技术特征：
1.一种晶圆级au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；s2、在硅片表面磁控溅射au金属膜层；s3、采用光刻工艺，在au金属膜层表面制备impatt二极管管芯电极图形；s4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的na2s2o3溶液、ch4n2s溶液与k3fe(cn)6溶液混合构成；na2s2o3溶液、ch4n2s溶液以及k3fe(cn)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对au金属膜层进行图形化腐蚀；s5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到impatt二极管管芯电极。2.根据权利要求1所述的一种晶圆级au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，其特征在于，步骤s1清洗时采用浓硫酸和过氧化氢的混合试剂进行清洗，浓硫酸和过氧化氢的体积比为3:1；清洗后再采用氢氟酸去除硅片表面的自然氧化层；然后用去离子水冲洗；最后氮气保护离心干燥。3.根据权利要求1所述的一种晶圆级au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，其特征在于，步骤s2磁控溅射时间10分钟，溅射电压0.5kv，溅射电流0.5a，au金属膜层厚度 5000
±
100
å
。4.根据权利要求1所述的一种晶圆级au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，其特征在于，步骤s3光刻工艺按以下步骤执行：s31、匀胶，选用正性光刻胶，先在硅片表面用hmds进行增粘处理，然后旋转涂胶，胶厚1.0
±
0.1μm；s32、前烘，将涂覆好光刻胶的硅片放入热板中，温度设置为90
±
5℃，时间为10
±
2min；s33、曝光，用光刻掩模版在光刻机上进行图形套准曝光，套准精度为
±
0.05μm；s34、显影，采用5％koh溶液作为显影液进行显影，显影温度25
±
1℃，显影时间1
±
0.1min；然后去离子水冲洗离心干燥，去离子水电阻率≥15mω.cm；s35、后烘，将显影后的硅片放入烘箱中，第一区域温度：120
±
5℃，第二区域温度：130
±
5℃，第三区域温度150
±
5℃，时间为20
±
2min。5.根据权利要求1所述的一种晶圆级au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，其特征在于，步骤s5有机溶剂采用体积比1:1的c3h7on与nh2(ch2)oh混合溶液，c3h7on与nh2(ch2)oh浓度均为99.90%；去除光刻胶时的加热温度为120
±
5℃，时间为15
±
1min；然后去离子水冲洗离心干燥，去离子水电阻率≥15mω.cm。