1.一种含电荷阻隔层的复合基底，其特征在于，依次包括：衬底层、电荷阻隔层、缺陷层和隔离层；所述电荷阻隔层用于阻止所述缺陷层中的电荷下溢。
2.根据权利要求1所述的复合基底，其特征在于，电荷阻隔层是基于界面热扩散掺杂法或离子注入掺杂法对衬底层的工艺面进行界面热扩散掺杂或离子注入掺杂制得的。
3.根据权利要求2所述的复合基底，其特征在于，在基于界面热扩散法制备电荷阻隔层时，将衬底层的工艺面与ge片进行贴片键合，在真空或惰性气氛条件下通过界面热扩散退火达到键合，退火后清洗剥离ge片并干燥。
4.根据权利要求2所述的复合基底，其特征在于，在基于离子注入掺杂法制备电荷阻隔层时，使用ge+和/或p5+进行离子注入掺杂；所述离子注入的剂量≤1×1014ions/cm2，离子注入的能量为20～30kev，离子注入的深度为1～10nm。
5.一种含电荷阻隔层的复合薄膜，其特征在于，包括权利要求1所述的复合基底以及复合于复合基底的隔离层上的薄膜层。
6.一种制备权利要求5所述的含电荷阻隔层的复合薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤s1中，衬底基板的材料选自硅、蓝宝石、石英、碳化硅、氮化硅、铌酸锂、钽酸锂、石英玻璃中的至少一种；薄膜基体的材料选自铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、砷化镓、硅、陶瓷、四硼酸锂、砷化镓、磷酸钛氧钾、磷酸钛氧铷晶体或石英中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤s2中，缺陷层材料选自多晶或者非晶碳化硅层、硅层、氮化硅层或多晶锗中的至少一种。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤s3中，基于离子注入法对薄膜基体的工艺面进行注入离子得到薄膜基体注入片时，注入离子选自氢离子、氦离子、氮离子、氧离子、氩离子中的一种；通过调整离子注入的深度和剂量调整薄膜层的厚度和注入层的扩散宽度。
10.权利要求1所述的含电荷阻隔层的复合基底或权利要求5所述的含电荷阻隔层的复合薄膜在制备电子元器件中的应用。