技术特征：
1.一种脊波导半导体激光器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：s1，在衬底上生长缓冲层，并于所述缓冲层上生长量子阱；s2，在所述量子阱的一相对侧分别对接生长第一inp层，所述第一inp层生长的高度与所述量子阱的高度一致；s3，继续在所述量子阱和所述第一inp层上依次生长覆盖层和接触层，并在所述量子阱所在的区域制作脊波导，两所述第一inp层包裹所述脊波导；s4，接着完成后续生长制作工艺后得到激光器。2.如权利要求1所述的一种脊波导半导体激光器制备方法，其特征在于：所述量子阱包括于所述缓冲层上依次生长的有源层、第二inp层以及光栅层。3.如权利要求2所述的一种脊波导半导体激光器制备方法，其特征在于：所述量子阱还包括光栅掩埋层，在所述光栅层上制作光栅后，在所述光栅层上外延生长所述光栅掩埋层。4.如权利要求1所述的一种脊波导半导体激光器制备方法，其特征在于：在对接生长第一inp层前，先在所述量子阱上生长掩膜层，然后利用光刻和刻蚀去掉所述掩膜层的一相对侧，接着通过干法和湿法向下刻蚀所述量子阱未覆盖所述掩膜层的部位直至所述缓冲层形成两个缺口，然后在这两个缺口处对接生长第一inp层，两个所述第一inp层补齐两个所述缺口。5.如权利要求4所述的一种脊波导半导体激光器制备方法，其特征在于：沿两个所述缺口之间的方向，两个所述缺口的尺寸均小于被光刻和刻蚀后的掩膜层的尺寸，被光刻和刻蚀后的掩膜层尺寸和两个所述缺口的尺寸之和为激光器的腔长。6.如权利要求5所述的一种脊波导半导体激光器制备方法，其特征在于：沿两个所述缺口之间的方向，两个所述缺口的尺寸均控制在1-500μm之间。7.如权利要求5所述的一种脊波导半导体激光器制备方法，其特征在于：沿两个所述缺口之间的方向，被光刻和刻蚀后的掩膜层的尺寸控制在10-200μm。8.如权利要求1所述的一种脊波导半导体激光器制备方法，其特征在于：所述后续生长制作工艺包括制作电极，所述电极和所述第一inp层之间增加绝缘材料。9.如权利要求1所述的一种脊波导半导体激光器制备方法，其特征在于：所述第一inp层为本征inp ，非意向掺杂浓度小于；或者所述第一inp层为半绝缘inp ，掺杂元素为fe或ru，掺杂浓度大于。10.一种脊波导半导体激光器，其特征在于：包括于衬底上依次生长的缓冲层和量子阱，于所述量子阱的一相对侧分别对接生长第一inp层，在所述量子阱和所述第一inp层上依次生长覆盖层和接触层，所述量子阱所在的区域具有脊波导，两所述第一inp层包裹所述脊波导，所述第一inp层生长的高度与所述量子阱的高度一致。
技术总结
本发明涉及一种脊波导半导体激光器制备方法，包括如下步骤：S1，在衬底上生长缓冲层，并于缓冲层上生长量子阱；S2，在量子阱的一相对侧分别对接生长第一InP层，第一InP层生长的高度与量子阱的高度一致；S3，继续在量子阱和第一InP层上依次生长覆盖层和接触层，并在量子阱所在的区域制作脊波导，两第一InP层包裹脊波导；S4，接着完成后续生长制作工艺后得到激光器。还提供一种脊波导半导体激光器。本发明在激光器量子阱的两侧对接生长InP，利用InP高热导率散热，解决器件工作时结温高的问题；同时两侧对接生长的InP增加了激光器的腔长，同时将脊波导包裹起来，在生产制备中易解理，不会出现解理腔面损伤，可显著提高激光器的良率，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。
技术研发人员：李鸿建 郭娟
受保护的技术使用者：武汉云岭光电有限公司
技术研发日：2022.09.01
技术公布日：2022/9/30