦化层610具有与基底100的边缘100e位于同一条竖直线上的侧表面。在这种情况下，湿气等可能通过平坦化层610引入，但由于通过平坦化层610在横向方向上传播的湿气被包括下阻挡层700和第二无机封装层330的多层结构阻挡，所以湿气不渗透到有机封装层320中。因此，可以防止由于湿气等对显示区域da造成的损坏。

如图43中所示，根据实施例，显示面板10还包括第二分隔壁500a，并且下阻挡层700在第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3中与第二无机封装层330直接接触。

虽然图39至图43示出了其中平坦化层610的顶表面被阻挡层620覆盖的结构，但在其他实施例中可以省略阻挡层620。

虽然图39至图43示出了其中下阻挡层700设置在第二子非显示区域snda2中的结构，但在其他实施例中，下阻挡层700在实施例中延伸到第一子非显示区域snda1和显示区域da中。例如，如上所述，当下阻挡层700包括作为无机绝缘层的第一下层701和/或第三下层703时，这些层可以延伸到第一子非显示区域snda1和显示区域da中。

图44是根据其他实施例的显示面板10的开口区域oa和第一非显示区域snda1的剖视图。虽然图44示出了诸如第二子非显示区域snda2的第一非显示区域nda1的一部分，但为了便于描述，图44的显示面板10还包括第一子非显示区域snda1和显示区域da，并且其结构与参照图7描述的结构相同。

参照图44，根据实施例，多个凹槽(诸如第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3)形成在第二子非显示区域snda2中。分隔壁设置在相邻的凹槽之间。关于这一点，图44示出了第一凹槽g1与第二凹槽g2之间的第一分隔壁500以及在第二凹槽g2与第三凹槽g3之间的分隔壁500b(下文中称为第三分隔壁500b)。

根据实施例，第一分隔壁500和第三分隔壁500b分别包括第一子壁部510和第一子壁部510b，并且分别包括第二子壁部520和第二子壁部520b。第一子壁部510和第一子壁部510b中的每个覆盖堆叠体st，堆叠体st包括位于第一子壁部510和第一子壁部510b下的图案化的无机绝缘层(诸如栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207)。更具体地，堆叠体st的侧表面被第一子壁部510和第一子壁部510b覆盖，并且第一子壁部510和第一子壁部510b中的每个在堆叠体st下与缓冲层201的顶表面接触。第一子壁部510和第一子壁部510b可以与有机绝缘层209'的材料相同。如图44中所示，有机绝缘层209'覆盖堆叠体st的顶表面和侧表面并且与缓冲层201的顶表面接触。

根据实施例，中间层222中的一些层(诸如第一功能层222a和第二功能层222c)和对电极223如上所述被第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3分开，并且第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3的内表面如上所述被第一无机封装层310覆盖。

根据实施例，有机封装层320覆盖第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3。例如，有机封装层320的第一部分(在下文中，可被称为有机材料层)320a覆盖第一凹槽g1和第二凹槽g2。有机封装层320的第二部分320b覆盖第三凹槽g3。覆盖第一凹槽g1和第二凹槽g2的有机材料层320a延伸到显示区域da和第一子非显示区域snda1，并且覆盖显示区域da和第一子非显示区域snda1。有机封装层320的第二部分320b减轻了应力，并且可以防止相关区域中的层(诸如包括无机材料的层)的浮动或剥落。

根据实施例，有机封装层320在第二子非显示区域snda2中被分开。例如，有机封装层320的第一部分320a和第二部分320b彼此间隔开，且第三分隔壁500b位于它们之间，彼此间隔开的第一部分320a和第二部分320b之间的空间可以被认为是有机封装层320的孔320h。如图44中所示，孔320h位于第二凹槽g2与第三凹槽g3之间。有机封装层320上的第二无机封装层330通过孔320h与第一无机封装层310直接接触。

