一种具有多层结构芯片的LED灯的制作方法

本实用新型涉及照明技术领域，具体为一种具有多层结构芯片的led灯。

背景技术：

传统led封装结构均需采用支架或者基板作为led芯片的支撑体，支架或者基板都有正负极，通过金属线实现正负极电气连通，然后再用胶体或者荧光粉与胶体混合物对芯片进行封装，此封装结构是采用金属线键合工艺，可靠性低；具有基板，整体结构热阻大，缩短了芯片的使用寿命。

基于倒装芯片的新型的芯片级封装led结构是芯片有正负电极，直接在芯片的上表面和侧面封装胶体，且侧面封装高反射的白墙胶，使芯片的电极外露，此结构的缺点是白墙角度为90度不利于光的萃取，降低了器件的光通量；荧光胶在覆晶芯片周围，荧光粉直接接触覆晶芯片，而覆晶芯片在大电流下工作时，会产生高温，这将导致荧光粉在高温下的光效及可靠性下降，出现较大的光衰和色漂；荧光粉为固体颗粒，混在胶水中，在与芯片表面接触处，荧光粉颗粒周围易形成气泡，影响胶层与芯片的粘合力及荧光的萃取率。因此，针对上述问题提出一种具有多层结构芯片的led灯。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种具有多层结构芯片的led灯，通过改变粉胶及杯壁结构，改善了器件的出光率、可靠性、空间颜色均匀性。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种具有多层结构芯片的led灯，包括底板、下壳体、上壳体、透明板和反光碗，所述底板的外侧固定连接有下壳体，所述下壳体的顶端面外侧螺旋连接有上壳体，所述上壳体的内侧卡和有透明板，所述透明板的底端面设有反光碗，所述底板的顶端面固定连接有斜围白墙层，所述斜围白墙层的外侧顶端固定连接有支撑环，且支撑环的顶端设有反光碗，所述斜围白墙层的内侧设有安装腔体，所述安装腔体的底部设有芯片，且所有的所述芯片均位于同一水平面上，所述斜围白墙层的底端固定连接有底白墙层所述底白墙层上开设有呈左右设置的正电极安装槽和负电极安装槽，所述正电极安装槽内侧安装有正电极，所述负电极安装槽内安装有负电极，所有的所述芯片的正极接线柱均与正电极电性连接，所述的所述芯片的负极接线柱均与负电极电性连接，所述斜围白墙层的安装腔体中设有覆盖所有的芯片的第一硅胶封装胶层，所述第一硅胶封装胶层顶部覆盖设有第一荧光胶层，所述第一荧光胶层顶部覆盖设有第二硅胶封装胶层，所述第二硅胶封装胶层顶部覆盖设有第二荧光胶层，所述第二荧光胶层顶部覆盖有第三硅胶封装胶层，所述第一荧光胶层、第二硅胶封装胶层、第二荧光胶层、第三硅胶封装胶层均置于斜围白墙层的安装腔体中。

优选的，所述斜围白墙层内的安装腔体呈倒圆台状设置，且斜围白墙层内侧面的倾斜角度为0～40°。

优选的，所述安装腔体的内侧底端固定连接有格栅板，所述格栅板的内侧均匀的安装有芯片。

优选的，所述第一硅胶封装胶层、第一荧光胶层、第二硅胶封装胶层、第二荧光胶层、第三硅胶封装胶层依次模压加工而成。

优选的，所述格栅板是由耐高温板材构成，所述芯片通过固晶胶安装于格栅板内。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型中，芯片底部的白墙材料可增加反光效果，提高了器件的光效，可防止芯片底部漏光；

2、本实用新型中，采用透明硅胶层与芯片表面直接接触，led元件荧光层不直接与覆晶芯片接触，避免了因高温产生光衰或色漂，胶水与芯片表面直接接触，增加胶水在芯片表面的润湿能力，提高胶层与芯片的结合力，降低芯片表面出现气泡的概率，提高了光的萃取率；

3、斜围白墙层角度处于90-130°，更利于光线的反射，可提升产品的光萃取率，减少光损失，提高产品的出光率；白墙内部反射面的形状不限，可以是平面、椭圆面、抛物面等形状；

4、本实用新型结构最上层采用了硅胶层，硅胶层可以是纯硅胶层、扩散层；扩散层为胶水与有机硅类颗粒混合物，此层可通过光的散射改变光的传播路径，使光充分的混合，使发光面的光强度更均匀、柔和，避免器件炫光等问题；减弱器件边缘色度与中心色度的偏差，使空间各点色度分布更均匀；也可以保护荧光层不受外界的损伤，可避免灯珠色度不良；

5、本实用新型中，采用了两层荧光胶结构而非一层荧光胶，减弱了荧光粉对蓝光的直接反射或散射作用，使蓝光更容易穿透第一层荧光粉进入硅胶层，可将更多的蓝光限制在硅胶层，通过反射、散射等作用，可充分利用硅胶层中的蓝光激发荧光粉，提高器件的发光效率，节约荧光粉的用量，降低了器件成本。

