1.一种单片式晶圆湿法刻蚀设备，其特征在于，包括：刻蚀液喷射装置，机械手臂，背面温度控制装置；
所述机械手臂用于晶圆取放；
所述刻蚀液喷射装置具有喷嘴，所述喷嘴用于在进行所述晶圆的湿法刻蚀时将刻蚀液注入到所述晶圆的正面表面上；
所述刻蚀液用于对所述晶圆正面上的被刻蚀材料进行刻蚀且刻蚀速率具有温度敏感性；
所述背面温度控制装置用于在进行所述晶圆的湿法刻蚀时从所述晶圆背面进行温度控制，使所述晶圆各区域的温度均匀且稳定并从而提高刻蚀均匀性。
2.如权利要求1所述的单片式晶圆湿法刻蚀设备，其特征在于：所述背面温度控制装置包括加热液体注入装置，所述背面温度控制装置通过从所述晶圆底部向所述晶圆背面注入加热液体来对所述晶圆进行温度控制。
3.如权利要求2所述的单片式晶圆湿法刻蚀设备，其特征在于：所述加热液体包括去离子水。
4.如权利要求1所述的单片式晶圆湿法刻蚀设备，其特征在于：所述背面温度控制装置包括加热气体注入装置，所述背面温度控制装置通过从所述晶圆底部向所述晶圆背面注入加热气体来对所述晶圆进行温度控制。
5.如权利要求4所述的单片式晶圆湿法刻蚀设备，其特征在于：所述加热气体包括氮气或惰性气体。
6.如权利要求1所述的单片式晶圆湿法刻蚀设备，其特征在于：所述背面温度控制装置包括所述电阻加热或灯泡加热装置，所述背面温度控制装置通过所述电阻加热或灯泡加热装置从背面对所述晶圆进行温度控制。
7.如权利要求1所述的单片式晶圆湿法刻蚀设备，其特征在于：所述刻蚀液喷射装置还包括刻蚀液源和输送管路，所述喷嘴设置在所述输送管路上；
所述喷嘴的数量为一个，在进行所述湿法刻蚀时所述喷嘴位于所述晶圆的中央的正上方并将所述刻蚀液从所述晶圆的中央区域注入到所述晶圆的表面上；
或者，所述喷嘴的数量包括多个，在进行所述湿法刻蚀时各所述喷嘴位从所述晶圆的多个区域位置将所述刻蚀液注入到所述晶圆的表面上。
8.如权利要求1所述的单片式晶圆湿法刻蚀设备，其特征在于：单片式晶圆湿法刻蚀设备还包括晶圆承载台，所述晶圆承载台用于在湿法刻蚀时放置所述晶圆，所述背面温度控制装置设置在所述晶圆承载台上且位于所述晶圆的底部。
9.一种单片式晶圆湿法刻蚀方法，其特征在于：湿法刻蚀所采用的单片式晶圆湿法刻蚀设备包括刻蚀液喷射装置，机械手臂，背面温度控制装置；
所述机械手臂用于晶圆取放；
所述刻蚀液喷射装置具有喷嘴；
所述湿法刻蚀步骤包括：
所述机械手臂将所述晶圆移动到刻蚀位置；
所述喷嘴将刻蚀液注入到所述晶圆的正面表面上；所述刻蚀液用于对所述晶圆正面上的被刻蚀材料进行刻蚀且刻蚀速率具有温度敏感性；
所述背面温度控制装置从所述晶圆背面进行温度控制，使所述晶圆各区域的温度均匀且稳定并从而提高刻蚀均匀性。
10.如权利要求9所述的单片式晶圆湿法刻蚀方法，其特征在于：所述背面温度控制装置包括加热液体注入装置，所述背面温度控制装置通过从所述晶圆底部向所述晶圆背面注入加热液体来对所述晶圆进行温度控制。
11.如权利要求10所述的单片式晶圆湿法刻蚀方法，其特征在于：所述加热液体包括去离子水。
12.如权利要求9所述的单片式晶圆湿法刻蚀方法，其特征在于：所述背面温度控制装置包括加热气体注入装置，所述背面温度控制装置通过从所述晶圆底部向所述晶圆背面注入加热气体来对所述晶圆进行温度控制；
所述加热气体包括氮气或惰性气体。
13.如权利要求9所述的单片式晶圆湿法刻蚀方法，其特征在于：所述背面温度控制装置包括所述电阻加热或灯泡加热装置，所述背面温度控制装置通过所述电阻加热或灯泡加热装置从背面对所述晶圆进行温度控制。
14.如权利要求9所述的单片式晶圆湿法刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀液喷射装置还包括刻蚀液源和输送管路，所述喷嘴设置在所述输送管路上；
所述喷嘴的数量为一个，在进行所述湿法刻蚀时所述喷嘴位于所述晶圆的中央的正上方并将所述刻蚀液从所述晶圆的中央区域注入到所述晶圆的表面上；
或者，所述喷嘴的数量包括多个，在进行所述湿法刻蚀时各所述喷嘴位从所述晶圆的多个区域位置将所述刻蚀液注入到所述晶圆的表面上。
15.如权利要求9所述的单片式晶圆湿法刻蚀方法，其特征在于：单片式晶圆湿法刻蚀方法还包括晶圆承载台，所述晶圆承载台用于在湿法刻蚀时放置所述晶圆，所述背面温度控制装置设置在所述晶圆承载台上且位于所述晶圆的底部。