根据实施例，平坦化层610设置在第二无机封装层330上，并且覆盖多个凹槽中的至少一个。在实施例中，如图44中所示，平坦化层610与第三凹槽g3的一部分以及第一凹槽g1和第二凹槽g2叠置，并覆盖第三凹槽g3的一部分以及第一凹槽g1和第二凹槽g2。

根据实施例，平坦化层610包括孔610-h。平坦化层610中的孔610-h与第三凹槽g3叠置。平坦化层610中的孔610-h具有比第三凹槽g3的宽度w2"小的宽度。然而，实施例不局限于此，在其他实施例中，平坦化层610的孔610-h可以具有等于第三凹槽g3的宽度w2"的宽度，或者可以具有比第三凹槽g3的宽度w2"大的宽度。平坦化层610的孔610-h相比于有机封装层320的孔320h靠近开口区域oa。然而，实施例不局限于此，在其他实施例中，平坦化层610的孔610-h可以相比于有机封装层320的孔320h远离开口区域oa。虽然图44示出了平坦化层610的孔610-h与有机封装层320的孔320h间隔开预定间隔，但本公开的实施例不局限于此。在其他实施例中，平坦化层610的孔610-h至少部分地与有机封装层320的孔320h叠置。

根据实施例，阻挡层620设置在平坦化层610上，并且通过平坦化层610中的孔610-h与第二无机封装层330直接接触。阻挡层620包括无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构，并且其描述与参照图7描述的实施例的描述相同。附加平坦化层630进一步设置在阻挡层620上。附加平坦化层630包括有机材料。例如，当阻挡层620包括无机绝缘层或金属层(诸如如参照图7描述的包括在输入感测层400中的第一绝缘层401、第一导电层410、第二绝缘层402和第二导电层420中的至少一个)时，附加平坦化层630包括与输入感测层400的第三绝缘层405的材料相同的材料。在这种情况下，附加平坦化层630与输入感测层400的第三绝缘层405连接为一体。也就是说，附加平坦化层630是输入感测层400的第三绝缘层405。

根据实施例，图44中示出的结构围绕开口10h(即，开口区域oa)。例如，平坦化层610在平面图中具有围绕开口区域oa的环形形状。此外，有机封装层320的覆盖第三凹槽g3的第二部分320b在平面图中具有围绕开口区域oa的环形形状。同样地，有机封装层320中的孔320h和平坦化层610中的孔610-h在平面图中具有围绕开口区域oa的环形形状。

根据实施例，有机封装层320中的孔320h是其中在基底100上方没有设置有机封装层320的区域。因此，在参照图7至图43描述的实施例中，基底100的边缘100e与有机封装层320的边缘320e之间的区域可以被认为是参照图44描述的孔320h。同样地，平坦化层610中的孔610-h是其中在基底100上方没有设置平坦化层610的区域。因此，在参照图7至图43(除了图22、图24、图31、图35和图42之外)描述的剖视图中，基底100的边缘100e与平坦化层610的第二边缘610e2之间的区域可以被认为是平坦化层610中的孔610-h。

根据实施例，图44对应于其中已经沿第一线scl1执行切割工艺或划线工艺的显示面板10的剖面。然而，本公开的实施例不局限于此。在其他实施例中，如图44中所示，在制造显示面板10的工艺期间，从第一线scl1延伸到第n线scln的区域是切割区域ca。也就是说，沿第一线scl1至第n线scln中的一条执行切割工艺或划线工艺，并且与其对应的剖面结构对应于根据实施例的显示面板10的结构。

图45是根据其他实施例的显示面板10的开口区域oa和第一非显示区域nda1的剖视图，图46a和图46b是图45的第三凹槽g3的放大图。

根据实施例，图45的显示面板10与参照图44描述的显示面板10的不同之处在于在第三凹槽g3上方的有机封装层320的第二部分320b。如图45中所示，有机封装层320的第二部分320b设置在第三凹槽g3上方，并且覆盖第三凹槽g3的一部分。有机封装层320的第二部分320b在第三凹槽g3的突出尖端pt(诸如图45中的左突出尖端pt)周围被分开。例如，有机封装层320的第二部分320b包括设置在第三凹槽g3的上部中的第一-第二部分320b1和设置在第三凹槽g3内部并且位于第三凹槽g3的突出尖端pt下的第二-第二部分320b2。

