技术特征：
1.一种三维存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有层间绝缘层和层间牺牲层交替层叠的堆栈；在垂直于所述衬底的第一纵向形成贯穿所述堆栈的存储沟道孔，及沿平行于所述衬底的第一横向排列的虚拟沟道孔；在所述堆栈中沿所述第一横向形成顶部选择栅切槽，所述顶部选择栅切槽与所述虚拟沟道孔连通，所述顶部选择栅切槽的底表面在平行于所述衬底且垂直于所述第一横向的第二横向上的宽度，大于所述虚拟沟道孔的顶表面直径。2.根据权利要求1所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，形成所述顶部选择栅切槽的步骤之后，还包括：在所述虚拟沟道孔和顶部选择栅切槽的内表面，以及存储沟道孔的内表面依次形成存储层和沟道层；在所述虚拟沟道孔和顶部选择栅切槽中填充遮挡物；对所述存储沟道孔底部的所述存储层和沟道层进行刻蚀，以形成底部通孔。3.根据权利要求2所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，形成所述底部通孔的步骤之后，还包括：去除所述遮挡物；在所述虚拟沟道孔和顶部选择栅切槽，以及所述存储沟道孔中填充绝缘层。4.根据权利要求1所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，所述堆栈包括顶部选择管层，形成所述顶部选择栅切槽的步骤包括：在所述堆栈上形成硬掩膜层和位于所述硬掩膜层上的光刻胶层；利用掩模版对所述光刻胶层进行光刻，以形成位于所述虚拟沟道孔上方的第一开口，所述第一开口在所述第一横向延伸；基于所述第一开口对所述硬掩膜层进行刻蚀，以形成第二开口；基于所述第二开口对所述顶部选择管层进行刻蚀，以形成与所述虚拟沟道孔连通的顶部选择栅切槽，所述顶部选择栅切槽在所述第一横向延伸；去除所述硬掩膜层。5.根据权利要求4所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，还包括：在所述硬掩膜层和光刻胶层之间形成抗反射层。6.根据权利要求1所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，所述堆栈包括第一子堆栈和位于所述第一子堆栈上的第二子堆栈，形成所述存储沟道孔和虚拟沟道孔的步骤包括：形成贯穿所述第一子堆栈的下层沟道孔；形成贯穿所述第二子堆栈且与所述下层沟道孔连通的上层沟道孔，所述存储沟道孔和虚拟沟道孔分别包括相互连通的所述上层沟道孔和下层沟道孔。7.根据权利要求6所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，形成所述上层沟道孔的步骤之前，还包括：在所述下层沟道孔中填充第一牺牲层。8.根据权利要求7所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，形成所述顶部选择栅切槽的步骤之前，还包括：在所述上层沟道孔的侧壁和所述第一牺牲层的表面，形成第二牺牲层。
9.根据权利要求8所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，形成所述顶部选择栅切槽的步骤之后，还包括：去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。10.根据权利要求2所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，形成所述存储沟道孔和虚拟沟道孔的步骤之后，还包括：在所述存储沟道孔和虚拟沟道孔的下方形成外延层。11.根据权利要求10所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，形成所述底部通孔的步骤之后，还包括：在所述底部通孔内形成连接所述沟道层和外延层的导体层。12.根据权利要求2所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，形成所述遮挡物的步骤之后，还包括：对所述遮挡物进行平坦化处理。13.根据权利要求2所述的三维存储器件的制造方法，其特征在于，形成所述遮挡物的步骤，包括：在所述存储沟道孔和虚拟沟道孔内填充光刻胶层；利用光刻工艺去除位于所述存储沟道孔内的光刻胶层，所述虚拟沟道孔内的光刻胶层作为所述遮挡物。14.一种三维存储器件，其特征在于，包括：衬底，及位于所述衬底上由层间绝缘层和层间栅极层交替层叠的堆栈；在垂直于所述衬底的第一纵向贯穿所述堆栈的存储沟道孔，及沿平行于所述衬底的第一横向排列的虚拟沟道孔；位于所述堆栈中沿所述第一横向延伸的顶部选择栅切槽，所述顶部选择栅切槽与所述虚拟沟道孔连通，所述顶部选择栅切槽的底表面在平行于所述衬底且垂直于所述第一横向的第二横向上的宽度，大于所述虚拟沟道孔的顶表面直径。15.根据权利要求14所述的三维存储器件，其特征在于，还包括：位于所述虚拟沟道孔和顶部选择栅切槽的内表面的存储层，以及位于所述存储层表面的沟道层；位于所述存储沟道孔的内侧壁的所述存储层，以及位于所述存储层表面的所述沟道层，所述存储层和沟道层在所述存储沟道孔的底部形成有底部通孔。16.根据权利要求15所述的三维存储器件，其特征在于，还包括位于所述虚拟沟道孔和存储沟道孔下方的外延层。17.根据权利要求16所述的三维存储器件，其特征在于，还包括位于所述存储沟道孔的底部通孔内的导体层，所述导体层连接所述沟道层和外延层。18.根据权利要求17所述的三维存储器件，其特征在于，还包括填充在所述虚拟沟道孔和顶部选择栅切槽，以及所述存储沟道孔中的绝缘层。19.根据权利要求14所述的三维存储器件，其特征在于，所述堆栈包括第一子堆栈和位于所述第一子堆栈上的第二子堆栈，所述存储沟道孔和虚拟沟道孔分别包括贯穿所述第一子堆栈的下层沟道孔，及贯穿所述第二子堆栈且与所述下层沟道孔连通的上层沟道孔。