技术总结
本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。且实施成本较低,减小环境污染。且实施成本较低,减小环境污染。
技术研发人员：张帅 刘阳 包星晨 房立峰 张伟
受保护的技术使用者：华东光电集成器件研究所
技术研发日：2020.09.25
技术公布日：2021/1/25