显示基板的制造方法、显示基板、显示面板及显示装置与流程

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示基板的制造方法、显示基板、显示面板及显示装置。

背景技术：

oled(organiclight-emittingdiode)是一种利用有机半导体材料制成的薄膜发光器件，具有自发光的特性。顶发射是大尺寸oled面板结构中的一种，其开口率大，能够有效的提升寿命、改善画面质量。顶发射要求阴极具有匹配的功函数，较高的透过率和较低的电阻率。因为功函数影响着发光效率等光学参数，由于顶发射的光要从阴极透射过去，所以较高的透过率是必然的要求，电阻率的大小决定了电压的均一性，如果电阻率过高，导致阴极电阻过大，则亮度均一性较差。

但是，透过率和电阻率是一对相互矛盾的参数，增加阴极厚度，可以降低电阻率，但却会降低透过率。辅助阴极是有效的解决电阻率和透过率矛盾的方法。但是，由于大尺寸oled是openmask(开放式掩模)，整个aa区(显示区)都会被el材料(发光材料)覆盖，如何穿透el，进而实现阴极与辅助阴极的连接是辅助阴极的主要难点。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现要素：

本公开的目的在于提供一种显示基板的制造方法、显示基板、显示面板及显示装置，有效实现了辅助电极与阴极的搭接。

根据本公开的一个方面，提供了一种显示基板的制造方法，该制造方法包括：

提供一衬底，在所述衬底的一侧形成驱动层与绝缘层，所述绝缘层覆盖所述驱动层，所述驱动层包括辅助电极层；

在所述绝缘层背离所述衬底的一侧形成平坦层，在所述平坦层上与所述辅助电极层对应的位置形成凹陷部；在所述平坦层与所述绝缘层上形成露出所述辅助电极层的过孔；

在所述平坦层背离所述绝缘层的一侧形成第一电极层，所述第一电极层包括通过所述过孔与所述辅助电极层连接的第一子电极层，且所述第一子电极层至少部分位于所述凹陷部中；

在所述第一电极层背离所述衬底的一侧形成像素界定层，所述像素界定层包括连通所述凹陷部的通孔；

在所述像素界定层背离所述衬底的一侧形成发光层，所述发光层覆盖所述通孔与所述凹陷部；

对位于所述通孔与所述凹陷部上的所述发光层进行溶解，使其溶解后位于所述凹陷部中，并使位于所述凹陷部中的所述第一子电极层从所述通孔露出；

在所述发光层背离所述衬底的一侧形成第二电极层，所述第二电极层覆盖所述发光层与位于所述凹陷部中的所述第一子电极层。

在本公开的一种示例性实施例中，对位于所述通孔与所述凹陷部上的所述发光层进行溶解，使其溶解后位于所述凹陷部中，并使位于所述凹陷部中的所述第一子电极层从所述通孔露出，包括：

通过预设溶剂将位于所述通孔与所述凹陷部上的所述发光层进行溶解，使所述预设溶剂与所述发光层形成溶液；

去除所述溶液中的所述预设溶剂，使所述发光层沉积于所述凹陷部中，使位于所述凹陷部中的所述第一子电极层从所述通孔露出。

在本公开的一种示例性实施例中，使显示基板在预设气体环境下，通过打印工艺向位于所述通孔与所述凹陷部上的所述发光层打印所述预设溶剂。

在本公开的一种示例性实施例中，通过烘干工艺，去除所述溶液中的所述预设溶剂。

在本公开的一种示例性实施例中，所述凹陷部贯穿所述平坦层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述凹陷部朝向所述平坦层背离所述衬底的一侧的方向呈渐扩状。