参照图46a，根据实施例，第二-第二部分320b2位于第三凹槽g3内部，并且覆盖中间层222(即，第一功能层222a和第二功能层222c)和设置在第三凹槽g3的底表面上的对电极223。然而，在其他实施例中，参照图46b，第二-第二部分320b2设置在第三凹槽g3内部，并且位于一对突出尖端pt下。第二-第二部分320b2的在第三凹槽g3的中心部分处的部分的厚度非常薄或不存在。

根据实施例，图45对应于在其上沿第一线scl1已经执行切割工艺或划线工艺的显示面板10的剖面。在其他实施例中，如图45中所示，从第一线scl1延伸到第n线scln的区域是在制造显示面板10的工艺期间的切割区域ca。因此，在其上沿第一线scl1至第n线scln中的一条已经执行切割工艺或划线工艺的剖面结构对应于根据实施例的显示面板10的结构。

图47是根据其他实施例的显示面板10的开口区域oa和第一非显示区域nda1的剖视图。

参照图47，根据实施例，第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3上方的有机封装层320与参照图45至图46b描述的有机封装层320相同。不同于图44和图45的显示面板10，图47的显示面板10的平坦化层610不包括孔610-h。例如，图47的平坦化层610完全覆盖第二子非显示区域snda2。阻挡层620不与第二无机封装层330直接接触。

根据实施例，图47对应于在其上已经沿第一线scl1执行切割工艺或划线工艺的显示面板10的剖面。在其他实施例中，在其上在切割区域ca中沿第一线scl1至第n线scln中的一条已经执行切割工艺或划线工艺的剖面结构也对应于根据实施例的显示面板10的结构。

图48是根据其他实施例的显示面板10的开口区域oa和第一非显示区域nda1的剖视图。

参照图48，根据实施例，多个第三凹槽g3'形成在开口区域oa与第二凹槽g2之间。每个第三凹槽g3'的宽度基本等于或小于第一凹槽g1或第二凹槽g2的宽度。

根据实施例，平坦化层610设置在第二凹槽g2和第三凹槽g3'上方，并且第二凹槽g2和第三凹槽g3'的在第二无机封装层330上方的内部空间填充有平坦化层610。图48中示出的多个第三凹槽g3'的布置可以并入参照图7至图47描述的实施例和由其衍生的实施例中。

根据实施例，图48对应于在其上沿第一线scl1已经执行切割工艺或划线工艺的显示面板10的剖面。在其他实施例中，可以在切割区域ca中沿第一线scl1至第n线scln中的一条执行切割工艺或划线工艺，并且与其对应的剖面结构对应于根据实施例的显示面板10的结构。

本公开的实施例不局限于参照图48描述的第三凹槽g3'的数量。在其他实施例中，可以形成比图48中示出的数量多的数量的第三凹槽g3'。此外，图48中描述的多个第三凹槽g3'的结构可以并入参照图7至图48描述的实施例和由其衍生的实施例中。

根据实施例，由于有机材料层(诸如有机封装层320、平坦化层610和附加平坦化层630中的至少一者)设置在图44、图45、图47和图48中示出的切割区域ca中，所以与不设置上述有机材料层的情况不同，可以减轻应力并且可以防止无机层的浮动现象或使无机层的浮动现象最小化。

根据实施例，图44、图45、图47和图48中示出的第一分隔壁500和第三分隔壁500b可以并入参照图7至图43描述的显示面板10的实施例中。此外，图44、图45、图47和图48中示出的附加平坦化层630可以并入参照图7至图43描述的实施例和由其衍生的实施例中。

