技术特征：
1.一种用于衬底处理的设备，包括：衬底保持器，其被配置成支承微电子衬底；光源，其被配置成朝向所述微电子衬底的表面发射紫外uv光；隔离窗，其被布置在所述光源与所述微电子衬底之间；气体分配单元，其被配置成在所述隔离窗与所述微电子衬底之间的区域中注入气体；以及回蚀调平部件，其被配置成降低所述微电子衬底的uv光处理的不均匀性；红外加热元件阵列，其被配置为在所述微电子衬底的背侧提供能量，其中所述微电子衬底被悬挂在所述红外加热元件阵列的上方，其中所述红外加热元件阵列中的每个红外加热元件被配置为被独立调节，其中，所述气体分配单元被配置成与所述光源同时移动，其中，所述隔离窗联接至所述光源，并且所述隔离窗被配置成与所述光源一起相对于所述微电子衬底移动。2.根据权利要求1所述的设备，其中，回蚀调平机构还包括布置在所述隔离窗的至少一部分上的光交互层。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述光交互层还包括被配置成根据选自漫射、反射和吸收的相互作用机制而与光能相互作用的层。4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述回蚀调平机构还包括布置在所述隔离窗上的第一多个光交互区和布置在所述隔离窗上的第二多个光交互区，所述第二多个光交互区包括与所述第一多个光交互区不同的至少一个光学特性。5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述隔离窗包括厚度比一个或更多个第二区域大的一个或更多个第一区域。6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述回蚀调平机构还包括布置在所述光源与所述微电子衬底之间的孔装置。7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述回蚀调平机构被配置成相对于所述光源移动所述微电子衬底。8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述回蚀调平机构被配置成围绕轴旋转所述微电子衬底。9.根据权利要求7所述的设备，其中，所述回蚀调平机构被配置成沿着与布置所述光源的平面平行的平面滑动所述微电子衬底。10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述回蚀调平机构被配置成相对于所述微电子衬底的表面移动所述光源。11.根据权利要求1所述的设备，其中，所述气体分配单元被配置成在所述窗与所述微电子衬底之间的区域外部生成蚀刻剂成分。12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述气体分配单元包括：气体分配喷嘴，其被布置成邻近且平行于所述光源，气体喷嘴包括：沿所述光源的至少一部分延伸的喷嘴长度；以及沿所述喷嘴长度分布的多个气体出口。13.根据权利要求1所述的设备，其中，所述衬底保持器还包括多个加热元件，所述加热
元件被配置成动态地控制施加到所述微电子衬底的加热分布。14.一种由根据权利要求1-13中任一项所述的设备实现的用于衬底处理的方法，包括：接收包括布置在图案化的底层上方的第一层的衬底，膜包括具有第一不均匀性的表面；将所述膜暴露于在与关于所述膜的溶解度控制区相匹配的第一温度下的第一烘烤；通过将所述膜暴露于液体溶剂来去除所述膜的一部分；施加所述膜的第二涂层；以及将所述膜暴露于在使所述膜固化的第二温度下的第二烘烤，其中，所述膜包括具有小于所述第一不均匀性的第二不均匀性的表面；使用红外加热元件阵列在所述衬底的背侧提供能量，其中所述衬底被悬挂在所述红外加热元件阵列的上方，其中所述红外加热元件阵列中的每个红外加热元件被配置为被独立调节。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述膜包含有机材料。16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述有机材料包含旋涂碳soc。17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一温度在150℃与250℃之间的范围内。18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二温度在500℃与700℃之间的范围内。
技术总结
本发明公开了用于旋涂碳平坦化的技术，其中描述了用于SOC平坦化的系统和方法。在实施例中，用于SOC平坦化的设备包括被配置成支承微电子衬底的衬底保持器。另外，该设备可以包括被配置成朝向微电子衬底的表面发射紫外(UV)光的光源。在实施例中，该设备还可以包括布置在光源和微电子衬底之间的隔离窗。此外，该设备可以包括被配置成在隔离窗与微电子衬底之间的区域中注入气体的气体分配单元。另外，该设备可以包括被配置成降低微电子衬底的UV光处理的不均匀性的回蚀调平部件。UV光处理的不均匀性的回蚀调平部件。UV光处理的不均匀性的回蚀调平部件。
技术研发人员：乔舒亚
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2016.06.02
技术公布日：2022/9/22