在本公开的一种示例性实施例中，所述通孔朝向所述像素界定层背离所述衬底的一侧的方向呈渐扩状。

根据本公开的另一个方面，提供了一种显示基板，该显示基板包括：

衬底；

驱动层，位于所述衬底的一侧，所述驱动层包括辅助电极层；

绝缘层，位于所述衬底的一侧，并覆盖所述驱动层；

平坦层，位于所述绝缘层背离所述衬底的一侧，所述平坦层上与所述辅助电极层对应的位置形成有凹陷部，所述平坦层与所述绝缘层上形成有露出所述辅助电极层的过孔；

第一电极层，位于所述平坦层背离所述绝缘层的一侧，所述第一电极层包括通过所述过孔与所述辅助电极层连接的第一子电极层，且所述第一子电极层至少部分位于所述凹陷部中；

像素界定层，位于所述第一电极层背离所述衬底的一侧，所述像素界定层包括连通所述凹陷部的通孔；

发光层，位于所述像素界定层背离所述衬底的一侧，所述通孔的侧壁未覆盖所述发光层，所述发光层位于所述凹陷部中，且位于所述凹陷部中的所述第一子电极层从所述通孔露出；

第二电极层，位于所述发光层背离所述衬底的一侧，所述第二电极层覆盖所述发光层与位于所述凹陷部中的所述第一子电极层。

根据本公开的又一个方面，提供了一种显示面板，该显示面板包括上述的显示基板。

根据本公开的再一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。

本公开提供的显示基板的制造方法，通过在平坦层上与辅助电极层对应的位置形成凹陷部，第一子电极层随形形成在凹陷部上与辅助电极层连接，发光层整层形成后覆盖通孔与凹陷部，通过将位于通孔与凹陷部中的溶解，使其流向凹陷部的底部，从而使位于通孔与凹陷部中的发光层材料与像素界定层表面上的发光层材料断开，并露出位于凹陷部上的第一子电极层，从而在正面形成第二电极层时，位于通孔与凹陷部中的第二电极层材料能够与第一子电极层层叠在一起，从而实现第二电极层穿过发光层并通过第一子电极层与辅助电极层连接的目的。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开的一种实施例提供的显示基板的制造方法的流程图；

图2-图5为本公开的一种实施例提供的显示基板制造的工序图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而省略所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知技术方案以避免喧宾夺主而使得本公开的各方面变得模糊。

此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

本示例实施方式中首先提供了一种显示基板的制造方法，如图1所示，该显示基板的制造方法包括：

步骤s100、提供一衬底，在衬底的一侧形成驱动层与绝缘层，绝缘层覆盖驱动层，驱动层包括辅助电极层；

步骤s200、在绝缘层背离衬底的一侧形成平坦层，在平坦层上与辅助电极层对应的位置形成凹陷部；在平坦层与绝缘层上形成露出辅助电极层的过孔；

步骤s300、在平坦层背离绝缘层的一侧形成第一电极层，第一电极层包括通过过孔与辅助电极层连接的第一子电极层，且第一子电极层至少部分位于凹陷部中；

步骤s400、在第一电极层背离衬底的一侧形成像素界定层，像素界定层包括连通凹陷部的通孔；

步骤s500、在像素界定层背离衬底的一侧形成发光层，发光层覆盖通孔与凹陷部；

步骤s600、对位于通孔与凹陷部上的发光层进行溶解，使其溶解后位于凹陷部中，并使位于凹陷部中的第一子电极层从通孔露出；

步骤s700、在发光层背离衬底的一侧形成第二电极层，第二电极层覆盖发光层与位于凹陷部中的第一子电极层。

本公开提供的显示基板的制造方法，通过在平坦层上与辅助电极层对应的位置形成凹陷部，第一子电极层随形形成在凹陷部上与辅助电极层连接，发光层整层形成后覆盖通孔与凹陷部，通过将位于通孔与凹陷部中的溶解，使其流向凹陷部的底部，从而使位于通孔与凹陷部中的发光层材料与像素界定层表面上的发光层材料断开，并露出位于凹陷部上的第一子电极层，从而在正面形成第二电极层时，位于通孔与凹陷部中的第二电极层材料能够与第一子电极层层叠在一起，从而实现第二电极层穿过发光层并通过第一子电极层与辅助电极层连接的目的。

