静电吸盘以及处理装置的制作方法

1.本发明的形态涉及一种静电吸盘以及处理装置。


背景技术：

2.具备氧化铝等的陶瓷电介体基板及电极的静电吸盘在该电极上外加静电吸附用电力，通过静电力来吸附硅晶片等基板。在这样的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板的表面与吸附对象物即基板的背面之间流入氦(he)等惰性气体，对吸附对象物即基板的温度进行控制。
3.例如，在化学汽相沉积(cvd(chemical vapor deposition))装置、溅射(sputtering)装置、离子注入装置、蚀刻(etching)装置等对基板进行处理的装置中，存在处理中会带来基板的温度上升的装置。在用于这样的装置的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板与吸附对象物即基板之间流入he等惰性气体，通过使惰性气体接触基板来抑制基板的温度上升。
4.在通过he等惰性气体对基板温度进行控制的静电吸盘中，将用于导入he等惰性气体的孔(气体导入路)设置于陶瓷电介体基板及支撑陶瓷电介体基板的基座板。另外，在陶瓷电介体基板上设置连通于基座板的气体导入路的穿通孔。由此，从基座板的气体导入路导入的惰性气体，通过陶瓷电介体基板的穿通孔而被引导至基板的背面。
5.在此，在装置内对基板进行处理时，有时会发生从装置内的等离子体朝向金属制的基座板的放电(电弧放电)。基座板的气体导入路及陶瓷电介体基板的穿通孔有可能容易成为放电的路径。于是，存在如下技术，通过在基座板的气体导入路或陶瓷电介体基板的穿通孔中设置多孔质部，从而提高对电弧放电的抗性(绝缘强度等)。例如，在专利文献1中公开有如下静电吸盘，通过在气体导入路内设置陶瓷烧结多孔体，将陶瓷烧结多孔体的构造及膜孔作为气体流路，从而提高在气体导入路内的绝缘性。另外，在专利文献2中公开有如下静电吸盘，在基座板的气体导入路及陶瓷电介体基板的穿通孔中，配置有陶瓷制的多孔体。另外，在专利文献3中记载有如下技术，在基座板的气体导入路或陶瓷电介体基板的穿通孔中配置陶瓷制的多孔体，同时在对基座板与陶瓷电介体基板进行粘接的粘接层中，在向气体导入路及/或穿通孔露出的部位配置保护材，由此抑制粘接剂的腐蚀。在这样的静电吸盘中，要求长时间维持电弧放电的抑制效果。
6.专利文献专利文献1：日本特开2010-123712号公报专利文献2：美国专利us2017/0352568号公报专利文献3：日本特开2021-057468号公报


技术实现要素：

7.本发明是基于这样的问题的认知而进行的，所要解决的技术问题是提供一种可长期维持电弧放电的抑制效果的静电吸盘以及处理装置。
8.第1发明为一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，具有所述陶瓷电介体基板侧的上面和所述上面的相反侧的下面；接合部，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间；气体导入路，穿通所述陶瓷电介体基板、所述基座板和所述接合部，具有位于所述陶瓷电介体基板的第1孔部、位于所述基座板的第2孔部和位于所述接合部的第3孔部；锪孔部，设置在所述第1孔部及所述第2孔部的至少任意一个；及陶瓷多孔质部，具有向所述第3孔部露出的露出面且设置在所述锪孔部，其特征为，当将从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的方向作为第1方向，将与所述第1方向大致正交的方向作为第2方向时，所述陶瓷多孔质部具有：具有透气性的多孔部；及与所述多孔部相比更致密的致密部，所述致密部被配置成覆盖所述多孔部的外周，所述致密部的至少一部分构成从所述露出面沿着所述第1方向朝着所述第3孔部突出的第1突出部。
9.在该静电吸盘中，将陶瓷多孔质部配置于气体导入路，致密部的至少一部分构成从露出面沿着第1方向朝着第3孔部突出的第1突出部。因此能够抑制击穿。另外，当使用静电吸盘时，接合部60的向第3孔部露出的部分有可能被等离子体所腐蚀而产生颗粒。设置在陶瓷多孔质部的第1突出部成为物理性阻挡层，能够抑制因等离子体腐蚀而产生的颗粒侵入多孔质部。从而，可长期维持电弧放电的抑制效果。
10.第2发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1发明中，所述第1突出部的沿着所述第1方向离所述露出面的长度，大致相同于所述接合部的沿向所述第1方向的长度。
11.根据该静电吸盘，能够进一步提高抗击穿性。另外，能够更加有效地抑制颗粒的侵入，可长期维持电弧放电的抑制效果。
12.第3发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2发明中，所述锪孔部设置在所述第1孔部。
13.根据该静电吸盘，由于将陶瓷多孔质部配置在更靠近等离子体的第1孔部，因此能够进一步提高抗击穿性。另外，由于设置有第1突出部，因此虽然设置于第1孔部的陶瓷多孔质部在气体流中位于与有可能成为颗粒产生部的第3孔部相比更靠近下游侧的位置，但是也能够更加有效地抑制颗粒侵入陶瓷多孔质部，可长期维持电弧放电的抑制效果。
14.第4发明为如下静电吸盘，其特征为，在第3发明中，所述第1孔部具有：第1部分，向所述第1主面侧发生开口；第2部分，向所述第2主面侧发生开口；及中间部分，设置在所述第1部分与所述第2部分之间，所述锪孔部设置在所述第2部分，沿向所述第2方向的所述中间部分的长度，大于沿向所述第2方向的所述第1部分的长度，所述陶瓷多孔质部具有所述露出面的相反侧的面，所述面构成为向所述中间部分露出。
15.根据该静电吸盘，锪孔部设置在第1孔部，配置在该锪孔部的陶瓷多孔质部的露出面的相反侧的面，即第1主面侧的面朝着第1孔部的中间部分露出。由于中间部分的横宽(沿向第2方向的长度)大于第1部分的横宽，因此在陶瓷多孔质部的第1主面侧的面与第1部分之间，设置有对应于中间部分的空间。因此，能够更加确实地确保气体流量。
16.第5发明为如下静电吸盘，其特征为，在第4发明中，所述致密部还具有从所述面沿着所述第1方向朝着所述第1部分突出的第2突出部。
17.根据该静电吸盘，能够进一步提高抗击穿性。
18.第6发明为一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面
