硅片清洗机及插片机构的制作方法

文档序号:21068310发布日期:2020-06-12 14:34阅读:682来源:国知局
硅片清洗机及插片机构的制作方法

本实用新型涉及硅片清洗设备技术领域,尤其涉及一种硅片清洗机及插片机构。



背景技术:

硅片在制备过程中会进行叠放,相邻的硅片之间因存在切割液和硅粉等而紧密粘连,在进行下一个工序前,需要用清洗机对硅片进行清洗,目前常用的清洗机为硅片插片清洗一体机,如图1-2所示,它主要通过分别设置在清洗机的插片机构前方和左右两侧的喷头喷发液体,冲击硅片,使得相邻的硅片分离,分离后位于上层的硅片漂浮至插片机构的底部,该硅片在连续旋转的传输皮带的作用下流出,余下的硅片则循环该动作,依次分离流出。

但是随着近年来硅片切割行业的发展,传统的砂浆切割已逐渐被金刚线切割所替代,硅片厚度也由200微米逐步变成165微米甚至更薄,硅片在清洗的过程中,能承受液体流动冲击的能力降低,在插片作业时,从插片机构前端的前喷头以及两侧的侧喷头喷出的液体压力,一部分作用到硅片的边缘起到分离硅片的作用;另一部分作用到上层硅片的上部和边缘,极易导致硅片的上表面和边缘出现缺口、硅落和隐裂,影响硅片的良率,大大增加了硅片生产作业的损失。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于克服现有技术中所述的缺陷,从而提供一种硅片清洗机及插片机构,该插片机构可有效降低硅片隐裂、硅片缺口和硅落的现象,提高硅片清洗的良率。

为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种插片机构,包括上片底板和成对设于所述上片底板两侧的滚轮,所述滚轮用以助力靠近所述上片底板侧的硅片的滑出,其中所述上片底板包括相对设置的进水端和出片端,所述上片底板上靠近所述进水端处开设有主倒流孔。

在一个实施例中,所述上片底板的主倒流孔与出片端之间穿设有转轴,所述滚轮分别安装于所述转轴的两端。

在一个实施例中,所述转轴有多个,每个转轴的两端均安装有所述滚轮,其中至少靠近所述主倒流孔的转轴上还安装有从动轮,所述上片底板上对应地开设有用以容纳所述从动轮的安装槽,有且仅有靠近所述主倒流孔的安装槽与所述主倒流孔相连通。

在一个实施例中,所述转轴有两个,各个所述转轴的中部均安装有所述从动轮。

在一个实施例中,所述主倒流孔为条孔,所述条孔平行于所述转轴设置。

在一个实施例中,所述上片底板上还分别开设有第一副倒流孔和第二副倒流孔,所述第一副倒流孔和所述第二副倒流孔分布于所述主倒流孔的两侧,用以分流喷发至所述上片底板的清洗液。

在一个实施例中,所述上片底板的下方不加装耐磨底板。

一种硅片清洗机,包括分片机构以及上述的插片机构,所述分片机构环设于所述插片机构周侧。

在一个实施例中,所述分片机构包括前喷头、左喷头和右喷头,所述前喷头对应于所述进水端布置,所述左喷头和所述右喷头分别设于所述插片机构的两侧。

与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:

本实用新型提供的插片机构相对于现有技术来说,在上片底板上靠近进水端处开设了主倒流孔,因此,当硅片清洗机的清洗液在冲洗叠放的硅片时,即使有较大水压的清洗液喷发至硅片的上表面也会先进入主倒流孔内得到缓冲后再顺流而下,增大了清洗液的下降距离,而不会直接反射至最上层的硅片上表面或边缘,由此大大减少了硅片缺口、硅落和隐裂的情况,从而实现提高硅片良率的目的;而分层后的上层硅片不仅可以在由电机带动的皮带轮的作用下流出,同时还会被成对设置在上片底板两侧的滚轮进行导向助力,促进了硅片的清洗速率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为现有技术中硅片清洗机的结构示意图;

图2为现有技术中硅片清洗机的清洗液清洗轨迹;

图3为本实用新型一个实施例所提供的硅片清洗机的结构示意图;

图4为本实用新型一个实施例所提供的硅片清洗机的结构示意图。

附图标记说明:

1、上片底板;11、安装槽;12、第一副倒流孔;13、第二副倒流孔;2、滚轮;21、转轴;22、从动轮;3、主倒流孔;4、硅片;5、清洗液;6、皮带轮;7、上片电机;8、耐磨底板;9、分片机构。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