图49a和图49b分别是根据实施例的显示面板10的剖视图，图50是图49a和图49b的部分“a”的放大剖视图。

参照图49a，根据实施例，显示面板10包括与开口区域oa对应的开口10h。显示面板10的开口10h对应于穿透显示面板10的孔或通孔。像素电路pc和显示元件层200设置在显示区域da中，像素电路pc设置在基底100上方，包括有机发光二极管oled的显示元件层200连接到像素电路pc。如参照图7所描述的，有机发光二极管oled包括顺序堆叠的像素电极221、中间层222和对电极223。

根据实施例，基底100具有多层结构。例如，基底100包括顺序堆叠的第一基体层101、第一无机层102、第二基体层103和第二无机层104。包括在第一基体层101和第二基体层103中的聚合物树脂以及包括在第一无机层102和第二无机层104中的无机绝缘材料与上面描述的那些相同。

根据实施例，像素电路pc设置在基底100上方，并包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst。显示元件层200包括以多个像素p设置的显示元件。显示元件层200包括均设置在多个像素p中的每个像素p中的像素电极221、像素电极221上的中间层222和对电极223。每个显示元件发射红光、绿光和蓝光中的一种。显示元件层200被薄膜封装层300覆盖。由于设置在显示区域da中的元件的具体特性与参照图7描述的元件的具体特性相同，因此省略其重复描述。

参照图49a的第一非显示区域nda1，根据实施例，第一非显示区域nda1包括第一子非显示区域snda1和第二子非显示区域snda2，第一子非显示区域snda1与显示区域da相邻，第二子非显示区域snda2与开口区域oa或开口10h相邻。第一子非显示区域snda1包括诸如绕行区域的区域，信号线(诸如参照图5描述的数据线dl或扫描线sl)延伸穿过该区域。第一子非显示区域snda1的宽度可以小于、等于或大于第二子非显示区域snda2的宽度。

如图49a中所示，根据实施例，数据线dl交替地设置，绝缘层位于它们之间。当相邻数据线dl设置在位于它们之间的绝缘层(诸如第二层间绝缘层207)上方和下时，可以减小相邻数据线dl之间的间隙(间距)，并且因此可以减小第一非显示区域nda1的宽度。在另一实施例中，数据线dl设置在同一绝缘层(诸如第二层间绝缘层207)上。

根据实施例，第二子非显示区域snda2是其中形成有凹槽的凹槽区域。虽然图49a示出了在第二子非显示区域snda2中形成的五个凹槽，但实施例不局限于此，并且凹槽的数量可以变化。

根据实施例，每个凹槽g(见图50)形成在多个层中，所述多个层包括分别包括不同材料的第一层和第二层。例如，第一层包括聚合物树脂层，第二层包括无机绝缘层。在实施例中，图49a示出了凹槽g形成在设置在基底100中的子层(诸如基底100的第二基体层103和第二无机层104)中。

根据实施例，凹槽g的具体结构与上面参照图9或图10描述的具体结构相同。例如，如参照图9所描述的和如图50中所示，凹槽g的深度h小于第二基体层103的厚度t，凹槽g包括形成在第二无机层104中的孔h2和形成在第二基体层103中的凹进r1。在另一实施例中，如参照图10所描述的，凹槽g的深度h与第二基体层103的厚度t基本相同，并且凹槽g包括在第二无机层104中形成的孔和在第二基体层103中形成的孔。

如图50中所示，根据实施例，第二无机层104的界定孔h2的侧表面相比于第二基体层103的界定凹进r1或孔的侧表面朝向凹槽g的中心进一步突出。第二无机层104的朝向凹槽g的中心突出的侧部构成一对突出尖端pt。除了第二无机层104之外，缓冲层201被图案化以构成一对突出尖端pt。凹槽g具有底切剖面，在该底切剖面中，第二基体层103的凹进r1或孔的宽度w1大于第二无机层104的孔h2的宽度w2。一对突出尖端pt中的每个突出尖端的长度l小于2.0μm。在实施例中，长度l的范围为大约1.0μm至大约1.8μm。