和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，具有所述陶瓷电介体基板侧的上面和所述上面的相反侧的下面；接合部，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间；气体导入路，穿通所述陶瓷电介体基板、所述基座板和所述接合部，具有位于所述陶瓷电介体基板的第1孔部、位于所述基座板的第2孔部和位于所述接合部的第3孔部；锪孔部，设置在所述第2孔部；及陶瓷多孔质部，具有向所述第3孔部露出的露出面且设置在所述锪孔部，其特征为，当将从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的方向作为第1方向，将与所述第1方向大致正交的方向作为第2方向时，所述陶瓷多孔质部具有：具有透气性的多孔部；及与所述多孔部相比更致密的致密部，所述致密部被配置成覆盖所述多孔部的外周，所述致密部的至少一部分构成从所述露出面沿着所述第1方向朝着所述第3孔部突出的第1突出部，所述第1孔部包含多个细孔。
19.在该静电吸盘中，将陶瓷多孔质部配置在气体导入路中的第2孔部，以覆盖多孔部的外周的方式设置致密部，该致密部的至少一部分构成从向第3孔部露出的露出面沿着第1方向突出的第1突出部。另外，用多个细孔构成第1孔部。因此能够抑制击穿。另外，当使用静电吸盘时，接合部的向第3孔部露出的部分有可能被等离子体所腐蚀而产生颗粒。第1突出部成为物理性阻挡层，能够抑制因等离子体腐蚀而产生的颗粒侵入陶瓷多孔质部及位于第3孔部的下游侧的多个细孔(第1孔部)。从而，可长期维持电弧放电的抑制效果。
20.第7发明为一种处理装置，其特征为，具备：上述任意一个静电吸盘；及能够向设置于所述静电吸盘的气体导入路供给气体的供给部。根据该处理装置，可长期维持电弧放电的抑制效果。
21.根据本发明的形态，提供一种可长期维持电弧放电的抑制效果的静电吸盘以及处理装置。
附图说明
22.图1是例示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图2(a)、(b)是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式图。图3是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式图。图4是例示其他实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图5是例示其他实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图6是例示本实施方式所涉及的处理装置的模式图。图7是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图8是例示实施方式所涉及的处理装置的模式图。图9是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。符号说明11-陶瓷电介体基板；11a-第1主面；11b-第2主面；12-电极；13-点；14-槽；16-细孔；20-连接部；3a-第1突出部；h1-突出长度(高度)；3b-第2突出部；50-基座板；50a-上部；50b-下部；50u-上面；50d-下面；51-输入路；52-输出路；53-气体导入路；53a-第1孔部；53aa-第1部分；t1a-长度(横宽)；53ab-第2部分；53ac-中间部分；53ah-锪孔面；53as-内周侧面；t1c-长度(横宽)；t4a-长度；53b-第2孔部；53bu-第3部分；53bd-第4部分；t2b-长度(横宽)；53c-第3孔部；tc-长度(横宽)；53s-锪孔部；ts、tsa、tsb-长度(横宽)；55-连通路；
60-接合部；60e-端部；h2-长度(高度)；70-陶瓷多孔质部(多孔质部)；70a-第3面；70b-第4面；71-第2多孔部；73-第2致密部；73c-第2中央致密部；t2-长度(横宽)；90-陶瓷多孔质部(多孔质部)；90a-第1面；90b-第2面；91-第1多孔部；93-第1致密部；93c-第1中央致密部；t1-长度(横宽)；110-静电吸盘；200-处理装置；210-电源；211-配线；220-介质供给部；221-收纳部；222-控制阀；223-排出部；230-供给部；231-气体供给部；232-气体控制部；240-腔室；w-对象物。
具体实施方式
23.以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。并且，在各附图中，对相同的构成要素标注相同符号并适当省略详细说明。并且，在各附图中，将从基座板50朝向陶瓷电介体基板11的方向作为z方向(相当于第1方向的一个例子)，将与z方向大致正交的方向的1个作为y方向(相当于第2方向的一个例子)，将与z方向及y方向大致正交的方向作为x方向(相当于第2方向的一个例子)。
24.静电吸盘图1是例示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。如图1所示，本实施方式所涉及的静电吸盘110具备陶瓷电介体基板11、基座板50、多孔质部90。在该例子中，静电吸盘110还具备多孔质部70。
25.陶瓷电介体基板11是例如由烧结陶瓷形成的平板状的基体材料。例如，陶瓷电介体基板11含有氧化铝(al2o3)。例如，陶瓷电介体基板11由高纯度的氧化铝所形成。陶瓷电介体基板11中的氧化铝的浓度为例如99原子％(atomic％)以上、100原子％以下。通过使用高纯度的氧化铝，能够提高陶瓷电介体基板11的抗等离子性。陶瓷电介体基板11具有：放置对象物w(吸附对象物)的第1主面11a；及第1主面11a的相反侧的第2主面11b。对象物w例如是硅晶片等半导体基板。
26.在陶瓷电介体基板11中设置电极12。电极12设置在陶瓷电介体基板11的第1主面11a与第2主面11b之间。电极12以插入于陶瓷电介体基板11中的方式形成。借由连接部20及配线211将电源210电连接于电极12。利用电源210对电极12外加吸附保持用电压，从而在电极12的第1主面11a侧产生电荷，能够利用静电力吸附保持对象物w。
27.电极12的形状呈沿向陶瓷电介体基板11的第1主面11a及第2主面11b的薄膜状。电极12是用于吸附保持对象物w的吸附电极。电极12既可以是单极型也可以是双极型。图1所例示的电极12是双极型，同一面上设置有2极的电极12。在陶瓷电介体基板11中除了电极12之外还可以设置高频外加用的电极或加热器电极。
28.电极12上设置有向陶瓷电介体基板11的第2主面11b侧延伸的连接部20。连接部20例如是与电极12导通的过孔(via)(实心型)、导通孔(via hole)(中空型)。连接部20还可以是通过钎焊等的适当的方法进行连接的金属端子。
