干法刻蚀机传送装置的制作方法

1.本实用新型涉及一种半导体加工设备，尤其涉及干法刻蚀机传送装置。


背景技术：

2.干法刻蚀(dry etching)，也称为干法蚀刻，是利用等离子体进行薄膜刻蚀的工业技术。当气体以等离子体形式存在时，一方面，这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与被刻蚀材料进行反应，实现刻蚀材料的目的；另一方面，利用电场对这些气体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀材料的表面时，能够将被刻蚀材料表面的原子击出，从而达到利用能量转移来实现刻蚀的目的。目前，干法刻蚀常被应用于晶圆制造工艺中，在晶圆进入到干法刻蚀设备的腔体后，向腔体通入等离子体形式的气体，以实现对晶圆刻蚀。目前将晶圆送入干法刻蚀腔的手指在传送过程中易将晶圆表面刮伤,而且存在输送中掉落的风险。


技术实现要素：

3.本实用新型针对以上问题，提供了一种结构紧凑、传送稳定的干法刻蚀机传送装置。
4.本实用新型的技术方案是：干法刻蚀机传送装置，包括：
5.连接框架；和
6.若干传送臂，若干所述传送臂固定设置在所述连接框架的下方，形成与晶片适配的放置位；
7.所述传送臂包括：
8.臂板，所述壁板呈板状，与连接框架固定连接；
9.支撑柱，所述支撑柱固定设置在所述臂板上，其底部与臂板固定连接，顶部设有活动连接的滚球；
10.限位台，所述限位台可拆卸固定设置在臂板上，与晶片相适配，顶部朝向支撑柱一侧设有导入部。
11.进一步，所述支撑柱固定设置在所述臂板上，靠近首端位置。
12.进一步，所述传送臂设有三个，分别为传送臂一、传送臂二和传送臂三；
13.所述传送臂二与传送臂一对称设置在连接框架的下方；
14.所述传送臂一固定设置在连接框架的下方，位于传送臂二和传送臂三之间。
15.进一步，所述臂板上设有若干均布设置的内螺纹孔；
16.所述限位台通过相应内螺纹孔可调节设置在臂板上。
17.进一步，所述限位台包括从下而上固定连接的底座和导入舌；
18.所述底座通过连接件可拆卸固定设置在臂板上。
19.进一步，所述臂板的尾端设有与之可调节固定设置的延伸臂。
20.本实用新型包括连接框架和若干传送臂，若干传送臂固定设置在所述连接框架的
下方，形成与晶片适配的放置位；传送臂包括臂板和支撑柱，支撑柱固定设置在所述臂板上，顶部设有活动连接的滚球；限位台顶部设有导入部。存储仓上的传送手水平移动将存储仓内相应工位的晶片移送至放置位的上方，然后传送手下降，将晶片降落至三个传送臂上，此时通过限位台上的导入部快速修正，落入与晶片适配的放置位内，此时晶片的底部通过三个滚球支撑，有效降低了接触面积。本实用新型具有结构紧凑、传送稳定，降低磨损等优点。
附图说明
21.图1是本实用新型传送臂的结构示意图，
22.图2是图1的俯视图，
23.图3是延伸臂连接状态结构示意图，
24.图4是连接框架与传送臂连接状态结构示意图，
25.图5是传送臂三与连接框架连接时，侧部结构示意图；
26.图中100是连接框架，200是传送臂，210是臂板，211是内螺纹孔，220是支撑柱，230是滚球，240是限位台，241是导入部，
27.20a是传送臂一，20b是传送臂二，20c是传送臂三，300是延伸臂。
具体实施方式
28.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
29.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、
ꢀ“
下”、
ꢀ“
左”、
ꢀ“
右”、
ꢀ“
竖直”、
ꢀ“
水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，除非另有说明，
ꢀ“
多个”的含义是两个或两个以上。
30.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、
ꢀ“
相连”、
ꢀ“
连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接 ；可以是机械连接，也可以是电连接 ；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
31.本实用新型如图1-5所示；干法刻蚀机传送装置，包括：
32.连接框架100；和
33.若干传送臂200，若干所述传送臂200固定设置在所述连接框架100的下方，形成与晶片适配的放置位；
34.所述传送臂200包括：
35.臂板210，所述壁板呈板状，与连接框架100固定连接；
36.支撑柱220，所述支撑柱220固定设置在所述臂板210上，其底部与臂板210固定连
接，顶部设有活动连接的滚球230；
37.对支撑柱220进一步限定，支撑柱220的顶部设有与滚球230适配的顶部开口的容腔，滚球230限设在容腔内，通过弹簧将滚球230部分区域从开口处顶出；
38.限位台240，所述限位台240可拆卸固定设置在臂板210上，与晶片相适配，顶部朝向支撑柱220一侧设有导入部241。
39.进一步限定，滚球230的顶部位于限位台顶面的下方位置，即晶片预先经过导入部后落至滚球230上方。
40.进一步限定，所述支撑柱220固定设置在所述臂板210上，靠近首端位置。
41.进一步限定，所述传送臂200设有三个，分别为传送臂一20a、传送臂二20b和传送臂三20c；
42.所述传送臂二20b与传送臂一20a对称设置在连接框架100的下方；
43.所述传送臂一20a固定设置在连接框架100的下方，位于传送臂二20b和传送臂三20c之间。
44.进一步优化，所述臂板210上设有若干均布设置的内螺纹孔211；
45.所述限位台240通过相应内螺纹孔211可调节设置在臂板210上。
46.进一步限定，所述限位台240包括从下而上固定连接的底座和导入舌；
47.所述底座通过连接件可拆卸固定设置在臂板210上。
48.进一步优化，所述臂板210的尾端设有与之可调节固定设置的延伸臂300。
49.延伸臂300与臂板210铰接，角度调节完成后，通过连接件进行固定即可。参照图3、图4所述，可以将延伸臂300与臂板210呈一字形或l形，形成与晶片放置所需位置适配的放置位。
50.本案使用步骤为：
51.参照图4所示，连接框架100的左侧为放置若干晶片的存储仓，存储仓上的传送手水平移动将存储仓内相应工位的晶片移送至放置位的上方，然后传送手下降，将晶片降落至三个传送臂上，此时通过限位台240上的导入部241快速修正，落入与晶片适配的放置位内，此时晶片的底部通过三个滚球230支撑，有效降低了接触面积。
52.连接框架100的上方位置为刻蚀机，连接框架100的下方与直线驱动机构连接，通过直线驱动机构将晶片伸入刻蚀机内。
53.对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：
54.（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；
55.（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；
56.以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。