技术总结
本发明公开了一种三维存储器件及其制造方法，先形成贯穿堆栈的存储沟道孔，及沿平行于所述衬底的第一横向排列的虚拟沟道孔，再在所述堆栈中沿所述第一横向形成顶部选择栅切槽，所述顶部选择栅切槽与所述虚拟沟道孔连通，且所述顶部选择栅切槽的底表面在平行于所述衬底且垂直于所述第一横向的第二横向上的宽度，大于所述虚拟沟道孔的顶表面直径，最后再填充绝缘层可以形成顶部选择栅切线，这样可以避免顶部选择栅切线对沟道孔刻蚀的影响，可以提升沟道孔的均一性，进而可以避免字线漏电。电。电。
技术研发人员：卢峰 毛晓明 高晶 周文斌
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2020.10.13
技术公布日：2021/1/23