29.基座板50是支撑陶瓷电介体基板11的构件。基座板50具有陶瓷电介体基板11侧的上面50u和上面50u相反侧的下面50d。陶瓷电介体基板11借由图2(a)所例示的接合部60固定在基座板50上。例如，能够将硅酮粘接剂发生固化的部分作为接合部60。在该例子中，构成为基座板50的上面50u及陶瓷电介体基板11的第2主面11b接触接合部60。
30.基座板50例如是金属制。基座板50例如分成铝制的上部50a与下部50b，在上部50a
与下部50b之间设置有连通路55。连通路55的一端侧连接于输入路51，连通路55的另一端侧连接于输出路52。基座板50在第2主面11b侧的端部还可以具有喷镀部(未图示)。喷镀部例如通过喷镀而形成。喷镀部还可以构成基座板50的第2主面11b侧的端面(上面50u)。根据需要设置喷镀部且可以省略。
31.基座板50也发挥静电吸盘110的温度调整的功能。例如，在对静电吸盘110进行冷却时，从输入路51流入冷却介质，通过连通路55从输出路52流出。由此，通过冷却介质吸收基座板50的热，能够冷却安装在其上的陶瓷电介体基板11。另一方面，在对静电吸盘110进行保温时，也能够在连通路55内放入保温介质。也能够将发热体内置于陶瓷电介体基板11或基座板50。通过调整基座板50或陶瓷电介体基板11的温度，能够调整被静电吸盘110所吸附保持的对象物w的温度。
32.另外，在陶瓷电介体基板11的第1主面11a侧，根据需要设置有点13，在点13之间设置有槽14。即，第1主面11a是凹凸面，具有凹部及凸部。第1主面11a的凸部相当于点13，第1主面11a的凹部相当于槽14。槽14例如可以在xy平面内连续延伸。由此，能够将he等气体分配于第1主面11a整体。在放置于静电吸盘110的对象物w的背面与包含槽14的第1主面11a之间形成空间。
33.通过适当选择点13的高度、槽14的深度以及点13与槽14的面积比率、形状等，能够将对象物w的温度及附着于对象物w的颗粒控制在优选的状态。
34.气体导入路53以穿通陶瓷电介体基板11、基座板50及接合部60的方式被设置。气体导入路53具有位于陶瓷电介体基板11的第1孔部53a、位于基座板50的第2孔部53b及位于接合部60的第3孔部53c。第2孔部53b被设置成例如穿通基座板50。第2孔部53b既可以直线状穿通基座板50，还可以在途中发生分支。气体导入路53设置在基座板50的多个部位。
35.第1孔部53a例如连接于槽14。在从第2主面11b到第1主面11a的跨度上设置第1孔部53a。即，第1孔部53a从第2主面11b到第1主面11a为止在z方向上延伸，穿通陶瓷电介体基板11。
36.第2孔部53b借由第3孔部53c连通于第1孔部53a。流入第2孔部53b的气体(氦(he)等)，在通过第2孔部53b之后通过第3孔部53c，之后流入第1孔部53a。
37.流入第1孔部53a的气体，在通过第1孔部53a之后流入设置在对象物w与包含槽14的第1主面11a之间的空间。由此，利用气体能够直接冷却对象物w。
38.在第1孔部53a及第2孔部53b的至少任意一个中设置锪孔部53s。在锪孔部53s配置多孔质部90及/或多孔质部70。第1孔部53a具有：包含第1主面11a的第1部分53aa；及包含第2主面11b的第2部分53ab。在第1部分53aa与第2部分53ab之间还可以具有其他部分(例如，后述的中间部分53ac)。将锪孔部53s例如设置在第2部分53ab。第2孔部53b具有：包含上面50u的第3部分53bu；及包含下面50d的第4部分53bd。在第3部分53bu与第4部分53bd之间还可以具有其他部分。将锪孔部53s例如设置在第3部分53bu。
39.将多孔质部90及/或多孔质部70设置在锪孔部53s。多孔质部90具有向第3孔部53c露出的露出面即第1面90a和第1面90a相反侧的第2面90b。多孔质部70具有向第3孔部53c露出的露出面即第3面70a和第3面70a相反侧的第4面70b。本说明书中，当将多孔质部配置在
陶瓷电介体基板11的内部(第1孔部53a)时作为多孔质部90，当配置在基座板50的内部(第2孔部53b)时作为多孔质部70。
40.气体导入路53中，氦等冷却气体以第2孔部53b、第3孔部53c、第1孔部53a的顺序流动，例如借由槽14供向陶瓷电介体基板11的第1主面11a侧。当使用静电吸盘时，等离子体位于第1主面11a侧。从而，当分别将陶瓷多孔质部90配置于第1孔部53a，将陶瓷多孔质部70配置于第2孔部53b时，优选使更靠近等离子体而被配置的陶瓷多孔质部90的抗击穿性高于陶瓷多孔质部70。作为一个例子，使多孔质部90的第1多孔部91(在以后进行详述)的孔径小于多孔质部70的第2多孔部71，使第1多孔部91的气孔率小于第2多孔部71的气孔率。此时，由于能够使位于气体流的上游侧的多孔质部70的透气性高于位于气体流的下游侧的多孔质部90的透气性，因此从气体流量控制的观点考虑也应优选。
41.图2(a)、(b)及图3是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式图。图2及图3是例示多孔质部90及多孔质部70的周边的模式化剖视图，相当于图1所示的区域a的放大图。图2(b)是图2(a)所示的区域的放大图。
42.并且，为了避免变烦杂，图2中省略点13(例如，参照图1)而进行了描绘。
43.如图2所示，在该例子中，在设置于第1孔部53a的锪孔部53s，配置有多孔质部90，在设置于第2孔部53b的锪孔部53s，配置有多孔质部70。多孔质部90的第1面90a是向第3孔部53c露出的露出面。第1面90a与陶瓷电介体基板11的第2主面11b位于大致同一平面上。多孔质部70的第3面70a是向第3孔部53c露出的露出面。第3面70a与基座板50的上面50u位于大致同一平面上。
44.在该例子中，设置在第1孔部53a的锪孔部53s的沿向x或y方向的长度ts，相同或者小于第3孔部53c的沿向x或y方向的长度tc。多孔质部90的沿向x或y方向的长度t1，相同或者小于长度ts。因此，能够提高击穿抑制效果。
45.如果多孔质部90的横宽(长度t1)与锪孔部53s的横宽(长度ts)相同，则能够抑制在多孔质部90的侧面(分别垂直于第1面90a及第2面90b的面)与锪孔部53s之间的放电。例如通过烧结将陶瓷电介体基板11与多孔质部90一体化，从而能够将长度t1与长度ts做成相同。
46.参照图2进一步进行说明。在该例子中，分别在第1孔部53a设置多孔质部90，在第2孔部53b设置多孔质部70，多孔质部90具备第1突出部3a。