根据实施例，在形成有机发光二极管oled的至少一个有机材料层(诸如中间层222)之前形成凹槽g。包括在中间层222中的至少一个有机材料层(诸如图50中示出的第一功能层222a或第二功能层222c)在第一非显示区域nda1中被凹槽g断开。同样地，对电极223被凹槽g断开。包括lif的盖层230设置在对电极223上。像第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223一样，盖层230包括形成在基底100的整个表面上方并且被凹槽g断开的公共层。在另一实施例中，省略盖层230。

根据实施例，第一无机封装层310和第二无机封装层330覆盖有机发光二极管oled，并延伸到第一非显示区域nda1中。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过cvd等形成，并且与第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223相比，具有改善的阶梯覆盖性。例如，与第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223相比，第一无机封装层310和第二无机封装层330依次形成为具有相对均匀的厚度或使厚度偏差最小化。因此，第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每个可以连续地形成而不会被凹槽g断开。第一无机封装层310覆盖凹槽g的内表面。第一无机封装层310和第二无机封装层330具有不同的厚度。例如，第一无机封装层310具有大约1μm的厚度，第二无机封装层330具有大约0.7μm的厚度。也就是说，第一无机封装层310的厚度大于第二无机封装层330的厚度。可选地，第一无机封装层310的厚度和第二无机封装层330的厚度可以相同，或者第一无机封装层310的厚度可以小于第二无机封装层330的厚度。

根据实施例，有机封装层320覆盖显示区域da，且边缘320e位于分隔壁500的一侧。有机封装层320包括通过涂覆单体并使单体硬化而形成的聚合物。可以由分隔壁500控制单体流动，并且可以由分隔壁500控制有机封装层320的厚度。可选地，有机封装层320可以通过涂覆聚合物形成。有机封装层320的边缘320e与开口10h间隔开。由于其中第一无机封装层310和第二无机封装层330彼此直接接触的区域位于开口10h与有机封装层320之间，所以可以防止湿气穿过开口10h通过有机封装层320渗入显示区域da中。

根据实施例，有机材料层320a设置在第一非显示区域nda1的与开口10h相邻的部分中。有机材料层320a与有机封装层320间隔开预定距离。有机材料层320a在形成有机封装层320的工艺期间形成，并且包括与有机封装层320的材料相同的材料。当通过硬化单体形成有机封装层320时，类似于通过使用分隔壁500控制单体流动，可以通过使用分隔壁500c(在下文中，称为第四分隔壁500c)来控制构成有机材料层320a的材料，并且有机材料层320a的边缘320ae位于第四分隔壁500c的一侧上。如上所述，第一无机封装层310和第二无机封装层330在第一非显示区域nda1中彼此接触。当第一无机封装层310和第二无机封装层330的接触面积等于或大于特定值时，第一无机封装层310和第二无机封装层330或相邻层(诸如平坦化层610)可能由于第一无机封装层310和第二无机封装层330上的应力而浮动。相反，在实施例中，当设置有机材料层320a时，可以略微减小第一无机封装层310和第二无机封装层330的接触面积，因此可以防止浮动问题或使浮动问题最小化。当有机材料层320a与有机封装层320间隔开时，第一无机封装层310和第二无机封装层330在有机封装层320的边缘320e与有机材料层320a的边缘320ae之间彼此接触。

根据实施例，平坦化层610设置在第一非显示区域nda1中。平坦化层610设置在与开口区域oa相邻的区域中。例如，平坦化层610仅设置在第一非显示区域nda1中。平坦化层610包括有机绝缘层。平坦化层610包括聚合物类材料。例如，平坦化层610可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。聚合物类材料是透明的。在实施例中，平坦化层610包括与有机封装层320的材料不同的材料。例如，有机封装层320和平坦化层610中的一个包括硅类树脂，而另一个包括丙烯酸类树脂。在另一实施例中，有机封装层320和平坦化层610包括相同的材料。

