1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底内具有多条字线、位于相邻两条所述字线之间的导电接触区；
孔，位于所述导电接触区；
沟槽，位于所述导电接触区；
所述孔位于所述沟槽上方且相互连通；
其中所述孔的宽度大于所述沟槽的宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
隔离层，位于所述字线与所述导电接触区之间，用于电性隔离所述导电接触区与所述字线；
所述字线的顶面与所述沟槽的底面均位于所述隔离层的顶面之下。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内还具有字线沟槽，所述隔离层覆盖于所述字线沟槽内壁，所述字线填充于部分所述字线沟槽内、并覆盖于部分所述隔离层背离所述导电接触区的表面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述孔的宽度与所述导电接触区的宽度相等。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电接触区为存储单元接触区或位线接触区。
6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多条所述字线将所述衬底划分为若干个交替排列的存储单元接触区和位线接触区；
所述孔包括位于所述存储单元接触区的第一孔和位于所述位线接触区的第二孔；
所述沟槽包括位于所述存储单元接触区的第一沟槽和位于所述位线接触区的第二沟槽；
所述半导体结构还包括至少填充满所述第一孔和所述第一沟槽的存储单元接触插塞、以及至少填充满所述第二孔和所述第二沟槽的位线接触插塞。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述存储单元接触插塞与所述位线接触插塞的材料均为多晶硅材料。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述字线的材料为金属材料。
9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，在沿垂直于所述衬底的方向上，所述存储单元接触插塞和所述位线接触插塞的底面均位于所述字线的顶面之上。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，在沿垂直于所述衬底的方向上，所述存储单元接触插塞的底面距离所述隔离层顶面的距离大于或等于所述存储单元接触插塞的底面距离所述字线顶面的距离，且所述位线接触插塞的底面距离所述隔离层顶面的距离大于或等于所述位线接触插塞的底面距离所述字线顶面的距离。