技术特征：
1.一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、取p型硅晶圆片作为基片，清洗基片，去除基片表面污垢；s2、在基片顶面生长氧化层；s3、在氧化层顶面生长氮化硅薄膜，氮化硅薄膜与氧化层共同作为介质层；s4、通过光刻工艺在介质层制备隔离槽图形，腐蚀隔离槽图形区域的介质层；s5、对隔离槽图形区域的基片进行刻蚀，形成隔离槽；s6、在隔离槽的底面与侧壁生长二氧化硅氧化层；s7、在隔离槽内进行多晶硅填充，并进行退火处理，去除多晶硅内部应力；s8、通过cmp工艺，抛光去除氮化硅薄膜表面的多晶硅；s9、采用湿法腐蚀去除介质层，得到所述低应力多晶硅半介质隔离槽。2.根据权利要求1所述的一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法，其特征在于，步骤s2所述氧化层生长的在高温氧化炉中进行，氧化温度在1000
±
1℃，氧化层厚度100
±
20nm。3.根据权利要求1所述的一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法，其特征在于，步骤s3采用lpcvd工艺制备氮化硅薄膜，工艺温度控制在780 ℃，氮化硅薄膜厚度100
±
30nm。4.根据权利要求1所述的一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法，其特征在于，步骤s4光刻工艺按以下步骤执行：s41、匀胶：选用正性光刻胶，先在硅片表面用hmds进行增粘处理，然后旋转涂胶，胶厚1.0
±
0.1μm；s42、前烘：将涂覆好光刻胶的基片放在热板上，温度设置为90
±
5℃，时间为60s；s43、曝光：用光刻掩模版在光刻机上进行图形套准曝光，套准精度为
±
0.05μm；s44、曝光后烘：温度设置110℃，时间为60s，进一步挥发光刻胶中的有机溶剂，使曝光反应完全；s45、显影：显影液采用四甲基氢氧化铵的水溶液，配比为四甲基氢氧化铵:水＝1:9；显影温度20
±
1℃；显影时间1
±
0.1min；然后去离子水冲洗离心干燥，去离子水电阻率≥17mω.cm；s46、后烘：将显影后的硅片放入充氮烘箱中，温度110
±
5℃，时间为30
±
2min。5.根据权利要求1所述的一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法，其特征在于，步骤s5所述隔离槽的宽度5-9
µ
m，深度15-18
µ
m。6.根据权利要求1所述的一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法，其特征在于，步骤s7采用 lpcvd工艺进行多晶硅填充，淀积温度590
±
1℃，退火温度980℃；按照填充1微米，接着退火1微米的步骤进行，共填充5微米。7.根据权利要求1所述的一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法，其特征在于，步骤s9湿法腐蚀，使用160℃的磷酸腐蚀氮化硅薄膜，腐蚀速率控制在40a/min；使用hf腐蚀氧化层，腐蚀速率控制在200－300a/min。