根据实施例，平坦化层610覆盖形成在第一非显示区域nda1中的至少一个凹槽g。平坦化层610通过覆盖第一非显示区域nda1的未被有机封装层320覆盖的区域来增加显示面板10在开口区域oa周围的平坦度。因此，可以防止设置在薄膜封装层300上的输入感测层400(见图2a)的分开。平坦化层610的一部分与有机封装层320的一部分叠置。平坦化层610的与显示区域da相邻的第一边缘610e1位于有机封装层320上方，与第一边缘610e1相对的第二边缘610e2同基底100的界定显示面板10的开口10h或基底100的第一开口100h的边缘100e位于同一条竖直线上。

根据实施例，图49a中从第一线scl1到第n线scln的区域包括在其上执行制造显示面板10的工艺的切割工艺或划线工艺的区域。例如，从第一线scl1到第n线scln的区域包括激光可以穿过的切割区域ca。可以沿第一线scl1至第n线scln中的一条执行切割工艺或划线工艺，并且对应的剖面结构对应于根据实施例的显示装置1的结构。关于这一点，图49a示出了在其上已经沿第一线scl1执行切割工艺或划线工艺的显示面板10的剖面结构，图49b示出了在其上已经沿第n线scln执行切割工艺或划线工艺的显示面板10的剖面结构。

根据实施例，阻挡层605和620'分别设置在平坦化层610下和上。在下文中，为了便于描述，平坦化层610下的阻挡层称为第一阻挡层605，平坦化层610上的阻挡层称为第二阻挡层620'。

根据实施例，平坦化层610通过曝光工艺和显影工艺等形成在第一非显示区域nda1中。当外部异物(诸如湿气)在形成平坦化层610的一些工艺(诸如清洗工艺)期间在平行于显示面板10的xy平面的横向方向上传播时，会损坏显示区域da的有机发光二极管oled。相反，根据实施例，由于作为无机绝缘层的第一阻挡层605和第二阻挡层620'分别设置在平坦化层610下和上，所以在形成平坦化层610的工艺期间或之后，可以防止相邻层的湿气渗透或浮动。第一阻挡层605和第二阻挡层620'与平坦化层610直接接触。根据实施例，第一阻挡层605和第二阻挡层620'可以在平坦化层610的第一边缘610e1周围彼此接触，平坦化层610的第一边缘610e1与显示区域da相邻。

根据实施例，第一阻挡层605和第二阻挡层620'中的每个包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或氮氧化硅(sion)，并且可以具有单层结构或多层结构。第一阻挡层605和第二阻挡层620'可以包括相同的材料或不同的材料。

根据实施例，第一阻挡层605与设置在其下的薄膜封装层300(诸如第二无机封装层330)直接接触。第一阻挡层605可以包括与第二无机封装层330的材料相同的材料，或者包括与第二无机封装层330的材料不同的材料。即使第一阻挡层605和第二无机封装层330包括诸如氮化硅的相同的材料，特定的组成比(诸如硅和氮的含量比)也可以不同，并且可以在剖面图像上肉眼识别出第一阻挡层605与第二无机封装层330之间的界面。第一阻挡层605的厚度小于第二无机封装层330的厚度。可选地，第一阻挡层605的厚度可以与第二无机封装层330的厚度相同，或者第一阻挡层605的厚度可以大于第二无机封装层330的厚度。

根据实施例，第二阻挡层620'的厚度大于第一阻挡层605的厚度。可选地，第二阻挡层620'的厚度可以小于或等于第一阻挡层605的厚度。

根据实施例，附加阻挡层(在下文中，称为第三阻挡层)625设置在第二阻挡层620'上，附加平坦化层630设置在第三阻挡层625上。第三阻挡层625包括无机绝缘材料。附加平坦化层630包括有机绝缘材料。

根据实施例，第一阻挡层605、第二阻挡层620'、第三阻挡层625和附加平坦化层630形成在基底100的整个表面上方。例如，第一阻挡层605、第二阻挡层620'、第三阻挡层625和附加平坦化层630中的每个与包括在输入感测层400中的绝缘层一体地形成。