下面，将对本示例实施方式中的显示基板的制造方法的各步骤进行进一步的说明。

在步骤s100中，提供一衬底，在衬底的一侧形成驱动层与绝缘层，绝缘层覆盖驱动层，驱动层包括辅助电极层。

具体地，提供一衬底10，衬底10的材料可以是无机材料，无机材料可以是钠钙玻璃、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或是不锈钢、铝、镍等各种金属或其合金的金属材料；衬底10的材料也可以是有机材料，有机材料可以是聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚乙烯基苯酚、聚醚砜、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯或其组合；衬底10的材料也可以是可挠曲材料，例如聚酰亚胺。

其中，衬底10上可设置有多个阵列排布的像素区域，每个像素区域内用于设置一个oled(发光单元)和一个像素电路，该像素电路用于控制该oled发光。驱动层包括多个像素电路，在一个像素区域内，像素电路可以包括开关晶体管和驱动晶体管，驱动晶体管和开关晶体管均为多晶硅晶体管，开关晶体管的源极和栅极均与控制集成电路(ic)相连接，开关晶体管的漏极与驱动晶体管的栅极相连，驱动晶体管的源极和漏极分别与控制ic和oled串联。当需要控制该像素区域内的oled发光时，控制ic可以首先向开关晶体管的栅极输入第一导通电压将开关晶体管导通，并向开关晶体管的源极输入第二导通电压，使得第二导通电压从开关晶体管的漏极输入至驱动晶体管的栅极，将驱动晶体管导通。然后，控制ic可以向驱动晶体管的源极输入驱动电压，驱动晶体管能够根据该驱动电压向oled输入驱动电流，使得oled在驱动电流的作用下发光。

其中，晶体管在形成过程中至少包括源漏金属层与栅极金属层，辅助电极层20可与源漏金属层或栅极金属层同时形成，以减少工艺步骤，降低工艺难度。

具体地，可通过物理气相沉积法(pvd)、化学气相沉积法(cvd)、旋涂法(sc)等工艺在衬底10设有驱动层的一侧形成绝缘层30，绝缘层30覆盖驱动层。绝缘层30的材料可以是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或其他适合的绝缘物质(例如有机高分子化合物)或上述材料的组合。

在步骤s200中，在绝缘层背离衬底的一侧形成平坦层，在平坦层上与辅助电极层对应的位置形成凹陷部；在平坦层与绝缘层上形成露出辅助电极层的过孔。

具体地，如图2所示，可通过物理气相沉积法(pvd)、化学气相沉积法(cvd)、旋涂法(sc)等工艺在绝缘层30背离衬底10的一侧形成平坦层40，平坦层40的材料可采用顺丁橡胶、聚氨酯、聚氯乙烯、聚酰胺、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚矾树脂、环氧树脂中的任一种。

其中，通过平坦层40上方涂布光刻胶，然后通过曝光显影形成预设图案，通过刻蚀在平坦层40上形成凹陷部410。可通过气体刻蚀的干刻工艺进行凹陷部410的形成，垂直的气流刻蚀掉平坦层的一部分后，也会侧向刻蚀平坦层，平坦层上部分，先受到侧向的刻蚀作用，下方后受到侧向刻蚀作用，因此干刻可以形成朝向平坦层40背离衬底10的一侧的方向呈渐扩状的凹陷部410。具体的角度，可以通过调整干刻工艺，如压力、气体比、电压等多方面的参数来调整，本公开对此不做限制。

具体地，可通过掩模刻蚀工艺在平坦层40形成连通驱动晶体管漏极或源极的过孔，以用于第一电极520与驱动晶体管连接。可通过掩模刻蚀工艺在平坦层40与绝缘层30上形成连通辅助电极层20的过孔，以使第一子电极与通辅助电极层20连接。

在步骤s300中，在平坦层背离绝缘层的一侧形成第一电极层，第一电极层包括通过过孔与辅助电极层连接的第一子电极层，且第一子电极层至少部分位于凹陷部中。

具体地，如图2所示，可通过物理气相沉积法(pvd)、化学气相沉积法(cvd)、旋涂法(sc)等工艺在平坦层40背离绝缘层30的一侧形成图案化的第一电极层50，第一电极层50包括连接晶体管的源极或漏极的第一电极520，连接辅助电极层20的第一子电极层510。第一电极层50的材料可以包括金属、导电氧化物或其组合。例如，金属可以是钛(ti)、铂(pt)、钌(ru)、金(au)、银(ag)、钼(mo)、铝(al)、钨(w)、铜(cu)、钕(nd)、铬(cr)、钽(ta)或其合金或上述材料的组合，导电氧化物可以是izo、azo、ito、gzo、zto或其组合。

