1.一种高电压陶瓷电容器芯片，包括陶瓷基体，其特征在于：所述陶瓷基体的上表面边沿内侧设有与陶瓷基体边沿形状相同的第一凹槽，所述第一凹槽的内侧围有第一丝印平面，所述第一凹槽的外围形成有第一外围平面，所述第一外围平面与第一丝印平面之间由第一凹槽完全分隔，所述第一外围平面的外侧边与陶瓷基体的侧面上端相接，所述第一外围平面平行于第一丝印平面所在平面，所述第一丝印平面的表面通过丝网印刷有第一电极层；所述陶瓷基体的下表面边沿内侧设有与陶瓷基体边沿形状相同的第二凹槽，所述第二凹槽的内侧围有第二丝印平面，所述第二凹槽的外围形成有第二外围平面，所述第二外围平面与第二丝印平面之间由第二凹槽完全分隔，所述第二外围平面的外侧边与陶瓷基体的侧面下端相接，所述第二外围平面平行于第二丝印平面所在平面，所述第二丝印平面的表面通过丝网印刷有第二电极层。
2.根据权利要求1所述的高电压陶瓷电容器芯片，其特征在于：所述第一凹槽、第一外围平面、第二凹槽和第二外围平面的对称轴均与陶瓷基体的对称轴重合。
3.根据权利要求1或2所述的高电压陶瓷电容器芯片，其特征在于：所述第一丝印平面所在平面高于第一外围平面所在平面，所述第二丝印平面所在平面低于第二外围平面所在平面。
4.根据权利要求1或2所述的高电压陶瓷电容器芯片，其特征在于：所述第一丝印平面所在平面与第一外围平面所在平面为同一平面，所述第二丝印平面所在平面与第二外围平面所在平面为同一平面。
5.根据权利要求1或2所述的高电压陶瓷电容器芯片，其特征在于：所述第一丝印平面所在平面低于第一外围平面所在平面，所述第二丝印平面所在平面高于第二外围平面所在平面。
6.根据权利要求1所述的高电压陶瓷电容器芯片，其特征在于：所述第一凹槽与第二凹槽的截面形状均可为三角形、多边形或圆弧形。
7.根据权利要求2所述的高电压陶瓷电容器芯片，其特征在于：所述第一凹槽的底部中心与第一丝印平面所在平面的距离为0.05-0.20mm，所述第二凹槽的底部中心与第二丝印平面所在平面的距离为0.05-0.20mm。
8.根据权利要求2所述的高电压陶瓷电容器芯片，其特征在于：所述第一外围平面的内侧边与第一丝印平面的外侧边之间的距离为0.10-0.40mm，所述第二外围平面的内侧边与第二丝印平面的外侧边之间的距离为0.10-0.40mm。
9.根据权利要求2所述的高电压陶瓷电容器芯片，其特征在于：所述第一外围平面的内侧边与外侧边之间的距离为0.05-0.20mm，所述第二外围平面的内侧边与外侧边之间的距离为0.05-0.20mm。
10.根据权利要求1所述的高电压陶瓷电容器芯片，其特征在于：所述陶瓷基体为圆柱形或多边形。