47.多孔质部90具有第1多孔部91及第1致密部93。第1多孔部91具有透气性。第1致密部93与第1多孔部91相比更致密。第1多孔部91的气孔率大于第1致密部93的气孔率。第1多孔部91具有多个孔。优选多个孔为具有规定范围的孔径的直线孔。此时，孔径为例如1um～30um。多个孔还可以一边相互连通一边随机配置。第1致密部93实质上还可以并不具有透气性。第1致密部93被配置成覆盖第1多孔部91的外周。通过设置第1致密部93，能够提高多孔质部90的刚性。例如，当在多孔质部90的侧面(分别垂直于第1面90a及第2面90b的面)与锪孔部53s之间配置粘接剂时，通过设置第1致密部93来能够抑制粘接剂侵入多孔质部90而透气性变差。在该例子中，多孔质部70同样也具有第2多孔部71及第2致密部73。第2多孔部71具有透气性。第2致密部73与第2多孔部71相比更致密。第2多孔部71的气孔率大于第2致密部
73的气孔率。第2致密部73实质上还可以并不具有透气性。第2致密部73被配置成覆盖第2多孔部71的外周。并且，在第2多孔部71，当多个孔为具有规定范围的孔径的直线状的孔时，其孔径还可以大于第1多孔部91的孔径。
48.例如，第1多孔部91的密度低于第1致密部93的密度。例如，第1多孔部91的透气性高于第1致密部93的透气性。例如，第1多孔部91呈圆柱状。第1致密部93接触第1多孔部91的外周侧面。第1致密部93呈围住第1多孔部91的外周侧面的环状(管状)。例如，第2多孔部71的密度低于第2致密部73的密度。例如，第2多孔部71的透气性高于第2致密部73的透气性。例如，第2多孔部71呈圆柱状。第2致密部73接触第2多孔部71的外周侧面。第2致密部73呈围住第2多孔部71的外周侧面的环状(管状)。
49.如图2所示，在多孔质部90，第1致密部93的至少一部分构成从露出面即第1面90a沿着z方向朝着第3孔部53c突出的第1突出部3a。在此，第1面90a是在多孔质部90中构成第3孔部53c侧的最大面积的面。在该例子中，第1多孔部91构成第1面90a。
50.即，例如第1面90a是第1多孔部91的下面。例如，第1突出部3a是在第1致密部93中从第1面90a向下方(从陶瓷电介体基板11朝向基座板50的方向)突出的部分。此时，第1突出部3a是第1致密部93中的与第1面90a相比位于更靠近下方的位置的部分。第1突出部3a在xy平面上的平面形状为例如环状。
51.静电吸盘110中，将陶瓷多孔质部90配置在气体导入路53的例如第1孔部53a，多孔质部90的第1致密部93的至少一部分构成从多孔质部90的第3孔部53c侧的露出面(第1面90a)沿着z方向突出的第1突出部3a。因此能够抑制击穿。另外，当使用静电吸盘时，接合部60的向第3孔部53c露出的端部60e有可能被等离子体所腐蚀而产生颗粒。即使在此时，设置在陶瓷多孔质部90的第1突出部3a也成为物理性阻挡层，能够抑制因等离子体腐蚀而产生的颗粒侵入多孔质部90的第1多孔部91或多孔质部70的第2多孔部71。从而，可长期维持电弧放电的抑制效果。
52.在该例子中，第1突出部3a接触多孔质部70的第3面70a。当在第2孔部53b并未配置有锪孔部53s时，即并未具备多孔质部70时，第1突出部3a接触基座板50的上面50u。
53.在该例子中，第1突出部3a的沿着z方向离露出部(第1面90a)的长度即突出长度h1，大致相同于接合部60的沿向z方向的长度h2。因此能够进一步提高抗击穿性。另外，能够更加有效地抑制颗粒的侵入，可长期维持电弧放电的抑制效果。在该例子中，第1突出部3a的顶端接触多孔质部70的第3面70a。当第1突出部3a呈环状且其顶端接触第3面70a时，能够物理性切断气体流与接合部60的端部60e，因此能够有效地抑制颗粒侵入多孔质部90及/或多孔质部70，抑制颗粒堵塞多孔质部而流量经时性下降。
54.例如，当在x或y方向上观察时，如果第1面90a与接合部60发生重叠，则还可以使第1突出部3a的突出长度h1小于接合部60的沿向z方向的长度h2。
55.即，在第2方向上，当第1面90a与接合部60排列(重叠)时，突出长度h1还可以小于长度h2。并且，在图2(b)的例子中，突出长度h1是第1面90a的z方向的位置与第1突出部3a的下端的z方向的位置之间的距离。
56.在该例子中，除了向第1主面11a侧发生开口的第1部分53aa及向第2主面11b侧发生开口的第2部分53ab之外，第1孔部53a还具有设置在第1部分53aa与第2部分53ab之间的中间部分53ac。锪孔部53s设置在第2部分53ab。在该例子中，第1部分53aa向设置于第1主面
11a的槽14发生开口。中间部分53ac位于多孔质部90的第2面90b与第1部分53aa之间。多孔质部90的露出面(第1面90a)的相反侧的面即第2面90b向中间部分53ac露出。沿向x或y方向的中间部分53ac的长度t1c构成为，大于沿向x或y方向的第1部分53aa的长度t1a。当使用静电吸盘时，多孔质部90的第2面90b通过第1孔部53a直接暴露于等离子体。因此，要求多孔质部90具有与多孔质部70相比更高的抗击穿性，如同前述，有时其透气性被设定成低于多孔质部70的透气性。通过设置中间部分53ac，能够提高透气性，能够容易得到一定的气体流量。
57.在该例子中，第1致密部93还具有从第2面90b沿着z方向朝着第1部分53aa突出的第2突出部3b。因此能够进一步提高抗击穿性。
58.即，例如第2面90b是第1多孔部91的上面。例如，第2突出部3b是在第1致密部93中从第2面90b向上方(从基座板50朝向陶瓷电介体基板11的方向)突出的部分。此时，第2突出部3b是第1致密部93中的与第2面90b相比位于更靠近上方的位置的部分。第2突出部3b的xy平面上的平面形状为例如环状。
59.接下来，参照图3进行说明。在该例子中，分别在第1孔部53a设置多孔质部90，在第2孔部53b设置多孔质部70，多孔质部70具备第1突出部3a。
60.如图3所示，在该例子中，在多孔质部70，第2致密部73的至少一部分构成从露出面即第3面70a沿着z方向朝着第3孔部53c突出的第1突出部3a。在此，第3面70a是在多孔质部70中构成第3孔部53c侧的最大面积的面。在该例子中，第2多孔部71构成第3面70a。
61.即，例如第3面70a是第2多孔部71的上面。例如，第1突出部3a是在第2致密部73中从第3面70a向上方突出的部分。此时，第1突出部3a是第2致密部73中的与第3面70a相比位于更靠近上方的位置的部分。
62.静电吸盘110中，将陶瓷多孔质部70配置在气体导入路53的例如第2孔部53b，多孔质部70的第2致密部73的至少一部分构成从多孔质部70的第3孔部53c侧的露出面(第3面70a)沿着z方向突出的第1突出部3a。因此能够抑制击穿。另外，当使用静电吸盘时，接合部60的向第3孔部53c露出的端部60e有可能被等离子体所腐蚀而产生颗粒。即使在此时，设置在陶瓷多孔质部70的第1突出部3a也成为物理性阻挡层，能够抑制因等离子体腐蚀而产生的颗粒侵入多孔质部90的第1多孔部91或多孔质部70的第2多孔部71。从而，可长期维持电弧放电的抑制效果。