如图2所示，第一子电极层510完全覆盖凹陷部410，第一子电极层510随形覆盖凹陷部410同时形成同样形状的凹陷部。然后，第一子电极层510的两侧分别通过过孔与辅助电极层20连接。当然，第一子电极层510可部分覆盖凹陷部410，本公开对此不做限制。

在步骤s400中，在第一电极层背离衬底的一侧形成像素界定层，像素界定层包括连通凹陷部的通孔。

具体地，如图2所示，在第一电极层50背离衬底10的一侧形成像素界定层60，像素界定层60包括像素开孔，各像素开孔与各第一电极520位置对应。如图2所示，像素界定层60还包括连通凹陷部410的通孔610，可通过刻蚀等工艺，使通孔610朝向像素界定层60背离衬底10的一侧的方向呈渐扩状。

在步骤s500中，在像素界定层背离衬底的一侧形成发光层，发光层覆盖通孔与凹陷部。

具体地，如图2所示，通过openmask在像素界定层60背离衬底10的一侧形成发光层70，发光层70可包括层叠的空穴注入层、空穴传输层、电阻阻挡层、发光材料层、空穴阻挡层、电子传输层、电子输入层。由于发光层70采用openmask形成，发光层70为一整层，覆盖通孔610的侧壁与凹陷部410以及位于凹陷部410上的第一子电极层510。

在步骤s600中，对位于通孔与凹陷部上的发光层进行溶解，使其溶解后位于凹陷部中，并使位于凹陷部中的第一子电极层从通孔露出。

具体地，如图3和图4所示，通过预设溶剂将位于通孔610与凹陷部410上的发光层70进行溶解，使预设溶剂与发光层70形成溶液；去除溶液中的预设溶剂，使发光层70沉积于凹陷部410中，使位于凹陷部410中的第一子电极层510从通孔610露出。

其中，使显示基板在预设气体环境下，通过打印工艺向位于通孔610与凹陷部410上的发光层70打印预设溶剂。采用预设气体，能够排除环境中的水氧，从而能够避免在溶解发光层的过程中有机发光层出现水氧，提高了制造方法的可靠性。其中，预设气体可为n2，从而排除周围环境中的水氧，使显示基板在n2的环境下，通过打印设备向位于通孔610与凹陷部410上的发光层70打印预设溶剂。n2的获取方法简单，成本低，且对制造现场的周围环境无任何污染。当然，预设气体还可为co2等气体，能够将环境中的水氧排除，且不与有机发光材料进行反应即可；其中，预设溶剂可采用低沸点的有机溶剂，如丙酮(沸点：56°)、乙醚、二氯甲烷等，本公开对此不做限制。

其中，通过烘干工艺，例如采用放置加热炉内加热方式，将溶液中的溶剂挥发，沉积留下溶质(及发光材料)。

具体地，如图4所示，使凹陷部410贯穿平坦层40，第一子电极层510随形覆盖在凹陷部410上，能够提供更大的容纳空间，以使沉积留下发光材料位于凹陷部410的底部，使更多的第一电极层50露出。当然，凹陷部410也可不贯穿平坦层40，具有足够的深度，能够在将溶液中的溶剂挥发，沉积留下溶质后露出足够面积的第一电极层50即可，本公开对此不做限制。

具体地，如图4所示，通过使通孔610朝向像素界定层60背离衬底10的一侧的方向呈渐扩状以及使凹陷部410朝向像素界定层60背离衬底10的一侧的方向呈渐扩状，能够形成倒梯形结构的容纳空间，能够使通孔610与凹陷部410的侧壁为斜坡，便于将通孔610与凹陷部410上的发光材料溶解后使其向凹陷部410的底部流动，提高了制造工艺的可靠性。

