晶粒功能检测装置的制作方法

文档序号:18439921发布日期:2019-08-16 21:53阅读:115来源:国知局
晶粒功能检测装置的制作方法

本实用新型是关于一种检测装置,特别是一种可用以测试晶粒功能的检测装置。



背景技术:

在各式晶粒工艺中,为了维持产品质量的稳定,须对晶粒进行缺陷检测,以根据检测的结果来分析造成这些缺陷的根本原因,之后才能进一步藉由工艺参数的调整来避免或减少缺陷的产生,以达到提升工艺良率以及可靠度的目的。

在现有检测的技术步骤上,常将切割后的晶粒黏附于胶膜上以便批次性的检测以及于工艺步骤间移动。然而,此种检测方式需要先将晶粒自晶圆上切割下来还要再黏着于胶膜上,增加了检测时间以及成本。



技术实现要素:

有鉴于此,本实用新型提出一种晶粒功能检测装置。

本实用新型一或多个实施例提供一种晶粒功能检测装置,用以检测一晶圆上的多个晶粒。各晶粒包括一电路本体以及与电路本体电性连接的一馈电部。检测装置包括一检测板以及一导通部。检测板叠置于晶圆上。检测板具有多个贯孔,以经由贯孔分别显露此些晶粒。导通部设置于检测板上而接触馈电部。导通部接收一电源输入,而将电源供应的电力传送至晶粒。

在本实用新型一或多个实施例中,导通部包括多组电极导通区域及一组电源供应线路。电源供应线路位于检测板远离于晶圆的一侧并接收电源输入。电极导通区域电性连接电源供应线路且位于检测板的相邻于晶圆的一侧,各组电极导通区域一对一接触各晶粒的馈电部。

在本实用新型一或多个实施例中,电源供应线路以指叉状分布,贯孔排列为多行并交错排列于指叉状分布的多个指间区域中。

在本实用新型一或多个实施例中,电源供应线路为激光蚀刻线路。

在本实用新型一或多个实施例中,各组电极导通区域包含一正极导通区域与一负极导通区域。正极导通区域与负极导通区域分别设置于贯孔的二侧。

在本实用新型一或多个实施例中,各组电极导通区域包含一正极导通区域与一负极导通区域。正极导通区域与负极导通区域设置于贯孔的同一侧。

在本实用新型一或多个实施例中,正极导通区域及负极导通区域为异方向性导电胶膜或电镀层。

在本实用新型一或多个实施例中,晶粒为多个发光元件、多个微流体电子元件或多个微机电电子元件。

在本实用新型一或多个实施例中,晶粒功能检测装置更包含一光学检测单元。光学检测单元通过贯孔撷取包含晶粒的一影像,以根据影像判断晶粒的功能。

在本实用新型一或多个实施例中,晶粒功能检测装置更包含一激光设备。晶粒功能检测装置输出一激光至功能非为正常的一异常晶粒,以标记异常的晶粒。

通过以上所揭示的一或多个实施例所述的晶粒功能检测装置,在晶粒尚未从晶圆上切割下来的情况下,能够通过肉眼或仪器一次性地辨识多个晶粒受电力驱动后是否能够正常作动,进而对多个晶粒进行筛选,无须在晶粒从晶圆切割下来后再逐一进行检测。因此,可以节省晶粒功能检测所需的时间与成本。在一些实施例中,可以通过光学检测单元而有效率地根据所撷取的影像,判断晶粒是否正常作动,进而达成快速筛检的目的。并且,还可以利用激光设备所输出的激光对异常的晶粒进行标记,因此后续筛选时可以通过标记的有无快速分类正常晶粒与异常晶粒。

附图说明

图1为本实用新型一实施例所适用的晶圆的示意图。

图2为本实用新型一实施例的晶粒功能检测装置的结构示意图。

图3为本实用新型一实施例的晶粒功能检测装置的使用状态示意图(一)。

图4为本实用新型一实施例的晶粒功能检测装置的使用状态示意图(二)。

图5为本实用新型一实施例的晶粒功能检测装置的使用状态示意图(三)。

图6为本实用新型一实施例的晶粒功能检测装置的仰视示意图。

图7为本实用新型另一实施例的晶粒功能检测装置的仰视示意图。

图8为本实用新型再一实施例的晶粒功能检测装置的使用状态示意图。

图9为本实用新型还一实施例的晶粒功能检测装置的使用状态示意图。

其中附图标记为:

