技术特征：
1.一种冷源半导体结构，其特征在于，包括：重掺杂p型区、金属区和轻掺杂n型区，所述金属区连接于所述重掺杂p型区与所述轻掺杂n型区之间；且所述金属区为硅化铂，所述轻掺杂n型区邻近所述金属区的一端掺杂有硫离子。2.根据权利要求1所述的冷源半导体结构，其特征在于，所述硫离子的掺杂量可调，以调节所述金属区与所述轻掺杂n型区接触的肖特基势垒高度，具体包括：所述硫离子的掺杂量越大，所述肖特基势垒高度越小。3.根据权利要求2所述的冷源半导体结构，其特征在于，所述肖特基势垒高度与所述硫离子的掺杂量满足函数：其中，h为所述肖特基势垒高度，单位为ev；d为所述硫离子的掺杂量，单位为1e13cm-2
。4.根据权利要求1所述的冷源半导体结构，其特征在于，所述重掺杂p型区与所述金属区接触的肖特基势垒高度为0.1～0.2ev。5.根据权利要求1所述的冷源半导体结构，其特征在于，所述金属区与所述轻掺杂n型区接触的肖特基势垒高度为0.1～0.2ev。6.根据权利要求1所述的冷源半导体结构，其特征在于，所述重掺杂p型区和所述轻掺杂n型区的衬底材质为硅。7.一种根据权利要求1-6中任一项所述的冷源半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：形成金属铂层；采用硅衬底形成重掺杂p型区并沉积于所述金属铂层的一侧；采用硅衬底形成轻掺杂n型区，并在所述轻掺杂n型区的一端注入硫离子；将所述轻掺杂n型区注入硫离子的一端沉积于所述金属铂层背向所述重掺杂p型区的一侧；进行热退火。8.一种肖特基晶体管，其特征在于，包括：如权利要求1-6中任一项所述的冷源半导体结构，所述轻掺杂n型区为沟道区；漏区，所述沟道区设置于所述金属区与所述漏区之间；栅极介质，设置于所述沟道区的上侧和/或下侧；源极，设置于所述重掺杂p型区；漏极，设置于所述漏区；栅极，设置于所述栅极介质上。9.根据权利要求8所述的肖特基晶体管，其特征在于，所述金属区的功函数为5.0ev，且所述金属区的长度为10nm，所述金属区的厚度为10nm；和/或，所述栅极介质的材质为氧化铪，且所述栅极介质的厚度为1.5nm。10.一种二极管，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的冷源半导体结构。
技术总结
本发明涉及半导体技术领域，提供了一种肖特基晶体管、二极管、冷源半导体结构及其制备方法。冷源半导体结构包括：重掺杂P型区、金属区和轻掺杂N型区，所述金属区连接于所述重掺杂P型区与所述轻掺杂N型区之间；且所述金属区为硅化铂，所述轻掺杂N型区邻近所述金属区的一端掺杂有硫离子。本发明能够降低半导体结构接触的肖特基势垒，提升开态电流。提升开态电流。提升开态电流。
技术研发人员：刘飞 谢晓鑫 刘晓彦 康晋锋
受保护的技术使用者：北京大学
技术研发日：2022.05.18
技术公布日：2022/9/22