63.在该例子中，第1突出部3a接触多孔质部90的第1面90a及陶瓷电介体基板11的第2主面11b。当在第1孔部53a并未配置有锪孔部53s时，即并未具备多孔质部90时，第1突出部3a接触陶瓷电介体基板11的第2主面11b。
64.在该例子中，第1突出部3a的沿着z方向离露出部(第3面70a)的长度即突出长度h1，大致相同于接合部60的沿向z方向的长度h2。因此能够进一步提高抗击穿性。另外，能够更加有效地抑制颗粒的侵入，可长期维持电弧放电的抑制效果。在该例子中，第1突出部3a的顶端接触多孔质部90的第1面90a。当第1突出部3a呈环状且其顶端接触第1面90a时，能够物理性切断气体流与接合部60的端部60e，因此能够有效地抑制颗粒侵入多孔质部90及/或多孔质部70，抑制颗粒堵塞多孔质部而流量经时性下降。
65.例如，当在x或y方向上观察时，如果第1面90a与接合部60发生重叠，则还可以使第
1突出部3a的突出长度h1小于接合部60的沿向z方向的长度h2。
66.例如，在第2方向上，当第3面70a与接合部60排列(重叠)时，突出长度h1还可以小于长度h2。并且，在图3的例子中，突出长度h1是第3面70a的z方向的位置与第1突出部3a的上端的z方向的位置之间的距离。
67.还可以在第3孔部53c配置绝缘性的击穿抑制部(未图示)。通过用击穿抑制部大致填上第3孔部53c的空间，从而能够提高抗击穿性。击穿抑制部构成为气体可通过。击穿抑制部还可以具有弹性。击穿抑制部还可以由聚酰亚胺、聚四氟乙烯(ptfe)等氟树脂及环氧等树脂所构成。击穿抑制部还可以由陶瓷构成。优选击穿抑制部的透气率高于多孔质部90。多孔质部90的气孔率还可以小于多孔质部70的气孔率。在气体导入路53中，通过将配置在更靠近等离子体氛围的部分的多孔质部90的气孔率做成相对较小，从而能够进一步提高抗击穿性。能够使击穿抑制部的气孔率大于多孔质部90的气孔率。能够使击穿抑制部的气孔率大于多孔质部70的气孔率。虽然在图2及图3中对具备2个多孔质部(多孔质部90、多孔质部70)的静电吸盘的例子进行了说明，但是并不局限于此，而是可根据目的进行改变，还可以只具备1个多孔质部(只是多孔质部90或者只是多孔质部70)。
68.作为一个例子，锪孔部53s的横宽(ts)为1mm～5mm。在第1孔部53a，第1部分53aa的沿向x或y方向的长度t1a例如为0.05毫米(mm)以上、0.5mm以下。
69.并且，当第1孔部53a的第1部分53aa向槽14发生开口时，第1部分53aa的横宽(t1a)是第1部分53aa的接触槽的部分的宽度。多孔质部90的横宽(t1)及多孔质部70横宽(t2)均为最大部分的尺寸。优选多孔质部的50％以上具有该尺寸，更优选70％以上，进一步优选90％以上。
70.接合部60的高度(h2)例如为100μm～1000μm，优选200μm～600μm。并且，接合部60的沿向z方向的长度，相同于第3孔部53c的沿向z方向的长度。
71.在该例子中，多孔质部90的第2面90b位于第1孔部53a的内部。也就是说，第2面90b与陶瓷电介体基板11的第1主面11a并不构成同一平面。多孔质部70的第4面70b位于第2孔部53b的内部。也就是说，第4面70b与基座板50的下面50d并不构成同一平面。
72.多孔质部90及多孔质部70的材料使用具有绝缘性的陶瓷。多孔质部90(后述的各自第1多孔部91及第1致密部93)含有氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)及氧化钇(y2o3)的至少任意一个。由此，能够得到多孔质部90的较高的绝缘强度及较高的刚性。
73.例如，多孔质部90将氧化铝、氧化钛及氧化钇的任意一个作为主成分。此时，能够使陶瓷电介体基板11的氧化铝的纯度高于多孔质部90的氧化铝的纯度。这样，能够确保静电吸盘110的抗等离子性等性能，而且能够确保多孔质部90的机械强度。作为一个例子，通过使多孔质部90含有微量的添加物，从而促进多孔质部90的烧结，能够确保对气孔的控制及机械强度。
74.关于多孔质部90及多孔质部70的详细内容，作为本说明书的一部分构成而引用日本专利6489277号公报的内容。
75.本说明书中，能够通过荧光x线分析、icp-aes法(inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry：电感耦合等离子体原子发射光谱法)等对陶瓷电介体基板11的氧化铝等的陶瓷纯度进行测定。
76.在多孔质部，例如多孔部(第1多孔部91、第2多孔部71)的材料与致密部(第1致密部93、第2致密部73)的材料相同。但是，多孔部的材料与致密部的材料还可以不同。多孔部的材料的组成与致密部的材料的组成还可以不同。
77.图4是例示其他实施方式所涉及的静电吸盘的模式图。在该实施方式中，对如下形态进行说明，在多孔质部，当在z方向上观察时，在与气体导入路53(第1孔部53a)发生重叠的部分设置有其他致密部。如图4所示，例如在多孔质部90，除了以覆盖第1多孔部91外周的方式被配置的第1致密部93之外，优选在第1多孔部91的与第1孔部53a的第1部分53aa在z方向上发生重叠的部分，还设置第1中央致密部93c。第1中央致密部93c与第1多孔部91相比更致密。第1多孔部91的气孔率大于第1中央致密部93c的气孔率。例如，第1多孔部91的密度低于第1中央致密部93c的密度。第1多孔部91的透气性高于第1中央致密部93c的透气性。例如，第1中央致密部93c呈圆柱状。此时，第1多孔部91接触第1中央致密部93c的外周侧面，呈围住第1中央致密部93c的环状(管状)。由于已产生的电流要迂回第1中央致密部93c而流动，因此能够加长电流流动的路径即导电母线。因此电子难以被加速，能够抑制电弧放电的发生。从电弧放电抑制的观点考虑，优选第1致密部93及第1中央致密部93c的至少任意一个的电容率低于第1多孔部91的电容率。通过降低这些致密部的电容率，当使用静电吸盘时，能够降低多孔质部90以外所涉及的电位差来抑制绝缘破坏。
