基片传送装置的制作方法

文档序号:6802848阅读:142来源:国知局
专利名称:基片传送装置的制作方法
技术领域
本发明涉及一种基片传送装置,即,将基片送入并使其通过真空处理设备的一种传送装置,该真空处理设备具有若干工作站、一个加热装置和若干基片支架,基片支架可以是板式、扁平状和平行六面体的,这些基片支架可在垂直状态下沿预定的传送路径通过工作站。
目前使用的基片支架要么是带有与基片相适应的凹口的薄板,要么是带有撑条的框架(基片固定在撑条上)。通常,基片支架用来装载许多扁平的和板状的基片。
上述类型的传送设备已由美国专利US-PS4042128公开。在使用这种传送设备时,平板形基片支架的主平面在其上、下边棱处,在垂直状态下,在辊子之间被导引,这些辊子可绕垂直轴旋转。在其下边棱处,基片支架还置于具有水平旋转轴的托辊上。
具有多个工作站和辊子的、用于真空涂覆设备的传送设备也已公知(见EP-254145B1),轮子用于导引和运送基本上两维的基片支架在垂直状态下沿一条预先给定的路径通过工作站,并且在基片支架的下边棱区域设有成对的导辊,这些导辊可绕垂直轴旋转,基片支架置于其间。
这些公知的传送装置的任务在于尽可能地排除由于涂料落下而产生的涂覆故障。
此外,曾经有人提议,给传送设备(用于真空涂覆设备)的基片支架装上支腿,支腿在固定导轨上滑动(见欧洲专利EP-0346815)。
在一份较早的专利申请中(P4029905.8,一种具有多个工作站的、用于真空加工设备的基片传送装置),曾建议过,给每个支腿(下端部)装上一对平行的、相互间隔一定距离的、在垂直面内设置的基片支架。一个加热器装进基片支架之间的井状张开区,该加热器从真空室的上壁面垂直向下延伸。
公知的这些装置的缺点是,由于基片所需温度约为450℃,这就不可避免地对基片支架产生温度影响,而且这种温度影响会使整个装置产生热膨胀和变形。由于基片和基片的滚柱导轨的尺寸公差较小,热影响产生的所有构件的尺寸改变也大大影响了设备运行的安全性和可靠性,并导致了大多为全自动的设备产生故障。致使这些设备中断运行,造成较大浪费。
此外,当一基片支架从涂覆区送出及另一基片支架送进进时,固定安装在基片支架之间空腔内的加热器也被涂上了涂料。这样,随着操作时间的增加就导致了加热器的功率损耗。
本发明的主要任务是研制一种对温度影响不敏感且在高温情况下保障设备稳定的无故障运行的装置。此外,最好避免加热器的涂覆,以便尽量延长维修的间隔时间。
本发明的任务是这样完成的在真空室内给实心的下端部装上保持和导引装置,并给该下端部装上用金银丝工艺制成的(filigran)平面框架结构的上端部,待加工的基片借助于一个基片支架保持在该框架上,并且基片支架可活动地悬挂保持在框架上,这样,当加热造成长度改变时,可产生相对运动。
这种一致的、用金银丝工艺制成的(filigran)框架结构,不仅整个上端部而且基片支架的质量较小,并且部件之间可活动地固定,这样就使得装置对温度影响很不敏感及尺寸不易变形。
通过在基片支承框架的垂直支撑上安装侧面屏蔽板,对基片加热器的涂覆得以避免。
其它的实施 可能性和特征在从属权利要求中被进一步描述和说明。
本发明可以有各种不同的实施例,其中之一作为例子在附图中详细画出。


图1在两个相对的喷雾源之间的、装有基片的基片支架的剖视图。
图2图1所示基片支架的侧视图。
图3沿图2X-X剖开的剖视图。
图4具有轮-导轨装置的基片支架的剖视图。
在涂覆室(为了简便起见,未在图中画出)内装有两个喷雾源1、2(见图1),该喷雾源的工作平面3、4间距相等且对称布置。在这两个喷雾源1、2之间有一个支承架5,该支承架由实心的下端部6及杆件式结构的上端部7构成。在下端部6内,设置有一个装置(图中未绘出),该装置用于保持和导引涂覆室中的支承架。上端部7由每边两个垂直的支撑8、9及两个水平的支撑10、11组成,垂直支承8、9固定在下端部6的两相对的端部,水平支撑10、11如图所示总是与垂直支撑8、9的上端相连接。
由每边两个垂直支撑8、9和每边一个水平支撑10、11构成的两个框架不是封闭的,而是在每两个部件之间至少有一个活动部位。因此,当热引起长度改变时,支承架5不会产生变形。
