1.一种下沉式柔性电路集成装置，其特征在于，所述装置包括：封装层、互连层、芯片层、粘结层和基底层，所述芯片层包括一个或多个芯片，
所述基底层设置有柔性电路和凹槽，所述芯片层通过所述粘结层的作用粘结在所述凹槽的底部；
所述互连层位于所述基底层上方，用于实现所述柔性电路的电极与所述芯片的电极之间的互连；
所述封装层位于所述基底层上方，与所述基底层共同实现对所述互连层、芯片层、粘结层的封装，
其中，所述芯片层位于所述装置的中性层中，所述封装层、所述互连层、所述粘结层和所述基底层的材料包括柔性材料。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述芯片包括超薄集成芯片，所述超薄集成芯片的厚度是根据所述装置在工作状态下的最小弯曲曲率半径和所述芯片的材料失效应变确定的。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述封装层、所述粘结层和所述基底层的厚度是根据所述芯片层的厚度确定的，
所述装置的中性层位置是根据所述封装层、所述芯片层、所述粘结层和所述基底层的厚度确定的，
所述凹槽在所述基底层中的尺寸和位置是根据所述中性层位置、芯片层的尺寸确定的。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述凹槽的深度大于或等于所述芯片层、所述粘结层的高度之和。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
局部固化层，位于所述芯片层和/或所述互连层上方。
6.一种下沉式柔性电路集成装置的制造方法，其特征在于，所述方法用于制造权利要求1至5任一项所述的装置，所述方法包括：
制备带有柔性电路和凹槽的基底层；
在所述基底层的凹槽中放置制备好的粘结层；
将所述一个或多个芯片放置于所述粘结层上，并通过所述粘结层固定在所述凹槽中，形成芯片层；
通过互连线将所述芯片的电极与柔性电路的电极连接到一起，形成互连层，进而得到待封装装置；
利用封装材料对所述待封装装置进行封装，形成封装层，进而得到所述下沉式柔性电路集成装置，
其中，所述芯片层位于所述装置的中性层中。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据所述装置在工作状态下的最小弯曲曲率半径和所述芯片的材料失效应变，确定所述芯片的厚度；
根据所确定的芯片的厚度，对晶圆片进行减薄处理，得到超薄集成芯片，并将所述超薄集成芯片作为所述装置的芯片。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据所确定的芯片的厚度，确定所述封装层、所述粘结层和所述基底层的厚度；
根据所述封装层、所述芯片层、所述粘结层和所述基底层的厚度，确定所述装置中的中性层的位置；
根据所述中性层的位置，确定所述基底层中凹槽的参数，所述参数包括所述凹槽的深度、所述凹槽在所述基底层中的位置和所述凹槽的尺寸。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，制备带有柔性电路和凹槽的基底层，包括：
根据所述凹槽的参数和所述基底层的厚度，制作带有柔性集成电路板的第一基底层，所述第一基底层的厚度等于所述凹槽的深度与所述基底层的厚度的差值；
根据所述凹槽的尺寸，对厚度与所述凹槽的深度的第二基底层进行切割处理，得到切割后的第二基底层，所述切割后的第二基底层切割有尺寸与所述凹槽相对应的通孔；
将所述第一基底层和所述切割后的第二基底层结合在一起，形成所述基底层。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述待封装装置进行封装前，对所述芯片层和/或所述互连层进行局部加固处理，形成局部固化层。