技术特征：
1.一种半导体器件，包括：具有金属化层的半导体管芯，所述金属化层包括具有较高熔点的第一金属；管芯载体，其包括具有较高熔点的第二金属；第一金属间化合物，其布置在所述半导体管芯和所述管芯载体之间，并且包括所述第一金属和具有较低熔点的第三金属；第二金属间化合物，其布置在所述第一金属间化合物和所述管芯载体之间，并且包括所述第二金属和所述第三金属；以及第三金属间化合物的沉淀物，其布置在所述第一金属间化合物和所述第二金属间化合物之间，并且包括所述第三金属和具有较高熔点的第四金属。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属和所述第二金属是不同的金属。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一金属和所述第二金属是相同的金属。4.根据前述权利要求中的一项所述的半导体器件，其中，所述第一金属和所述第二金属各自是cu、ni、niv、nip、ag、al、au、pd或pt中的一种。5.根据前述权利要求中的一项所述的半导体器件，其中，所述第三金属是sn、snagcu、in、zn或ga中的一种。6.根据前述权利要求中的一项所述的半导体器件，其中，所述第四金属是ag、au、pt或pd中的一种。7.根据前述权利要求中的一项所述的半导体器件，其中，每个沉淀物的直径小于所组合的所述第一金属间化合物和所述第二金属间化合物的厚度的60％。8.根据前述权利要求中的一项所述的半导体器件，其中，所述沉淀物基本上布置成平面。9.根据前述权利要求中的一项所述的半导体器件，其中，所述沉淀物基本上布置在所述半导体管芯和所述管芯载体之间的中间。10.根据前述权利要求中的一项所述的半导体器件，其中，所述沉淀物是所述第一金属间化合物和所述第二金属间化合物内的不连续的夹杂物。11.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有金属化层的半导体管芯，所述金属化层包括具有较高熔点的第一金属；提供包括第二金属的管芯载体，所述第二金属具有较高熔点；提供包括第三金属的焊料材料，所述第三金属具有较低熔点；在所述半导体管芯上或所述管芯载体上提供具有较高熔点的第四金属的层；将所述半导体管芯焊接到所述管芯载体，并从而产生：第一金属间化合物，其布置在所述半导体管芯和所述管芯载体之间并且包括所述第一金属和所述第三金属；第二金属间化合物，其布置在所述第一金属间化合物和所述管芯载体之间，并且包括所述第二金属和所述第三金属；以及第三金属间化合物的沉淀物，其布置在所述第一金属间化合物和所述第二金属间化合物之间，并且包括所述第三金属和所述第四金属。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一金属和所述第二金属是不同的金属。13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一金属和所述第二金属是相同的金属。14.根据权利要求11至13中的一项所述的方法，其中，所述第三金属是sn，并且其中，所述第四金属是ag。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述沉淀物包括ag3sn。