例如，根据实施例，输入感测层400包括第一绝缘层401、第一导电层410、第二绝缘层403、第二导电层420和第三绝缘层405，第一绝缘层401包括第一子绝缘层401a和第二子绝缘层401b。第一阻挡层605与第一子绝缘层401a一体地形成，第二阻挡层620'与第二子绝缘层401b一体地形成，第三阻挡层625与第二绝缘层403一体地形成，附加平坦化层630与第三绝缘层405一体地形成。换言之，包括在输入感测层400中的绝缘层分别设置在平坦化层610上和下。

根据实施例，在形成输入感测层400之后执行划线工艺或切割工艺。因此，输入感测层400的第四开口400h与显示面板10的开口10h同时形成，并且具有与开口10h的形状和尺寸基本相同的形状和尺寸。像平坦化层610的第二边缘610e2一样，与显示面板10的开口区域oa或开口10h相邻的第一阻挡层605的边缘605e、第二阻挡层620'的边缘620'e、第三阻挡层625的边缘625e和附加平坦化层630的边缘630e中的每个与基底100的界定基底100的第一开口100h的边缘100e位于同一条竖直线上。

图51是根据其他实施例的显示面板10'的平面图，图52是图51的开口区域oa的放大平面图。

参照图51和图52，根据实施例，显示面板10'的开口区域oa被显示区域da部分地围绕。像素p在开口区域oa周围水平地间隔开。将扫描信号传输到开口区域oa的左侧上的像素p和开口区域oa的右侧上的像素p的扫描线sl在第一非显示区域nda1中绕过开口区域oa。

根据实施例，开口区域oa被第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3围绕，并且至少一个外凹槽设置在第二非显示区域nda2中。关于这一点，图52示出了第一外凹槽og1和第二外凹槽og2设置在第二非显示区域nda2中。

根据实施例，围绕开口区域oa的凹槽中的至少一个与外凹槽连接。如图52中所示，围绕开口区域oa的凹槽中的一个(诸如第一凹槽g1)与设置在第二非显示区域nda2中的第一外凹槽og1连接。然而，在其他实施例中，围绕开口区域oa的凹槽彼此间隔开而不连接到外凹槽。

根据实施例，由于第一非显示区域nda1的结构与参照图7至图49b描述的实施例和由其衍生的实施例的结构相同，所以省略其重复描述。

图53是根据其他实施例的显示面板10"的平面图，图54是图53的开口区域oa的放大平面图。

参照图53和图54，根据实施例，显示面板10"的开口区域oa被显示区域da部分地围绕。像素p在开口区域oa周围竖直地间隔开。将数据信号传输到开口区域oa上方的像素p和开口区域oa下方的像素p的数据线dl在第一非显示区域nda1中绕过开口区域oa。

根据实施例，开口区域oa被第一凹槽g1、第二凹槽g2和第三凹槽g3围绕，并且至少一个外凹槽位于第二非显示区域nda2中。关于这一点，图54示出了第一外凹槽og1和第二外凹槽og2设置在第二非显示区域nda2中。

根据实施例，围绕开口区域oa的凹槽中的至少一个与外凹槽连接。如图54中所示，围绕开口区域oa的凹槽中的一个(诸如第一凹槽g1)与设置在第二非显示区域nda2中的第一外凹槽og1连接。然而，在其他实施例中，围绕开口区域oa的凹槽彼此间隔开而不连接到外凹槽。

根据实施例，由于第一非显示区域nda1的结构与参照图7至图49b描述的实施例和由其衍生的实施例的结构相同，所以省略其重复描述。

根据实施例的显示装置可以通过在非显示区域中设置凹槽来防止湿气等的渗透(朝向显示元件渗透)，并且可以通过使绝缘层(诸如有机封装层、平坦化层和/或下阻挡层等的一部分)设置在凹槽中来防止层的浮动或在凹槽周围裂纹的发生或使层的浮动或在凹槽周围裂纹的发生最小化。因此，可以防止由于通过裂纹渗入的湿气等对显示元件的损坏。

虽然已经参照附图中示出的示例性实施例描述了公开的实施例，但这些仅作为示例提供，本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的公开的实施例的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节及其等同物的各种改变。