100晶粒功能检测装置

20检测板

20a第一侧

20b第二侧

20c导电孔

21贯孔

30导通部

31电极导通区域

311正极导通区域

312负极导通区域

32电源供应线路

32a指间区域

321正极线路

322负极线路

40电源单元

50光学检测单元

60激光设备

9晶圆

91晶粒

911电路本体

912馈电部

具体实施方式

请参阅图1至图4,图1为本实用新型一实施例所适用的晶圆的示意图,图2至图4揭示本实用新型一实施例的晶粒功能检测装置。

如图1及图3所示,晶粒功能检测装置100用以检测晶圆9上的多个晶粒91。各晶粒91包括电路本体911以及与电路本体911电性连接的馈电部912。如图2所示,晶粒功能检测装置100包括检测板20以及设置于检测板20上的导通部30。在此实施例中,检测板20的形状对应晶圆9的形状而概呈圆形,但本实用新型并不以此为限,其亦可以是正方形、长方型、其他几何形状或不规则形。另外,为了方便说明,图式中仅绘示出具有四个晶粒的晶圆及具有四个贯孔21的晶粒功能检测装置100,但本实用新型并不以此为限。

如图3及图4所示,检测板20用以叠置于晶圆9上。检测板20具有多个贯孔21,以经由贯孔21分别显露晶粒91。导通部30接触馈电部912,导通部30并与一电源单元40电性连接而接收电源输入,而将电源供应的电力传送至晶粒91。藉此,正常晶粒91可受电力驱动而正常作动,而异常晶粒91受电力驱动后无法正常作动,因而用户或是作业人员可以确认晶粒91是否正常作动。在本实施例中,电源单元40是位于检测板20上的一侧,但并不以此为限。电源单元40亦可以独立于检测板20,而于需要使用时电性连接检测板20上的供电埠而达成前述电源供应。

藉此,根据本实用新型一或多个实施例的晶粒功能检测装置100,在晶粒91尚未从晶圆9上切割下来的情况下,能够通过肉眼或仪器一次性地辨识多个晶粒91受电力驱动后是否能够正常作动,进而对多个晶粒91进行筛选,无须在晶粒91从晶圆9切割下来后再逐一收集并检测。因此,可以节省晶粒91功能检测所需的时间与成本。需要说明的是,在本实施例中,晶粒91为发光元件,例如发光二极管或是微米级发光二极管,但并不以此为限。在其他实施例中,晶粒91亦可以是微机电(MEMS)电子元件或是用于生医应用的微流体电子元件(如生物芯片)。因此,更增加本实用新型的应用层面。

请参阅图5至图6,图5为本实用新型一实施例的晶粒功能检测装置的使用状态示意图(三)。图6为本实用新型一实施例的晶粒功能检测装置的仰视示意图。

于一实施例中,如图5至图6所示,导通部30包括多组电极导通区域31及一组电源供应线路32。检测板20具有远离晶圆9的第一侧20a、面向晶圆9的第二侧20b以及导电孔20c。电源供应线路32位于检测板20的第一侧20a并接收电源输入。各组电极导通区域31经由导电孔20c电性连接电源供应线路32且位于检测板20的第二侧20b。导电孔20c中充填有导电材料或者导电孔20c的孔壁涂布导电物质,因而使得电极导通区域31可以经由导电孔20c电性连接电源供应线路32。各组电极导通区域31一对一接触各晶粒91的馈电部912。藉此,电力可以通过电源供应线路32以及电极导通区域31分别供应至各晶粒91的馈电部912,进而供用户或是作业人员确认晶粒91是否正常作动。

请参阅图5,在本实用新型一或多个实施例中,电源供应线路32以指叉状分布,贯孔21排列为多行并交错排列于指叉状分布的多个指间区域32a中。具体而言,电源供应线路32可进一步包括连接正极导通区域311的正极线路321以及连接负极导通区域312的负极线路322。正极线路321呈指叉状分布,负极线路322亦呈现指叉状分布,而贯孔21则交错排列于指间区域32a中。据此,晶粒功能检测装置100上的多个贯孔21可以分别对应位于晶圆9上的多个晶粒91,并且各晶粒91的馈电部912可以藉由指叉状的电源供应线路32而分别与对应的导通部30达成电性连接,因而可以检测晶圆9上的晶粒91功能是否正常。

