一种LED封装支架及封装体的制作方法

本实用新型涉及led封装技术领域，具体是涉及一种led封装支架及封装体。

背景技术：

近些年，在led显示屏领域，小间距显示应用市场快速发展和扩大，它被广泛应用于体育场馆、城市及公共广场、交通、企业形象宣传、商业广告等方面。体育场馆观看距离远并且对环境亮度要求高，led显示屏则能很好的满足这种特殊要求，确保观众获得清晰、鲜明的彩色图像，为观众带来无限的视觉享受。但受制于传统贴片led封装尺寸的大小和散热问题，led显示屏无法做到像其他的显示媒体那样方便近距离观看，使得led显示屏无法在室内高清显示领域获得良好的应用。

为了减小led灯珠的封装尺寸，实现led显示屏小点间距，高清晰度的要求，现有贴片led封装支架尺寸越来越小，因此封装支架上各电极之间的间距也设计得越来越小，在红、绿、蓝芯片固晶过程中，易出现因固晶银胶溢胶而造成的短路问题。

另外，由于采用的芯片中红光芯片为垂直芯片结构，绿光和蓝光芯片通常为正装芯片结构，这造成了红光芯片和蓝、绿光芯片的厚度不一致，会存在高度差，这增加了焊接金线时的操作难度，尤其是在小空间内焊线时的难度大大增加。

技术实现要素：

本实用新型旨在提供一种led封装支架，以解决现有的小尺寸灯珠封装多颗芯片时，易出现因固晶银胶溢胶而造成的短路的问题。

具体方案如下：

一种led封装支架，该led封装支架包括绝缘的基座，嵌设于基座内的金属电极及由其延伸出的金属引脚，所述基座上具有一固晶面，该固晶面上至少包括第一固晶区和第二固晶区，所述第一固晶区和第二固晶区下凹设置于固晶面上，并且所述第一固晶区和第二固晶区被基座阻隔。

进一步的，所述第一固晶区和第二固晶区下凹的深度不同。

进一步的，所述第一固晶区和第二固晶区之间的高度差为20～50微米。

进一步的，所述金属电极包括了顺时针排布的第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述第一固晶区位于第一电极的表面上，所述第二电极、第三电极和第四电极上分别具有焊线区域。

进一步的，所述第二电极、第三电极和第四电极上的焊线区域均位于同一平面上。

进一步的，所述第二电极、第三电极和第四电极上的焊线区域均与固晶面齐平设置。

进一步的，所述第三电极和第四电极之间还具有一金属片，该金属片的表面为所述第二固晶区。

本实用新型还提供了一种封装体，包括如上任一所述的led封装支架、固晶在led封装支架上多颗led芯片，其中第一固晶区上固晶有第一led芯片，第二固晶区上固晶有第二led芯片。

进一步的，固晶于第一固晶区上的第一led芯片为led红光芯片，固晶在第二固晶区上的第二led芯片为led蓝光芯片和/或led绿光芯片，其中，所述第一固晶区下凹的深度大于第二固晶区下凹的深度。

进一步的，固晶于第一固晶区上的led红光芯片和固晶于第二固晶区上的led蓝光芯片和/或led绿光芯片的顶面大致齐平。

本实用新型提供的led封装支架与现有技术相比较具有以下优点：

1、本实用新型提供的led封装支架上具有至少第一固晶区和第二固晶区，且这些固晶区下凹设置，在点固晶胶时，固晶胶被固晶区周围的绝缘侧壁阻隔，而不会溢流至凹槽外面，因此点固晶胶时，可以设置正的偏差，以确保芯片能够稳定的固定在封装支架上，并且不会导致各电极之间短路。大大提高了芯片封装的良率。

2、本实用新型提供的led封装支架上的第一固晶区和第二固晶区下凹的深度不同，因此在固晶led红光芯片、led蓝光芯片和led绿光芯片时，第一固晶区和第二固晶区下凹的高度差可以弥补led红光芯片与led蓝光芯片和/或led绿光芯片的高度差，从而使得led红光芯片与led蓝光芯片和/或led绿光芯片的顶面高度大致相同，便于后续的焊线操作，可大大提高焊线的效率和良率。

附图说明

图1示出了led封装支架的立体示意图。

图2示出了led封装支架的俯视图。

图3示出了图2中a-a处的剖面图。

图4示出了图2中b-b处的剖面图。

图5示出了图2中c-c处的剖面图。

图6示出了一种led封装支架内的各金属电极的示意图。

图7示出了另一种led封装支架内的各金属电极的示意图。

具体实施方式

为进一步说明各实施例，本实用新型提供有附图。这些附图为本实用新型揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本实用新型的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。

