高电压陶瓷电容器芯片的制作方法

文档序号:19704924发布日期:2020-01-15 00:43阅读:303来源:国知局
高电压陶瓷电容器芯片的制作方法

本实用新型涉及陶瓷电容器制造技术领域,具体涉及一种高电压陶瓷电容器芯片。



背景技术:

陶瓷电容器作为基本的无源元件,广泛应用于电源、家电、汽车等设备,起滤波、振荡、耦合的作用。随着电子元件的小型化发展趋势明显,业内已出现双凹形高压陶瓷电容器芯片结构,该结构通过在圆柱体的电介质上下丝印平面对称的制造出圆台形空缺形成,该结构可减少介质材料用量,实现小型化。但当前行业内制造高压陶瓷电容的普遍方式仍是烧渗法,已公开的双凹形结构印刷时因下凹深度过大,在采用丝网印刷时会出现印刷无法触及凹面,凹面不上膏的问题,而且印刷的电极层边沿容易出现锯齿边问题,降低耐电压性能的问题。



技术实现要素:

本实用新型针对现有技术存在之缺失,提供一种高电压陶瓷电容器芯片,其能改善电极层丝网印刷产生的不膏不良及锯齿边问题,提高电容芯片的耐电压性能。

为实现上述目的,本实用新型采用如下之技术方案:

一种高电压陶瓷电容器芯片,包括陶瓷基体,所述陶瓷基体的上表面边沿内侧设有与陶瓷基体边沿形状相同的第一凹槽,所述第一凹槽的内侧围有第一丝印平面,所述第一凹槽的外围形成有第一外围平面,所述第一外围平面与第一丝印平面之间由第一凹槽完全分隔,所述第一外围平面的外侧边与陶瓷基体的侧面上端相接,所述第一外围平面平行于第一丝印平面所在平面,所述第一丝印平面的表面通过丝网印刷有第一电极层;所述陶瓷基体的下表面边沿内侧设有与陶瓷基体边沿形状相同的第二凹槽,所述第二凹槽的内侧围有第二丝印平面,所述第二凹槽的外围形成有第二外围平面,所述第二外围平面与第二丝印平面之间由第二凹槽完全分隔,所述第二外围平面的外侧边与陶瓷基体的侧面下端相接,所述第二外围平面平行于第二丝印平面所在平面,所述第二丝印平面的表面通过丝网印刷有第二电极层。

作为一种优选方案,所述第一凹槽、第一外围平面、第二凹槽和第二外围平面的对称轴均与陶瓷基体的对称轴重合。

作为一种优选方案,所述第一丝印平面所在平面高于第一外围平面所在平面,所述第二丝印平面所在平面低于第二外围平面所在平面。

作为一种优选方案,所述第一丝印平面所在平面与第一外围平面所在平面为同一平面,所述第二丝印平面所在平面与第二外围平面所在平面为同一平面。

作为一种优选方案,所述第一丝印平面所在平面低于第一外围平面所在平面,所述第二丝印平面所在平面高于第二外围平面所在平面。

作为一种优选方案,所述第一凹槽与第二凹槽的截面形状均可为三角形、多边形或圆弧形。

作为一种优选方案,所述第一凹槽的底部中心与第一丝印平面所在平面的距离为0.05-0.20mm,所述第二凹槽的底部中心与第二丝印平面所在平面的距离为0.05-0.20mm。

作为一种优选方案,所述第一外围平面的内侧边与第一丝印平面的外侧边之间的距离为0.10-0.40mm,所述第二外围平面的内侧边与第二丝印平面的外侧边之间的距离为0.10-0.40mm。

作为一种优选方案,所述第一外围平面的内侧边与外侧边之间的距离为0.05-0.20mm,所述第二外围平面的内侧边与外侧边之间的距离为0.05-0.20mm。

作为一种优选方案,所述陶瓷基体为圆柱形或多边形。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,通过在陶瓷基体上、下表面边沿内侧分别设置第一凹槽和第二凹槽,从而在第一凹槽和第二凹槽内侧分别形成第一丝印平面和第二丝印平面,从而在丝网印刷电极时可通过凹槽的定位,避免出现印刷偏心的问题,同时使印刷时多余的膏料落入凹槽内,也避免了电极边沿出现锯齿的问题,使得电容边沿的电场分布更均匀,从而使电容耐电压能力提高20-30%,而且,该种结构的电容芯片更加适合于丝网印刷工艺,生产成本更低。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征、技术手段及其所达到的具体目的和功能,下面结合附图与具体实施例来对本实用新型作进二步详细说明:

附图说明

图1是本实用新型之实施例的俯视结构示意图;

图2是图1中a-a处的截面示意图;

图3是图2中b处的放大示意图;

图4是本实用新型之第二实施例的截面示意图;

图5是本实用新型之第三实施例的截面示意图;

图6是本实用新型之第四实施例的俯视结构示意图;

图7是本实用新型之第五实施例的俯视结构示意图。

附图标识说明

1、陶瓷基体2、第一丝印平面3、第一凹槽

4、第一外围平面5、第二丝印平面6、第二凹槽

7、第二外围平面l1、l2、l3、l1′、l2′、l3′、距离

具体实施方式

在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的位置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或二体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以视具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

如图1-3所示,本实用新型的第一实施例,一种高电压陶瓷电容器芯片,包括圆柱形的陶瓷基体1,所述陶瓷基体1的上表面边沿内侧设有与陶瓷基体边沿形状相同的第一凹槽3,所述第一凹槽3的内侧围有第一丝印平面2,所述第一凹槽3的外围形成有第一外围平面4,所述第一外围平面4与第一丝印平面2之间由第一凹槽3完全分隔,所述第一外围平面4的外侧边与陶瓷基体1的侧面上端相接,所述第一外围平面4平行于第一丝印平面2所在平面,所述第一丝印平面2的表面通过丝网印刷有第一电极层(未画出);所述陶瓷基体1的下表面边沿内侧设有与陶瓷基体边沿形状相同的第二凹槽6,所述第二凹槽6的内侧围有第二丝印平面5,所述第二凹槽6的外围形成有第二外围平面7,所述第二外围平面7与第二丝印平面5之间由第二凹槽6完全分隔,所述第二外围平面7的外侧边与陶瓷基体1的侧面下端相接,所述第二外围平面7平行于第二丝印平面5所在平面,所述第二丝印平面5的表面通过丝网印刷有第二电极层(未画出)。所述第一凹槽3、第一外围平面4、第二凹槽6和第二外围平面7的对称轴均与陶瓷基体1的对称轴重合。所述第一丝印平面2所在平面与第一外围平面4所在平面为同一平面,所述第二丝印平面5所在平面与第二外围平面7所在平面为同一平面。所述第一凹槽3与第二凹槽6的截面形状均为圆弧形。所述第一凹槽3的底部中心与第一丝印平面2所在平面的距离l1为0.05-0.20mm,所述第二凹槽6的底部中心与第二丝印平面5所在平面的距离l1′为0.05-0.20mm。所述第一外围平面4的内侧边与第一丝印平面2的外侧边之间的距离l2为0.10-0.40mm,所述第二外围平面7的内侧边与第二丝印平面5的外侧边之间的距离l2′为0.10-0.40mm。所述第一外围平面4的内侧边与外侧边之间的距离l3为0.05-0.20mm,所述第二外围平面7的内侧边与外侧边之间的距离l3′为0.05-0.20mm。

如图4所示,本实用新型的第二实施例,其与上述实施例的区别在于,所述第一丝印平面2所在平面高于第一外围平面4所在平面,所述第二丝印平面5所在平面低于第二外围平面7所在平面。

如图5所示,本实用新型的第三实施例,其与上述实施例的区别在于,所述第一丝印平面2所在平面低于第一外围平面4所在平面,所述第二丝印平面5所在平面高于第二外围平面7所在平面。

需要说明的是,本实用新型中,所述第一凹槽3与第二凹槽6的截面形状也可为三角形或多边形。

如图6所示,本实用新型的第四实施例,所述陶瓷基体1也可为方形的陶瓷基体。

如图7所示,本实用新型的第五实施例,所述陶瓷基体1也可为多边形的陶瓷基体。

以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,故凡是依据本实用新型的技术实际对以上实施例所作的任何修改、等同替换、改进等,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

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