附图说明

图1为本实用新型整体结构示意图；

图2为本实用新型图1格栅板结构示意图。

图中：1-底板、2-下壳体、3-上壳体、4-透明板、5-反光碗、6-斜围白墙层、7-支撑环、8-芯片、9-底白墙层、10-正电极安装槽、11-负电极安装槽、12-正电极、13-负电极、14-第一硅胶封装胶层、15-第一荧光胶层、16-第二硅胶封装胶层、17-第二荧光胶层、18-第三硅胶封装胶层、19-格栅板。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：

一种具有多层结构芯片的led灯，包括底板1、下壳体2、上壳体3、透明板4和反光碗5，所述底板1的外侧固定连接有下壳体2，所述下壳体2的顶端面外侧螺旋连接有上壳体3，所述上壳体3的内侧卡和有透明板4，所述透明板4的底端面设有反光碗5，所述底板1的顶端面固定连接有斜围白墙层6，所述斜围白墙层6的外侧顶端固定连接有支撑环7，且支撑环7的顶端设有反光碗5，所述斜围白墙层6的内侧设有安装腔体，所述安装腔体的底部设有芯片8，且所有的所述芯片8均位于同一水平面上，所述斜围白墙层6的底端固定连接有底白墙层9所述底白墙层9上开设有呈左右设置的正电极安装槽10和负电极安装槽11，所述正电极安装槽10内侧安装有正电极12，所述负电极安装槽11内安装有负电极13，所有的所述芯片8的正极接线柱均与正电极12电性连接，所述的所述芯片8的负极接线柱均与负电极13电性连接，所述斜围白墙层6的安装腔体中设有覆盖所有的芯片8的第一硅胶封装胶层14，所述第一硅胶封装胶层14顶部覆盖设有第一荧光胶层15，采用透明硅胶层与芯片表面直接接触，led元件荧光层不直接与覆晶芯片接触，避免了因高温产生光衰或色漂，胶水与芯片表面直接接触，增加胶水在芯片表面的润湿能力，提高胶层与芯片的结合力，降低芯片表面出现气泡的概率，提高光的萃取率，所述第一荧光胶层15顶部覆盖设有第二硅胶封装胶层16，所述第二硅胶封装胶层16顶部覆盖设有第二荧光胶层17，所述第二荧光胶层17顶部覆盖有第三硅胶封装胶层18，所述第一荧光胶层15、第二硅胶封装胶层16、第二荧光胶层17、第三硅胶封装胶层18均置于斜围白墙层6的安装腔体中，此层可通过光的散射改变光的传播路径，使光充分的混合，使发光面的光强度更均匀、柔和，避免器件炫光等问题；减弱器件边缘色度与中心色度的偏差，使空间各点色度分布更均匀；也可以保护荧光层不受外界的损伤，可避免灯珠色度不良。

所述斜围白墙层6内的安装腔体呈倒圆台状设置，且斜围白墙层6内侧面的倾斜角度为0～40°,更利于光线的反射，可提升产品的光萃取率，减少光损失，提高产品的出光率,所述安装腔体的内侧底端固定连接有格栅板19，所述格栅板19的内侧均匀的安装有芯片8，有效的保证了光源的均匀，所述第一硅胶封装胶层14、第一荧光胶层15、第二硅胶封装胶层16、第二荧光胶层17、第三硅胶封装胶层18依次模压加工而成，这种加工工艺有效的保证了成品的质量，所述格栅板19是由耐高温板材构成，所述芯片8通过固晶胶安装于格栅板19内，这种设置保证高温加工的进行。

生产流程：a、固晶，在耐高温材料表面制作用于定位的格栅板19，然后在格栅板19内侧顶部将发光芯片8通过固晶胶与所述耐高温材料固定，所述耐高温材料为金属板，所述固晶胶为热解胶；

b、按照一定比例将荧光粉与硅胶配制成荧光胶、按照一定比例将硅胶和扩散粉配制成硅胶封装胶；

c、模压，采用内壁具有特殊结构的模具在发光芯片8顶面和侧面模压第一硅胶封装胶层14，在第一硅胶封装胶层14表面模压一层配制好的第一荧光胶层15，之后在所述第一荧光胶胶层15表面模压第二硅胶封装胶层16，之后在所述第二硅胶封装胶层16表面模压第二荧光胶层17，再在所述第二荧光胶层17表面模压第三硅胶封装胶层18；模压温度为80-150℃，模压压力为15-120kgf/m2，模压时间为2-10min；

d、转移，将所述步骤c所得到的半成品，转移到另一耐高温材料表面，所述耐高温材料表面对应所述蓝宝石led芯片的电极位置设置有高度为1-200μm的凸台；

e、模白墙，在所述步骤d得到的半成品上模压斜围白墙层6和底白墙层9；

f、固化，在高温下烘烤由所述步骤e得到的半成品，使所述硅胶封装胶层、荧光胶层和白墙胶固化，即得封装结构，在应用所述封装结构时，将封装结构由耐高温材料上取下，直接通过金属焊料将所述封装结构焊接于具有焊盘的印制电路板上即可，无需采用金属线。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。