专利名称：低压压敏电阻材料及工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体陶瓷材料低压压敏电阻材料是七十年代末发展起来的一种很有应用前景的半导体陶瓷材料，在工业电器、高压避雷器、电源设备、汽车通讯电路、仪器仪表、家用电器等方面具有广泛用途，是线路的保护元件。日本公开特许公报昭61-121301低压压敏电阻材料是在经过热处理后，压敏电压最低在10V左右，普通为20-30V。我国压敏电压低于20V左右的元件全部依靠进口，价格十分昂贵，针对这种状况，本发明经过多次实践，改进了制做低压压敏电阻材料中的各组份及组份配比并省去了热处理工艺，研制出压敏电压低于10V，非线性条数α大于10的优异性能的低压材料。
本发明目的在于，研制出的低压压敏电阻材料，其性能电压可从5V-50V，非线性系数α可从10-30，该材料具有工艺、生产成本低、制做方便等特点，从而替代了需要进口产品，其性能参数优于进口产品。
本发明所述的低压压敏电阻材料及工艺是以氧化锌为主体加入适当的添加物，采用陶瓷工艺制备而成，根据添加物的种类，烧结工艺的不同，可制得压敏电压从几伏到几千伏的压敏电阻器。
本发明所述的低压压敏电阻材料及工艺，其主要是以氧化锌为主体材料，再加入适当的添加物，用陶瓷工艺制备而成，其中添加物是由金属氧化物三氧化二铋、二氧化锰、三氧化二钴、三氧化二锑、二氧化钛、三氧化二铬、三氧化二镍、二氧化硅、三氧化二铝、三氧化二锗、三氧化二铁组成，各组份的配比为(摩尔百分比mol%)
三氧化二铋0.5-1.0二氧化锰0.4-1.0三氧化二钴0.4-1.0三氧化二锑0.01-0.07二氧化钛0.3-1.0三氧化二铬0.3-1.0三氧化二镍0.3-1.0二氧化硅0.02-0.07三氧化二铝0.001-0.005三氧化二锗0.02-0.07三氧化二铁0.05-0.5氧化锌余量本发明所述低压压敏电阻材料及工艺是以化学纯氧氧化锌为主原料，经过100℃烘干，将添加物与氧化锌粉充分混合，加入去离子水，玛瑙球进行湿磨35-40小时，100℃烘干，再进一步混合均匀后，在750-850℃预烧1-3小时，预烧后的料干磨2-4小时，放置24小时后在约1×10
pa的压力下成型为φ10毫米，厚度为1.5-2毫米的小圆片，在1100-1250℃空气中烧结，慢冷到室温，在烧好瓷体的两面被银，烧银温度为750-850℃，时间10分钟，然后焊接引线即可。所制出的材料电性能参数如表
实施例以氧化锌粉为主要原料，经过100℃烘干，加入添加物金属氧化物与氧化锌充分混匀，装入去离子水，玛瑙小球湿磨40小时，经100℃烘干在800℃左右预烧1.5小时，干磨3小时，放置24小时在1×10
pa压力下成型∮10毫米，厚度为1.5-2毫米的小圆片，在1115℃空气中烧结，慢冷却室温，然后被银、烧银湿度为800℃，10分钟，焊引线，外包封，测量即可。
权利要求
1.一种低压压敏电阻材料，其特征在于，该材料是以氧化锌为主体材料，再加入适当的添加物，用陶瓷工艺制备而成。
2.根据权利要求1所述的低压压敏电阻材料，其特征在于添加物是由金属氧化物三氧化二铋、二氧化锰、三氧化二钴、三氧化二锑、二氧化钛、三氧化二铬、三氧化二镍、二氧化硅、三氧化二铝、三氧化二锗、三氧化二铁组成。
3.根据权利要求2所述的低压压敏电阻材料，其特征在于添加物金属氧化物中的各组份配比为(摩尔百分比mol%)三氧化二铋 0.5-1.0二氧化锰 0.4-1.0三氧化二钴 0.4-1.0三氧化二锑 0.01-0.07二氧化钛 0.3-1.0三氧化二铬 0.3-1.0三氧化二镍 0.3-1.0二氧化硅 0.02-0.07三氧化二铝 0.001-0.005三氧化二锗 0.02-0.07三氧化二铁 0.05-0.5氧化锌 余量
4.一种低压压敏电阻材料，其特征在于其工艺为以化学纯氧化锌为主要原料，经过100℃烘干，将添加物与氧化锌粉充分混合，加入去离子水，玛瑙小球进行湿磨35-40小时，100℃烘干，再进一步混合均匀后，在750-850℃预烧1-3小时，预烧后的料干磨2-4小时，放置24小时后在约1×10
pa的压力下成型为φ10毫米厚度为1.5-2毫米的小圆片，在1100-1250℃空气中烧结，慢冷到室温，在烧好瓷体的两面被银，烧银温度为750-780℃时间10分钟，然后焊接引线即可。
全文摘要
本发明涉及一种半导体陶瓷材料，低压压敏电阻材料及工艺，该材料主要是以氧化锌为主体，再加入适当的添加物金属氧化物，用陶瓷工艺制备而成，根据添加物的种类，烧结工艺的不同，可制得压敏电压从几伏到几千伏的压敏电阻器，该工艺简单，生产成本低，制做方便，其产品所得参数优于进口同类产品。
文档编号H01C7/10GK1078065SQ92102389
公开日1993年11月3日 申请日期1992年4月23日 优先权日1992年4月23日
发明者康雪雅 申请人:中国科学院新疆物理研究所