此外,下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

实施例1

如图3所示,本实用新型提供了一种插片机构,包括上片底板1和成对设于上片底板1两侧的滚轮2,滚轮2用以助力靠近所述上片底板侧的硅片的滑出,其中上片底板1包括相对设置的进水端和出片端,上片底板1上靠近进水端处开设有主倒流孔3。

请参阅图2和4,本实用新型的工作原理为清洗机喷发清洗液5,位于上层硅片的清洗液进入主倒流孔3,该部分清洗液5的下降高度得到提升,当重力势能降低后落入上层硅片的上表面进行清洗,所有硅片4在接受由硅片清洗机喷发的清洗液5后不在紧密贴附,随着插片机中上片电机7驱动皮带轮6运转,上层硅片在皮带轮6的带动下向插片机构的出片端滑动,同时滚轮2在上层硅片的滑动下,开始滚动,有效降低了上片底板1与上层硅片之间的摩擦力,上层硅片得以顺畅流出。

本实用新型提供的插片机构在上片底板1上靠近进水端处开设了主倒流孔3,因此,当硅片清洗机的清洗液5在冲洗叠放的硅片4时,即使有较大水压的清洗液5喷发至上层硅片4的上表面也会先进入主倒流孔3内得到缓冲后再顺流而下,增大了清洗液5的下降距离,而不会直接从上片底板上反射至最上层的硅片4上表面或边缘,由此大大减少了硅片缺口、硅落和隐裂的情况,从而实现提高硅片良率的目的;分层后的上层硅片不仅可以在由电机带动的皮带轮的作用下流出,同时还会被成对设置在上片底板两侧的滚轮进行导向助力,降低了上片底板1与上层硅片之间的摩擦力,促进了硅片4的清洗速率。

其中,在本实施例中,如图4所示,上片底板1的主倒流孔3与出片端之间穿设有转轴21,滚轮2分别安装于转轴21的两端。而转轴21的个数可以有多个,每个转轴21的两端均安装有滚轮2,以此可以增加插片机构对上层硅片的助推作用,减小二者的摩擦阻力。

当然,如图3和4所示,除了在转轴21的两端安装滚轮2以外,还可以至少在靠近主倒流孔3的转轴21上安装从动轮22来提高插片机构的助推作用,同时,在上片底板1上对应地开设用以容纳从动轮的安装槽11,需要说明的是,当转轴21为多个且每个转轴21均安装有从动轮22时,上片底板1上相邻两个安装槽11为独立设置互不连通,但是靠近主倒流孔3的安装槽11与主倒流孔2相连通,这样对冲洗液的降压作用更好,进一步提高了硅片4的良率。在本实施例中,从效果和成本两方面权衡,将转轴21设置为两个,并在每个转轴21的中部均安装有从动轮22。

为了提高倒流效果,本实施例将主倒流孔3设置为条孔,且条孔平行于转轴21,以最大程度的倒流清洗液5,因为通常主倒流孔3所在的位置对应于主喷口的液体喷发处,此处的压力最大,若主倒流孔3以其他方位设置,则不能最大程度的接受直击的清洗液,还会有部分清洗液5以较大的冲击力反弹至上层硅片,造成硅片缺口、硅落和隐裂的情况。

考虑到通常硅片清洗机会设置主喷口和两个侧喷口,因此如图3和4所示,还可以在上片底板1上分别开设第一副倒流孔12和第二副倒流孔13,并将第一副倒流孔12和第二副倒流孔13分布于主倒流孔3的两侧,用以分流由两个侧喷口喷发至上片底板1的清洗液。

请参阅图1和图4,在本实施例中,上片底板1的下方不再如常规设置装耐磨底板8,而直接去除,在主导流孔3和/或第一副倒流孔21和第二副倒流孔22的作用下,降低了清洗液5对上片底板1的磨损,且还能降低生产成本。

实施例2

本实施例提供了一种硅片清洗机(可参考图2),该包括硅片清洗机分片机构9以及上述的插片机构,分片机构9环设于插片机构周侧,其中,分片机构9包括前喷头、左喷头和右喷头(未在图中示出),前喷头对应于进水端布置,左喷头和右喷头分别设于插片机构的两侧,左喷头和右喷头喷发的清洗液主要由第一副倒流孔21和第二副倒流孔22进行倒流后对上层硅片的上表面进行清洗。

本实用新型提供的硅片清洗机大大减少了硅片缺口、硅落和隐裂的情况,有效提高了硅片良率和清洗速率。

以上所述仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

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