此外，如图4所示，通过溶解能够使通孔610与凹陷部410的上的发光材料与像素界定层60表面上的发光层70材料断开，从而使各像素单元的发光层70断开，避免了相邻像素单元之间进行串扰，提高了显示性能。

在步骤s700中，在发光层背离衬底的一侧形成第二电极层，第二电极层覆盖发光层与位于凹陷部中的第一子电极层。

具体地，如图5所示，可通过物理气相沉积法(pvd)、化学气相沉积法(cvd)、旋涂法(sc)等工艺在发光层70背离衬底10的一侧形成第二电极层80，第二电极层80的材料可以包括金属、导电氧化物或其组合，例如金属可为钛(ti)、铂(pt)、钌(ru)、金(au)、银(ag)、钼(mo)、铝(al)、钨(w)、铜(cu)、钕(nd)、铬(cr)、钽(ta)或其合金或上述材料的组合，导电氧化物可以是izo、azo、ito、gzo、zto或其组合。

其中，如图5所示，第二电极层80可为公共电极层，与各像素单元的发光层70连接，并与凹陷部410上的第一子电极层510连接，通过第一子电极层510与辅助电极层20连接，从而实现了第二电极层80与辅助电极层20连接的目的。

其中，第一电极520可为阳极、第二电极层80可为公共阴极层，辅助电极层20可为辅助阴极层。当然，第一电极与第二电极层的具体属性，本领域技术人员可根据实际需要进行设置，本公开对此不做限制。

此外，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

下述为本发明装置实施例，可以通过本发明方法实施例制造生产。对于本发明装置实施例中未披露的细节，请参照本发明方法实施例。

本示例实施方式中还提供了一种显示基板，如图5所示，该显示基板包括：衬底10、驱动层、绝缘层30、平坦层40、第一电极层50、像素界定层60、发光层70与第二电极层80。驱动层位于衬底10的一侧，驱动层包括辅助电极层20；绝缘层30位于衬底10的一侧，并覆盖驱动层；平坦层40位于绝缘层30背离衬底10的一侧，平坦层40上与辅助电极层20对应的位置形成有凹陷部410，平坦层40与绝缘层30上形成有露出辅助电极层20的过孔；第一电极层50位于平坦层40背离绝缘层30的一侧，第一电极层50包括通过过孔与辅助电极层20连接的第一子电极层510，且第一子电极层510至少部分位于凹陷部410中；像素界定层60位于第一电极层50背离衬底10的一侧，像素界定层60包括连通凹陷部410的通孔610；发光层70位于像素界定层60背离衬底10的一侧，通孔610的侧壁未覆盖发光层70，发光层70位于凹陷部410中，且位于凹陷部410中的第一子电极层510从通孔610露出；第二电极层80位于发光层70背离衬底10的一侧，第二电极层80覆盖发光层70与位于凹陷部410中的第一子电极层510。

本公开提供的显示基板，平坦层40上与辅助电极层20对应的位置形成有凹陷部410，第一子电极层510随形形成在凹陷部410上与辅助电极层20连接，发光层70覆盖通孔610与凹陷部410，位于通孔610与凹陷部410中的发光层70材料位于凹陷部410的底部，从而与像素界定层60表面上的发光层70材料断开，并露出位于凹陷部410上的第一子电极层510，从而第二电极层80与位于通孔610与凹陷部410中的第一子电极层510层叠在一起，从而实现第二电极层80穿过发光层70并通过第一子电极层510与辅助电极层20连接的目的。

上述显示基板的具体细节已经在对应的显示基板的制造方法中进行了详细描述，其具有的更多有益效果请参照上述关于制造方法中的论述，在此处不再赘述。

本公开的实施例还提供了一种显示面板，该显示面板可以包括上述显示基板。可选地，该显示面板可以为柔性显示面板。可选地，该显示面板可以为oled显示面板。其具有的有益效果请参照上述关于显示基板的制造方法中的论述，在此处不再赘述。

本公开的实施方式还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、有机发光二极管(oled)面板、有源矩阵有机发光二极管(amoled)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。其具有的有益效果请参照上述关于制造方法中的论述，在此处不再赘述。

通本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。