技术总结
一种半导体器件，包括：具有金属化层的半导体管芯，所述金属化层包括具有较高熔点的第一金属；管芯载体，其包括具有较高熔点的第二金属；第一金属间化合物，其布置在所述半导体管芯和所述管芯载体之间，并且包括所述第一金属和具有较低熔点的第三金属；第二金属间化合物，其布置在所述第一金属间化合物和所述管芯载体之间，并且包括所述第二金属和所述第三金属；以及第三金属间化合物的沉淀物，其布置在所述第一金属间化合物和所述第二金属间化合物之间，并且包括所述第三金属和具有较高熔点的第四金属。的第四金属。的第四金属。
技术研发人员：A
受保护的技术使用者：英飞凌科技奥地利有限公司
技术研发日：2020.10.09
技术公布日：2021/4/13