技术特征：
1.一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在所述衬底(1)上淀积第一介质层(2)。2)在第一介质层(2)上淀积第二介质层(3)。3)在第二介质层(3)上形成连接孔图形；4)刻蚀第二介质层(3)的连接孔图形，形成第一个台阶；5)刻蚀第一介质层(2)，形成第二个台阶；6)利用刻蚀工艺去除光刻图形；7)淀积金属层(4)，填充连接孔，引出电阻。2.根据权利要求1所述的一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，其特征在于，步骤3)中，在第二介质层(3)上形成连接孔图形的工艺包括光刻工艺。3.根据权利要求1所述的一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，其特征在于，步骤4)中，刻蚀第二介质层(3)的方法包括等离子体刻蚀方法。4.根据权利要求1所述的一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，其特征在于，刻蚀第二介质层(3)时，腔室压力为1000～2000mt,rf为200～600w，刻蚀气体包括he、nf3；其中，he的流量为300～500sccm，nf3的流量为100～300sccm。5.根据权利要求1所述的一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，其特征在于，步骤5)中，刻蚀第一介质层(2)的方法包括反应离子刻蚀方法。6.根据权利要求1所述的一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，其特征在于，刻蚀第一介质层(2)时，腔体压力为300～400mt，rf为600～700w，刻蚀气体包括ar、chf3、cf4，其中ar的流量为200～400sccm，cf4的流量＜20sccm，chf3的流量为40～80sccm。7.根据权利要求1所述的一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，其特征在于，所述衬底(1)的材料包括si、ge、gan、金属al、tin。8.根据权利要求1所述的一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，其特征在于，所述第一介质层(2)的材料包括sio2。9.根据权利要求1所述的一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，其特征在于，所述第二介质层(3)的材料包括sin、sion。10.根据权利要求1所述的一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，其特征在于，所述金属层(4)的材料为导电金属材料，包括alsicu、al、alcu、ti、tiniag。
技术总结
本发明公开一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，步骤包括：1)在衬底(1)上淀积第一介质层(2)；2)在第一介质层(2)上淀积第二介质层(3)；3)在第二介质层(3)上形成连接孔图形；4)刻蚀第二介质层(3)的连接孔图形，形成第一个台阶；5)刻蚀第一介质层(2)，形成第二个台阶；6)利用刻蚀工艺去除光刻图形；7)淀积金属层(4)，填充连接孔，引出电阻。本发明通过对刻蚀过程的控制，利用两种不同的介质的刻蚀速率差异在单次光刻的前提下形成了双台阶的连接孔形貌。了双台阶的连接孔形貌。了双台阶的连接孔形貌。
技术研发人员：郭亿文 梁涛 冉明 肖添 梁康弟
受保护的技术使用者：重庆中科渝芯电子有限公司
技术研发日：2022.07.01
技术公布日：2022/9/30