现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

如图1-图6所示的，本实施例提供了一种led封装支架，该led封装支架包括绝缘的基座1，嵌设于基座1内的金属电极2及由其延伸出的金属引脚20。其中基座1由绝缘材料制成，例如ppa(聚邻苯二甲酰胺)，emc(环氧树脂注塑化合物epoxymoldingcompound)、陶瓷等，金属电极2则一般由铜、铁等作为基材，并在外表面电镀银层，以增加反射率。本实施例中以基座1由ppa制成，金属电极2由纯铜作为基材，其表面电镀银层为例来进行说明。

金属电极2包括了第一电极210、第二电极220、第三电极230和第四电极240。在本实施例中以该封装支架上封装了红光芯片30、绿光芯片31和蓝光芯片32为例进行说明，4个电极分别作为红光芯片30、绿光芯片31和蓝光芯片32的正负极。其中，本实施例中的红光芯片30、绿光芯片31和蓝光芯片32共用正极，具体是第一电极210作为红光芯片30的负极、第三电极230作为绿光芯片的负极、第四电极240作为蓝光芯片的负极，第二电极220为正极。虽然该led封装支架应用于r、g、b芯片的封装更具优势，但并不限定于此，其可同样应用于其它多芯片的封装。

其中，该基座1具有一固晶面10，本实施例中的固晶面10为碗杯的底面，即为现有led封装支架的固晶面。固晶面10上至少包括第一固晶区101和第二固晶区102，第一固晶区101和第二固晶区102下凹设置于固晶面10上，并且被基座1阻隔，即第一固晶区101和第二固晶区102均为在固晶面10上下凹设置的凹槽。本实施例中以固晶面10上包括一第一固晶区101和一第二固晶区102为例来进行说明，但并不限定于此，固晶区的数量可根据实际需求来确定。

在点固晶胶时，固晶胶被固晶区周围的绝缘侧壁阻隔，而不会溢流至凹槽外面，因此点固晶胶时，可以设置正的偏差，以确保芯片能够稳定的固定在封装支架上，并且不会导致各电极之间短路。大大提高了芯片封装的良率。

作为本实施例的一优选实施方式，上述的第一固晶区101和第二固晶区102下凹的深度不同。本实施例中以第一固晶区101下凹的深度大于第二固晶区102下凹的深度为例来进行说明，其中第一固晶区101下凹的深度为50微米，第二固晶区102下凹的深度为20微米。在本实施例中，红光芯片30固晶在第一固晶区101上，绿光芯片31和蓝光芯片32都固晶在第二固晶区102上。

现有的rgb封装中的红光芯片为algainp制程，芯片结构大都为垂直结构，绿光芯片和蓝光芯片为ingan制程，芯片结构大都为正装结构，因此红光芯片的厚度和绿光芯片、蓝光芯片的厚度不同。这里所说的垂直结构是指芯片结构的正、负电极分别位于芯片的表面和底面上；正装结构是指芯片结构的正、负电极均位于芯片的表面上。

由于现有封装支架的红光芯片和蓝、绿光芯片的固晶面是位于同一平面上的，因此在固晶完后，红光芯片和蓝、绿光芯片的正、负电极的高度也是不一致的，具有一定的高度差。因而在进行键合线焊线操作时，红光芯片无法与蓝、绿光芯片采用相同的工艺条件，需根据其高度来调整而分开进行焊线操作，从而增加了焊线工艺的步骤以及难度，降低了效率和良率。

本实施例中提供的封装支架的第一固晶区101和第二固晶区102具有一定的高度差，因此红光芯片和蓝、绿光芯片分别固晶在第一固晶区101和第二固晶区102内后，由于第一固晶区101和第二固晶区102的高度差弥补，红光芯片和蓝、绿光芯片表面的高度处于大致水平，因此焊线时可以采用相同的工艺条件一次进行焊线操作，大大降低了焊线的难度，以及大大提高了焊线的效率和良率。

优选的，第三电极230、第四电极240和第二电极220的表面作为键合线的焊线区域，其大致位于同一平面上，以使键合线在焊线时，芯片表面上的电极与第三电极230、第四电极240和第二电极220的表面之间的高度差大致是相同的，可更简单进行焊线操作，以提高焊线的效率。

在本实施例中，第一固晶区101和第二固晶区102之间的高度差优选在20～50微米，在此范围内，该封装支架具有更好的适用性。

参考图1-图6，在本实施例中，第一固晶区101为第一电极210露出于固晶面10的表面。由于红光芯片30通常为垂直结构芯片，因此固晶时采用导电银浆进行固晶，即可实现固晶效果，也可实现和第一电极210之间的导通。

而绿光芯片31和蓝光芯片32则固晶在金属片250的表面上，该金属片250可如图6所示位于第三电极230和第四电极240之间，该金属片250和第四电极240采用热电分离的方式。也可如图7所示，即金属片250和第四电极240采用一体式设计。

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。