1.一种p型背面定域掺杂电池的制备方法，其特征在于，步骤为：
第一步：对p型晶体硅（1）进行清洗后，采用pe-ald的方式，通入三甲基铝与臭氧沉积超薄隧穿层（2）；
第二步：采用pecvd的方式，通入硅烷、硼烷或镓烷与氢气离化沉积掺硼/镓非晶硅薄膜；
第三步：采用纳秒绿光激光或者纳秒红外激光对电池背面进行局部掺杂，形成背面局部p+掺杂区（5）；
第四步：使用高温炉管，在氮气氛围下进行退火处理，退火温度控制在850-950℃，退火时间控制在20-30min，使硼/镓非晶硅薄膜晶化成掺硼/镓多晶硅薄膜（3）；
第五步：采用hf清洗掉掺硼/镓多晶硅薄膜（3）表面的氧化层；
第六步：采用采用pecvd的方式在掺硼/镓多晶硅薄膜（3）表面沉积一层氮化硅薄膜、二氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜中的一种单层膜或几种的叠层膜的钝化减反射层（4）；
第七步：采用丝网印刷方法先在钝化减反射层（4）表面激光掺杂重合区域印刷烧穿型铝线铝浆形成背面铝电极（7），再并进行烧结，形成铝硅合金（6）。
2.根据权利要求1所述的一种p型背面定域掺杂电池的制备方法，其特征在于：所述第一步中超薄隧穿层（2）为二氧化硅、氧化铝和氮氧化硅中的单层膜或者几种叠层膜，厚度为1nm-3nm。
3.根据权利要求1所述的一种p型背面定域掺杂电池的制备方法，其特征在于：所述第二步中掺硼/镓非晶硅薄膜的厚度为10nm-500nm。
4.根据权利要求1所述的一种p型背面定域掺杂电池的制备方法，其特征在于：所述第三步中背面局部p+掺杂区（5）采用纳秒绿光或者纳秒红外激光将掺硼/镓非晶硅薄膜中的硼/镓杂质烧结进硅片内，激光功率控制在10w~30w，以5bb电池为例，激光掺杂的线条数量为50~200根；掺杂区域的硼/镓杂质表面浓度达到1e18cm-3~5e19cm-3，结深为0.1~2μm。
5.根据权利要求1所述的一种p型背面定域掺杂电池的制备方法，其特征在于：所述第六步中钝化减反射层（4）为二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜中的一种单层膜或几种的叠层膜，厚度为20nm～300nm。
6.根据权利要求1所述的一种p型背面定域掺杂电池的制备方法，其特征在于：所述第七步中背面铝电极（7）采用烧穿型铝线铝浆通过丝网印刷的方式印刷到钝化减反射层（4）表面，电极图形与激光掺杂的图形重合，烧结后，铝浆与背面局部p+掺杂区（5）形成铝硅合金（6）。
7.一种由权利要求1-6任一制备方法制备得到的p型背面定域掺杂电池。
8.根据权利要求7所述的p型背面定域掺杂电池，其特征在于：所述p型背面定域掺杂电池包括背面采用掺硼/镓多晶硅中的硼/镓作为杂质源，通过激光烧结掺杂的方式，把硼/镓杂质掺入体内形成局部背场。