78.接下来，对在多孔质部70设置其他致密部的情况进行说明。例如，在多孔质部70，除了以覆盖第2多孔部71外周的方式被配置的第2致密部73之外，还可以设置其他致密部。作为其他致密部的一个例子，在第2多孔部71中与第1孔部53a的第1部分53aa在z方向上发生重叠的部分，还可以设置第2中央致密部73c。此时，例如第2中央致密部73c呈圆柱状。作为其他例子，如图4所示，在第2多孔部71中与要迂回第1中央致密部93c而流动的电流相对的位置，还可以设置第2中央致密部73c。此时，例如在第2中央致密部73c的内侧，配置与第2多孔部71相同的圆柱状的多孔部(中央多孔部)。中央多孔部的气孔率、密度及透气性还可以与第2多孔部71相同。第2中央致密部73c与第2多孔部71相比更致密。第2多孔部71的气孔率大于第2中央致密部73c的气孔率。例如，第2多孔部71的密度低于第2中央致密部73c的密度。第2多孔部71的透气性高于第2中央致密部73c的透气性。第2中央致密部73c接触中央多孔部的外周侧面，还可以呈围住中央多孔部的外周侧面的环状(管状)。当设置第2中央致密部73c时，第2多孔部71接触第2中央致密部73c的外周侧面，呈围住第2中央致密部73c的环状(管状)。当在z方向上观察时，还优选第1中央致密部93c的一部分与第2中央致密部73c的一部分发生重叠。还更优选第2中央致密部73c呈环状，当在z方向上观察时，以覆盖第1中央致密部93c的方式被配置。由此，能够进一步加长电流流动的路径即导电母线，能够更加有效地抑制电弧放电的发生。例如，设置在环状的第2中央致密部73c内侧的中央多孔部在z方向上与第1中央致密部93c发生重叠。与第1致密部93、第1中央致密部93c同样，还优选第2致密部73、第2中央致密部73c的至少任意一个的电容率低于第2多孔部71的电容率。关于上述以外的第1中央致密部93c及第2中央致密部73c的详细内容，作为本说明书的一部分构成而引用日本特开2020-072261号公报及日本特开2020-150257号公报的内容。
79.图5是例示其他实施方式所涉及的静电吸盘的模式图。在该例子中，锪孔部53s设置在第2孔部53b，在锪孔部53s配置有多孔质部70。第1孔部53a由多个细孔16所构成。在该例子中，各细孔16的沿向x或y方向的长度(细孔16的直径)，与图2～图4所例示的第1部分53aa的横宽(t1a)相比充分小。具体而言，细孔16的直径为0.01毫米(mm)～0.2毫米(mm)。
80.能够对陶瓷电介体基板11c例如实施激光照射或超声波加工等来形成多个孔16。多个孔16的一端还可以位于槽14。多个孔16的另一端位于陶瓷电介体基板11的第2主面11b。即，多个孔16在z方向上穿通陶瓷电介体基板11。
81.在图5所示的例子中，构成第1孔部53a的多个细孔16，与当在z方向上观察时以环状设置的第1突出部3a相比，配置在更靠近内侧的位置。因而，能够提高抗击穿性。另外，即使在接合部60的端部60e被等离子体所腐蚀而产生颗粒的情况下，也抑制颗粒侵入细孔16。因而，能够继续维持击穿抑制效果。即使在本实施方式中，也能够将前述的击穿抑制部(未图示)配置在第3孔部53c。另外，在多孔质部70，当在z方向上观察时与多个细孔16发生重叠的位置，还可以设置第2中央致密部73c。
82.例如，对通过扫描式电子显微镜得到的图像进行图像解析，由此算出在陶瓷电介体基板11及多孔质部70中的气孔率。根据jis(日本工业标准)c2141 5.4.3测定密度。
83.制造方法以下，对以上所说明的实施方式所涉及的静电吸盘的制造方法进行叙述。准备在第1孔部53a配置有多孔质部90的陶瓷电介体基板11和在第2孔部53b配置有多孔质部70的基座板50。以使第1孔部53a与第2孔部53b相对的方式，通过粘接剂等接合基座板50与陶瓷电介体基板11而形成接合部60。作为多孔质部90或多孔质部70，使用致密部具有第1突出部的构件。之后，以第1突出部位于接合部60侧的方式，将多孔质部90配置在第1孔部53a，或者将多孔质部70配置在第2孔部53b。当第1孔部53a由多个细孔16所形成时，以第1突出部位于接合部60侧的方式，将多孔质部70配置在第2孔部53b，而且，代替在第1孔部53a配置有多孔质部90的陶瓷电介体基板11的准备，而准备作为第1孔部53a而形成有多个细孔16的陶瓷电介体基板11即可。如同前述，可通过激光照射或超声波加工等来形成多个细孔16。而且，以使细孔16与第2孔部53b连通的方式形成接合部60。
84.处理装置图6是例示本实施方式所涉及的处理装置200的模式图。如图6所示，能够在处理装置200中设置静电吸盘110、电源210、介质供给部220、供给部230。将电源210电连接于设置于静电吸盘110的电极12。能够使电源210为例如直流电源。电源210对电极12外加规定的电压。另外，还可以将切换电压的外加与停止电压的外加的开关设置于电源210。
85.将介质供给部220连接于输入路51及输出路52。介质供给部220例如能够供给由冷却介质或保温介质所构成的液体。介质供给部220例如具有收容部221、控制阀222、排出部223。
86.能够使收容部221为例如收容液体的储液箱或工厂配管等。另外，在收容部221可
设置控制液体温度的冷却装置或加热装置。在收容部221还可以具备用于送出液体的泵等。
87.控制阀222连接于输入路51与收容部221之间。控制阀222能够控制液体的流量及压力的至少任意一个。另外，还可以使控制阀222切换液体的供给与停止供给。
88.排出部223连接于输出路52。能够使排出部223为回收从输出路52排出的液体的储液箱或排液配管等。并且，并不一定需要排出部223，还可以向收容部221供给从输出路52排出的液体。这样，由于能够使冷却介质或保温介质进行循环，因此能够实现省资源化。
89.供给部230具有气体供给部231及气体控制部232。能够使气体供给部231为收容氦等气体的高压瓶或工厂配管等。并且，虽然例示了设置有1个气体供给部231的情况，但是还可以设置有多个气体供给部231。
90.气体控制部232连接于多个气体导入路53与气体供给部231之间。气体控制部232能够控制气体流量及压力的至少任意一个。另外，还可以使气体控制部232还具有切换气体的供给与停止供给的功能。能够使气体控制部232为例如质量流量控制器(mass flow controller)或质量流量计(mass flow meter)等。
91.如图6所示，能够设置多个气体控制部232。例如，能够将气体控制部232设置于第1主面11a的每一个多个区域。这样，能够在每一个多个区域中进行气体供给的控制。此时，还可以将气体控制部232设置于每一个多个气体导入路53。这样，能够更加精密地进行在多个区域中的气体控制。并且，虽然例示了设置多个气体控制部232的情况，但是如果气体控制部232能够独立控制多个供给系统中的气体供给，则1台也即可。
92.在此，在保持对象物w的手段中存在真空吸盘及机械吸盘等。但是，在比大气压更被减压的环境中无法使用真空吸盘。另外，如果使用机械吸盘，则有可能对象物w受损伤或者产生颗粒。因此，例如在半导体制造流程等中使用的处理装置中使用静电吸盘。
