技术特征：
1.一种基于三层胶的金属剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、选择基片并清洗；s2、在基片顶面旋涂第一光刻胶层，第一光刻胶层为i线光刻胶；s3、根据金属版图图形，在第一光刻胶层上进行图形曝光、显影；s4、旋涂lor胶层，lor胶层覆盖第一光刻胶层与基片顶面；s5、在lor胶层顶面旋涂第二光刻胶层，第二光刻胶层为i线光刻胶；s6、根据金属版图图形，在第二光刻胶层上进行图形曝光、显影；同时显影去除相对应的lor胶层区域，使基片顶面的图形区域暴露；第二光刻胶层的图形内切小于第一光刻胶层的图形内切；s7、溅射金属pt，在基片顶面的图形区域得到金属图形；s8、采用超声浸泡和剥离工艺，对剩余的第一光刻胶层、lor胶层与第二光刻胶层同时剥离。2.根据权利要求1所述的一种基于三层胶的金属剥离方法，其特征在于，步骤s1选择p型6英寸硅晶圆片作为基片，电阻率为1～10ω/cm，厚度为400
±
20
µ
m。3.根据权利要求1所述的一种基于三层胶的金属剥离方法，其特征在于，步骤s1采用浓硫酸和过氧化氢的混合化学试剂对基片清洗，浓硫酸与过氧化氢的体积比为3:1，在清洗过程中采用稀释的氢氟酸腐蚀自然形成的氧化层，氢氟酸与水的体积比为1:5；再用去离子水冲洗，去离子水电阻率≥17mω.cm；最后氮气保护离心干燥。4.根据权利要求1所述的一种基于三层胶的金属剥离方法，其特征在于，步骤s2先将基片放入亲和机内进行亲和，亲和机内温度为150℃，亲和剂为六甲基二硅），处理时间20min；旋涂时转速为3000rpm，时间为30s，第一光刻胶层厚度为1
µ
m，i线光刻胶分辨率为0.35
µ
m；旋涂完成后进行热板烘烤，温度为100℃，时间90s。5.根据权利要求1所述的一种基于三层胶的金属剥离方法，其特征在于，步骤s3采用nikon i11型步进光刻机进行掩膜曝光，曝光时间为300ms，最小间隙为0.5
µ
m，线条为2
µ
m；曝光后进行烘烤并显影。6.根据权利要求1所述的一种基于三层胶的金属剥离方法，其特征在于，步骤s4旋涂时转速为3000rpm，时间为30s，旋涂后在190℃烘烤2min。7.根据权利要求1所述的一种基于三层胶的金属剥离方法，其特征在于，步骤s5旋涂转速为3000rpm，时间为30s，厚度为1
µ
m，i线光刻胶分辨率为0.35
µ
m；旋涂完成后进行热板烘烤，温度为100℃，时间90s。8.根据权利要求1所述的一种基于三层胶的金属剥离方法，其特征在于，步骤s6采用nikon i11型步进光刻机进行掩膜曝光，曝光时间为300ms，最小间距为2
µ
m，线条为2
µ
m；对于lor胶层区域，采用2.38%的tmah显影液进行溶解。9.根据权利要求1所述的一种基于三层胶的金属剥离方法，其特征在于，步骤s7溅射功率为250w，时间10min，厚度为0.1～0.5um。10.根据权利要求1所述的一种基于三层胶的金属剥离方法，其特征在于，步骤s8采用1甲基-2吡咯烷酮溶液进行超声浸泡30min，再进行高压剥离10min，最后进行冲水甩干。