技术特征：
1.一种多种类多数量芯片三维堆叠集成封装结构，其特征在于，包括：下层芯片组，包括多个水平排列的芯片；下层塑封层，包裹所述下层芯片组；上层芯片，设置于下层芯片组的上方；上层塑封层，包裹所述上层芯片；电性导出结构，设置于上层芯片的上方，与所述下层芯片组以及上层芯片电性连接。2.根据权利要求1所述的一种多种类多数量芯片三维堆叠集成封装结构，其特征在于，所述下层芯片组包括三个芯片；其中一个芯片为感光芯片，该感光芯片的正面具有感光区，且该感光芯片的正面上连接有透射层，所述下层塑封层不包裹该透射层的外表面。3.根据权利要求2所述的一种多种类多数量芯片三维堆叠集成封装结构，其特征在于，所述下层芯片组通过导电柱结构和金属重布线层的配合与所述电性导出结构电性连接；所述上层芯片通过金属重布线层与所述电性导出结构电性连接。4.根据权利要求3所述的一种多种类多数量芯片三维堆叠集成封装结构，其特征在于，所述导电柱结构包括上层导电柱和下层导电柱，所述下层导电柱贯穿于感光芯片中，所述上层导电柱贯穿于所述上层塑封层中。5.根据权利要求1或3所述的一种多种类多数量芯片三维堆叠集成封装结构，其特征在于，所述上层塑封层的上方设有至少一层绝缘介质层和至少一层与上层芯片以及下层芯片组电性连接的金属重布线层；电性导出结构与所述金属重布线层电性连接。6.根据权利要求1所述的一种多种类多数量芯片三维堆叠集成封装结构，其特征在于，所述电性导出结构为焊球、金属凸点或导电胶结构。
技术总结
本实用新型公开了一种多种类多数量芯片三维堆叠集成封装结构，该封装结构包括：下层芯片组，包括多个水平排列的芯片；下层塑封层，包裹所述下层芯片组；上层芯片，设置于下层芯片组的上方；上层塑封层，包裹所述上层芯片；电性导出结构，设置于上层芯片的上方，与所述下层芯片组以及上层芯片电性连接。该封装结构及制造方法可以实现多种类、多数量、多功能芯片的三维堆叠集成封装，并形成一种超薄集成结构，能够同时满足多功能、高效能及低成本等要求。求。求。
技术研发人员：马书英 刘吉康
受保护的技术使用者：华天科技（昆山）电子有限公司
技术研发日：2022.06.08
技术公布日：2022/12/2