93.在这样的处理装置中，需要从外部环境隔离处理空间。因此，处理装置200可以还具备腔室240。能够使腔室240具有例如可维持比大气压更被减压的氛围的气密构造。另外，处理装置200能够具备多个升降销及使多个升降销进行升降的驱动装置。在从搬运装置接收对象物w或者向搬运装置传递对象物w时，升降销因驱动装置而进行上升并从第1主面11a突出。在将从搬运装置接收的对象物w放置于第1主面11a时，升降销因驱动装置而进行下降并收容于陶瓷电介体基板11的内部。
94.另外，在处理装置200中能够对应于处理内容而设置各种装置。例如，能够设置对腔室240的内部进行排气的真空泵等。能够设置在腔室240的内部产生等离子体的等离子体产生装置。能够设置向腔室240的内部供给流程气体的流程气体供给部。还可以设置在腔室240的内部加热对象物w或流程气体的加热器。并且，设置于处理装置200的装置并不限定于例示的内容。由于在设置于处理装置200的装置中可应用已知的技术，因此省略详细的说明。
95.图7是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图8是例示实施方式所涉及的处理装置的模式图。图7对应于图1所示的静电吸盘。图8对应于图6所示的处理装置。如图8所示，在该例子中，设置有静电吸盘110a(静电吸盘110的一个例子)及陶瓷电介体基板11c(陶瓷电介体基板11的一个例子)。
96.图9是例示实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
图9是例示多孔质部90及多孔质部70的周边的模式化剖视图，对应于图2(a)。并且，在实施方式的说明中，有时将从基座板50朝向陶瓷电介体基板11的方向称为“上”，将从陶瓷电介体基板11朝向基座板50的方向称为“下”。另外，有时将陶瓷多孔质部90称为多孔质部90，将陶瓷多孔质部70称为多孔质部70。
97.在第2方向(xy平面内的1个方向)上，第1孔部53a与陶瓷电介体基板11排列。xy平面是垂直于z方向的平面。例如，第1孔部53a由设置于陶瓷电介体基板11的孔的至少一部分所形成。在第2方向上，第2孔部53b与基座板50排列。例如，第2孔部53b由设置于基座板50的孔的至少一部分所形成。第3孔部53c穿通接合部60，在第2方向上，与接合部60排列。例如，第3孔部53c由被接合部60围住的空间(孔)的至少一部分所形成。
98.例如，第1孔部53a、第2孔部53b及第3孔部53c的各自外周在xy平面上的形状为圆状。并且，称为圆状的范围不仅指完全的圆(真圆)，而且还可以包含真圆发生扭曲的形状，例如还可以包含椭圆或扁平圆。圆柱状是具有圆状的截面形状的柱状。
99.第1孔部53a包含第1部分53aa、第2部分53ab、第3部分53ac。第3部分53ac位于第1部分53aa与第2部分53ab之间。第3部分53ac例如是多孔质部90的第2面90b与陶瓷电介体基板11之间的空间。
100.第2部分53ab包含锪孔部53s。例如，第1部分53aa、第2部分53ab、第3部分53ac及锪孔部53s的各自外周在xy平面上的形状为圆状。设置在第1孔部53a的锪孔部53s的沿向第2方向的长度ts(长度tsa)，大于第1部分53aa的沿向该第2方向的长度t1a(参照图2(b))。并且，长度ts例如是锪孔部53s的直径，是锪孔部53s的平面形状的最大宽度。平面形状的最大宽度是在沿向xy平面内的方向的长度中的最大值。长度t1a例如是第1部分53aa的直径，是第1部分53aa的平面形状的最大宽度。例如，设置在第1孔部53a的锪孔部53s是第1孔部53a中的直径从第1部分53aa发生放大的部分的至少一部分。例如，在xy平面内，锪孔部53s的中心位置与第1部分53aa的中心位置大致相同。
101.例如，锪孔部53s的沿向第2方向的长度ts为第3孔部53c的沿向该第2方向的长度tc(参照图2(b))以下。并且，长度tc例如是第3孔部53c的直径，是第3孔部53c的平面形状的最大宽度。例如，多孔质部90的沿向第2方向的长度t1(参照图2(b))为锪孔部53s的长度ts(长度tsa)以下。并且，长度t1例如是多孔质部90的直径，是多孔质部90的平面形状的最大宽度。
102.第1部分53aa的上端设置于陶瓷电介体基板11的第1主面11a，连续于第1主面11a的槽14。第1部分53aa直接连接于第1主面11a的槽14。第2部分53ab的下端设置于陶瓷电介体基板11的第2主面11b。锪孔部53s的下端设置于陶瓷电介体基板11的第2主面11b。
103.陶瓷电介体基板11具有与第1孔部53a的内周侧面53as发生交叉的锪孔面53ah。锪孔面53ah例如在第2方向上延展，朝向下方。第1部分53aa的下端设置于锪孔面53ah。
104.多孔质部90的第1面90a是基座板50侧的下面，第2面90b是上面。第1面90a面向第3孔部53c且接触第3孔部53c。第1面90a及第2面90b分别例如沿着xy平面延伸，实质上是平面。在第1面90a与多孔质部70(或基座板50)之间形成有空间。
105.在第2方向上，第1突出部3a与接合部60排列。由此，抑制接合部60被暴露于等离子体或气体，得到保护。在图9的例子中，通过设置在多孔质部90的第1突出部3a将接合部60隔
离于第1面90a与多孔质部70(或基座板50)之间的空间。例如，在气体导入路53的气体可通过的空间中配置有第1突出部3a，以便接合部60例如不会直接接触。
106.例如，在图9的例子中，第1突出部3a的下端在xy平面上具有环状形状，在该环状形状的整周的跨度上接触多孔质部70及基座板50的至少任意一个。例如，第1突出部3a的下端接触多孔质部70的第2致密部73。第1突出部3a的下端还可以接触多孔质部70的第2多孔部71。
107.在该例子中，第1突出部3a离开接合部60的端部60e。在第1突出部3a与接合部60之间配置有空间(第3孔部53c的一部分)。但是，第1突出部3a还可以接触端部60e。
108.另外，第2突出部3b的上端还可以接触锪孔面53ah。例如，第2突出部3b的上端在xy平面上具有环状形状，在该环状形状的整周的跨度上接触锪孔面53ah。此时，中间部分53ac包含被锪孔面53ah、多孔质部90的第2面90b、第2突出部3b所划分的空间。
109.另外，如图9所示，第2孔部53b具有第3部分53bu及第4部分53bd。第3部分53bu包含锪孔部53s。即，在该例子中，锪孔部53s分别设置在第1孔部53a及第2孔部53b。第3部分53bu的上端设置于基座板50的上面50u。第2孔部53b的锪孔部53s的上端设置于上面50u。例如，第4部分53bd连接于第2孔部53b的锪孔部53s的下端。第4部分53bd的下端设置于基座板50的下面50d。
