1.一种半导体装置，其中，
具备：
半导体基板；
绝缘部件，设置在上述半导体基板上；以及
电极，设置在上述半导体基板上以及上述绝缘部件上，
上述绝缘部件，具有：
多个第1部分；以及
多个第2部分，比上述第1部分薄，
上述第1部分和上述第2部分沿着与上述半导体基板的上表面中的不与上述绝缘部件相接的区域平行的第1方向交替地排列。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第1部分的上表面位于比上述第2部分的上表面靠下方的位置，
上述第1部分的下表面位于比上述第2部分的下表面靠下方的位置。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
在上下方向上，上述绝缘部件的一半以上配置在上述半导体基板内，在上述绝缘部件的上表面存在没有被上述半导体基板覆盖的区域。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
在上下方向上，上述绝缘部件的一半以上位于比上述半导体基板的上表面中的不与上述绝缘部件相接的区域靠上方的位置。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述电极具有两侧面在上述第1方向上以直线状延伸的带状部分。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述电极，具有：
基部，在上述第1方向上延伸；以及
多个齿部，从上述基部向与上述第1方向交叉的第2方向延伸，
在上下方向上，上述齿部与上述第1部分重叠，上述第2部分位于上述齿部间。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
还具备设置在上述半导体基板与上述电极之间、比上述第2部分薄的栅极绝缘膜。
8.一种半导体装置，其中，
具备：
半导体基板；
多个绝缘部件，设置在上述半导体基板上，沿着第1方向相互分离而排列；以及
电极，配置在上述半导体基板上以及上述多个绝缘部件上，
上述电极，具有：
基部，在上述第1方向上延伸；以及
多个齿部，从上述基部向与上述第1方向交叉的第2方向延伸，
在上下方向上，上述绝缘部件与上述齿部重叠，上述绝缘部件间的区域与上述齿部间的区域重叠。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，
在上下方向上，上述绝缘部件的一半以上位于比上述半导体基板的上表面中的不与上述绝缘部件相接的区域靠上方的位置。
10.如权利要求8所述的半导体装置，其中，
还具备设置在上述半导体基板与上述电极之间、比上述绝缘部件薄的栅极绝缘膜。
11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其中，
还具备：
第1导电型的源极层，设置在上述半导体基板上；以及
第1导电型的漏极层，设置在上述半导体基板上，
上述半导体基板的至少上层部分是第2导电型，
上述绝缘部件配置在上述漏极层与上述源极层之间或者其正上区域。
12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，
从上述源极层朝向上述漏极层的方向是与上述第1方向交叉的第2方向。