1.一种发光二极管外延片,其特征在于,所述发光二极管外延片包括衬底及层叠在所述衬底上的外延层,所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型gan层、发光层及p型gan层,
所述发光层包括依次层叠在所述n型gan层上的第一复合层与第二复合层,所述第一复合层包括多个交替层叠的第一ingan阱层和第一gan垒层,所述第二复合层包括多个交替层叠的第二ingan阱层和第二gan垒层,所述第二ingan阱层的厚度小于所述第一ingan阱层的厚度,所述第二gan垒层的厚度小于所述第一gan垒层的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述第二ingan阱层的厚度与所述第一ingan阱层的厚度的比值为0.1~0.3,所述第二gan垒层的厚度与所述第一gan垒层的厚度的比值为0.1~0.3。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片,其特征在于,在所述第二复合层的生长方向上,多个所述第二gan垒层的厚度逐渐减小。
4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片,其特征在于,所述第二ingan阱层的厚度与所述第二gan垒层的厚度的比值为0.1~0.3。
5.根据权利要求1~4任一项所述的发光二极管外延片及其制备方法,其特征在于,所述第二ingan阱层的厚度为10~30nm,所述第二gan垒层的厚度为20~60nm。
6.一种发光二极管外延片的制备方法,其特征在于,所述发光二极管外延片的制备方法包括:
提供一衬底;
在所述衬底上生长缓冲层,
在所述缓冲层上生长n型gan层;
在所述n型gan层上生长发光层,
所述发光层包括依次层叠在所述n型gan层上的第一复合层与第二复合层,所述第一复合层包括多个交替层叠的第一ingan阱层和第一gan垒层,所述第二复合层包括多个交替层叠的第二ingan阱层和第二gan垒层,所述第二ingan阱层的厚度小于所述第一ingan阱层的厚度,所述第二gan垒层的厚度小于所述第一gan垒层的厚度;
在所述发光层上生长p型gan层。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,生长所述第二ingan阱层时,反应腔内的气体环境为包括氮气与氨气的混合气体环境,生长所述第二gan垒层时,所述反应腔内的气体环境为包括氮气、氨气与氢气的混合气体环境。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,生长所述第二ingan阱层时,所述反应腔内的气体环境中氮气与氨气的比值为0.8~1.3,生长所述第二gan垒层时,所述反应腔内的气体环境中氮气与氨气的比值为0.8~1.3,所述反应腔内的气体环境中氨气与氢气的比值为2~5。
9.根据权利要求6~8任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第二ingan阱层的生长温度为750~850℃,所述第二gan垒层的生长温度为850~950℃。
10.根据权利要求6~8任一项所述的制备方法,其特征在于,生长所述第二ingan阱层时,分别向反应腔内通入2000~4000sccm的in源、100~500sccm的ga源与150000~300000sccm的n源,生长所述第二gan垒层时,分别向反应腔内通入1000~3000sccm的ga源与150000~300000sccm的n源,且所述第二ingan阱层的生长时间为120~420s,所述第二gan垒层的生长时间为120~420s。