110.例如，第3部分53bu、第4部分53bd及锪孔部53s的各自外周在xy平面上的形状为圆状。如图9所示，第2孔部53b的锪孔部53s的沿向第2方向的长度ts(长度tsb)，大于第4部分53bd的沿向该第2方向的长度t4a。长度t4a例如是第4部分53bd的直径，是第4部分53bd的平面形状的最大宽度。例如，第2孔部53b的锪孔部53s是第2孔部53b中的直径从第4部分53bd发生放大的部分的至少一部分。例如，在xy平面内，锪孔部53s的中心位置与第4部分53bd的中心位置大致相同。
111.例如，多孔质部70的沿向第2方向的长度t2(参照图2(b))为第2孔部53b的锪孔部53s的长度tsb以下。并且，长度t2例如是多孔质部70的直径，是多孔质部70的平面形状的最大宽度。另外，多孔质部70的沿向第2方向的长度t2，大致相同于第3部分53bu的沿向该第2方向的长度t2b(参照图2(b))。并且，长度t2b例如是第3部分53bu的直径，是第3部分53bu的平面形状的最大宽度。
112.例如，长度tsb大于长度tsa，长度t2大于长度t1。但是，并不局限于此，而是长度tsb还可以与长度tsa相同，或者小于长度tsa。长度t2还可以与长度t1相同，或者小于长度t1。
113.多孔质部70的第3面70a是陶瓷电介体基板11侧的上面，第4面70b是下面。第3面70a面向第3孔部53c且接触第3孔部53c。第3面70a借由第3孔部53c的一部分而与第1面90a相对。第3面70a及第4面70b分别例如沿着xy平面延伸，实质上是平面。在第3面70a与多孔质部90(或陶瓷电介体基板11)之间形成有空间。
114.例如，在图3或图5的例子中，通过设置在多孔质部70的第1突出部3a将接合部60隔离于第3面70a与多孔质部90(或陶瓷电介体基板11)之间的空间。由此，抑制接合部60被暴露于等离子体或气体，得到保护。
115.例如，在图3及图5的例子中，第1突出部3a的上端在xy平面上具有环状形状，在该环状形状的整周的跨度上接触多孔质部90及陶瓷电介体基板11的至少任意一个。例如，在
图3的例子中，第1突出部3a的上端接触多孔质部90的第1致密部93及陶瓷电介体基板11。第1突出部3a的上端还可以接触多孔质部90的第1多孔部91。
116.另外，在图3的例子中，第1突出部3a接触接合部60的端部60e。但是，多孔质部70的第1突出部3a还可以离开接合部60的端部60e。即，还可以配置有多孔质部70的第1突出部3a与接合部60之间的空间(第3孔部53c的一部分)。
117.并且，“大致相同”或“相同”并不只局限于严格相同，而是还可以包括例如缘于制造偏差的程度的范围或者制造上的游隙(例如用于在锪孔部内配置多孔质部等的些许间隙)范围内的不同。
118.实施方式还可以包括以下的构成。构成1一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，具有所述陶瓷电介体基板侧的上面和所述上面的相反侧的下面；接合部，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间；气体导入路，穿通所述陶瓷电介体基板、所述基座板和所述接合部，具有位于所述陶瓷电介体基板的第1孔部、位于所述基座板的第2孔部和位于所述接合部的第3孔部；锪孔部，设置在所述第1孔部及所述第2孔部的至少任意一个；及陶瓷多孔质部，具有向所述第3孔部露出的露出面且设置在所述锪孔部，当将从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的方向作为第1方向，将与所述第1方向大致正交的方向作为第2方向时，所述陶瓷多孔质部具有：具有透气性的多孔部；及与所述多孔部相比更致密的致密部，所述致密部被配置成覆盖所述多孔部的外周，所述致密部的至少一部分构成从所述露出面沿着所述第1方向朝着所述第3孔部突出的第1突出部。构成2构成1所记载的静电吸盘，所述第1突出部的沿着所述第1方向离所述露出面的长度，大致相同于所述接合部的沿向所述第1方向的长度。构成3构成1或2所记载的静电吸盘，所述锪孔部设置在所述第1孔部。构成4构成3所记载的静电吸盘，所述第1孔部具有：第1部分，向所述第1主面侧发生开口；第2部分，向所述第2主面侧发生开口；及中间部分，设置在所述第1部分与所述第2部分之间，所述锪孔部设置在所述第2部分，沿向所述第2方向的所述中间部分的长度，大于沿向所述第2方向的所述第1部分
的长度，所述陶瓷多孔质部具有所述露出面的相反侧的面，所述面构成为向所述中间部分露出。构成5构成4所记载的静电吸盘，所述致密部还具有从所述面沿着所述第1方向朝着所述第1部分突出的第2突出部。构成6一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，具有所述陶瓷电介体基板侧的上面和所述上面的相反侧的下面；接合部，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间；气体导入路，穿通所述陶瓷电介体基板、所述基座板和所述接合部，具有位于所述陶瓷电介体基板的第1孔部、位于所述基座板的第2孔部和位于所述接合部的第3孔部；锪孔部，设置在所述第2孔部；及陶瓷多孔质部，具有向所述第3孔部露出的露出面且设置在所述锪孔部，当将从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的方向作为第1方向，将与所述第1方向大致正交的方向作为第2方向时，所述陶瓷多孔质部具有：具有透气性的多孔部；及与所述多孔部相比更致密的致密部，所述致密部被配置成覆盖所述多孔部的外周，所述致密部的至少一部分构成从所述露出面沿着所述第1方向朝着所述第3孔部突出的第1突出部，所述第1孔部包含多个细孔。构成7一种处理装置，其特征为，具备：构成1～6的任意一项所记载的静电吸盘；及能够向设置于所述静电吸盘的气体导入路供给气体的供给部。
119.本技术说明书中，“垂直”、“平行”及“正交”并不仅是严格的垂直、严格的平行及严格的正交，而是例如还包括制造工序中的偏差等，只要实质上的垂直、实质上的平行及实质上的正交即可。
120.以上，对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不局限于上述的内容。例如，虽然作为静电吸盘110而例示了利用库仑力的结构，但是即使是利用约翰逊拉别克力的结构也可以加以应用。另外，关于前述的实施方式，只要具备本发明的特征，则本领域技术人员适当加以设计变更的技术也包含在本发明的范围内。另外，只要技术上可行，则可对前述的各实施方式所具备的各要素进行组合，这些组合后的技术只要包含本发明的特征，则也包含在本发明的范围内。