请继续参阅图6,在一实施例中,各组电极导通区域31包含一正极导通区域311与一负极导通区域312,而正极导通区域311与负极导通区域312分别设置于贯孔21的二侧。换句话说,在此,正极导通区域311与负极导通区域312对应设置于贯孔21的相对二侧,而分别用以接触位于各晶粒91相对二侧的正极馈电部912与负极馈电部912,但本实用新型并不以此为限。请参阅图7,在另一实施例中,正极导通区域311与负极导通区域312设置于贯孔21的同一侧,而分别用以接触位于各晶粒91同一侧的正极馈电部912与负极馈电部912。也就是说,对应晶粒91的馈电部912的配置方式不同,电极导通区域31的正极导通区域311与负极导通区域312亦有不同的配置方式。

在本实用新型一或多个实施例中,电源供应线路32为激光蚀刻线路。进一步言,检测板20是先在介电材质的板材(例如,但不限于塑料板)的第一侧20a上镀上导电材料后,再以激光蚀刻的方式,将镀层蚀刻成特定图样并经由导电孔20c电性连接电极导通区域31以作为电源供应线路32。在另一些实施例中,也可以使用导线制作电源供应线路32。

在本实用新型一或多个实施例中,正极导通区域311及负极导通区域312为异方向性导电胶膜(anisotropic conductive film,ACF)或电镀层。进一步言,检测板20是先在介电材质的板材(例如,但不限于塑料板)的第二侧20b上镀上导电材料后,再以激光或其他蚀刻方式,蚀刻出电极导通区域31,电极导通区域31再经由导电孔20c与电源供应线路32达成电性连接。或者,在另一些实施例中,也可以直接利用异方向性导电胶膜贴附于检测板20的第二侧20b上,再与电源供应线路32电性连接。

请参阅图8,为本实用新型再一实施例的晶粒功能检测装置的示意图。如图8所示,在本实用新型一或多个实施例中,晶粒功能检测装置100更包含光学检测单元50。光学检测单元50通过贯孔21撷取包含晶粒91的影像,以根据影像判断晶粒91的功能。举例来说,光学检测单元50可以是照相机,其可具有感光耦合元件(Charge-coupled Device,CCD),但并不以此为限,光学检测单元50亦可以是摄影机而记录包含晶粒91的影像的信息。如此,可以通过光学检测单元50而有效率地根据所撷取的影像,判断晶粒91是否正常作动,进而达成快速筛检的目的。

请参阅图9,为本实用新型还一实施例的晶粒功能检测装置的示意图。如图9所示,在本实用新型一或多个实施例中,晶粒功能检测装置100更包含一激光设备60。激光设备60输出激光至功能非为正常的异常晶粒91,以标记该异常的晶粒91(如图9所示)。也就是说,当电力通过电源供应线路32以及电极导通区域31供应至晶粒91的馈电部912之后,可以仪器或是肉眼辨识晶粒91是否能够正常驱动,并且利用激光设备60所输出的激光对异常的晶粒91进行标记,因此后续筛选时可以通过标记的有无快速分类正常晶粒91与异常晶粒91。于一或多个实施例中,激光设备60可以根据光学检测单元50所撷取的影像标记异常晶粒91,或者激光设备60亦可以根据操作者的控制标记异常晶粒91。

在一实施例中,可以激光设备60切割晶粒91,并且仅将正常的晶粒91切割下来。在此实施例中,可不需标记异常的晶粒91。

通过以上所揭示之一或多个实施例所述的晶粒功能检测装置,在晶粒尚未从晶圆上切割下来的情况下,能够通过肉眼或仪器一次性地辨识多个晶粒受电力驱动后是否能够正常作动,进而对多个晶粒进行筛选,无须在晶粒从晶圆切割下来后再逐一进行检测。因此,可以节省晶粒功能检测所需的时间与成本。在一些实施例中,可以通过光学检测单元而有效率地根据所撷取的影像,判断晶粒是否正常作动,进而达成快速筛检的目的。并且,还可以利用激光设备所输出的激光对异常的晶粒进行标记,因此后续筛选时可以通过标记的有无快速分类正常晶粒与异常晶粒。

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