用两个U形挂勾12、13把基片支架14、15挂到两个水平支撑10、11上。基片支架14、15由若干水平的、与支撑10、11平行的支承杆16、16′_,17、17′以及若干垂直的、与支撑9、9′平行的支承杆19、19′、_组成(见图2)。基片支架14、15支承在其下端部,下端部靠着支承辊20、21,支承辊20、21在支承架5内水平放置。水平支承杆16、16′_17、17′上设有槽22、22′_,待涂覆的基片23、23′_装入槽内,基片的正面和反面与喷雾源1、2的工作平面3、4平行。
两个基片支架14、15构成了一个上面敝开的空腔24,在此空腔中挂有中央加热装置25,该加热装置借助一个支座26固定在图中未画出的涂覆腔的盖子上。
大致上矩形的基片23、23′_装入矩形框架5的格子内(见图2)。
在垂直支撑9、9′_侧面装有屏蔽板27、27′_,两个相邻的支承架5,5′_的屏蔽板相互重叠(见图3)。因此,当支承架5、5′沿方向A经过位置固定的喷雾源1、2时,就不会涂覆位于两个基片14、15之间的加热装置25。
用来装入基片23、23′_的支承架5主要由下端部6和上端部7组成(见图4)。为了保持和引导真空室中的支承架5,在下端部6内设有导轨28,该导轨置于一排轮子30、30′_之上。下端下端部6的垂直支脚29支承在第二排轮子31、31′_上。这些轮子30、30′_、31、31′_固定在沿水平方向延伸的L型机壳框架32中,该框架32安装在真空室的壁33和底34上。
权利要求
1.将基片(23、23′…)送入并使其通过真空处理设备的传送装置,该真空处理设备具有若干工作站、一个加热装置和若干基片支架,基片支架可以是板式的、扁平的和平行六面体的,这些基片支架可在垂直状态下沿预定的传送路径通过工作站,其特征在于在真空室内给实心的下端部(6)装上保持和导引装置,该装置可由二轮组(30、31、…31、31′…)组成,轮组与导轨(28)和立式正推轴承(29)相对应,并给下端部(6)装上用金银丝工艺制成的平面框架结构的上端部(7),待加工的基片(23、23′…)借助于一个基片支架(14、15)保持在框架上,并且基片支架(14、15)可活动地保持在框架上,当加热产生长度改变时,基片支架(14、15)可相对框架运动。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于下端部(6)是一个整体结构并且具有大致平行六面体的外形。
3.根据权利要求1或2所述的装置,其特征在于下端部(6)借助一个轮一导轨装置被保持和导引。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于上端部(7)和下端部(6)紧紧连接在一起。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于上端部(7)由若干垂直支撑(8、8′、9、9′)和若干水平支撑(10、11)组成。
6.根据权利要求4或5所述的装置,其特征在于框架垂直支撑(8、8′、9、9′)及水平支撑(10、11)至少在一个连接位置相互间可以活动,当加热引起长度改变时,相互间可以相对运动。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于基片支架(14、15)借助设置在基片支架(14、15)上端的、下端开口的挂沟(12、12′、13、13′)保持在框架的支撑(10、11)上。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于每两个结构相同的基片支架(14、15)相互镜面对称布置。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于下端部(6)上的两个基片支架(14、15)之间有一个窄而高的平行六面体空腔(24),空腔上端敝开。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于从上面装入空腔(24)内一个固定在真空室盖子上的加热装置(25)。
11.根据权利要求1所述的装置,其特征在于在上端部(7)的垂直支撑(8、8′、9、9′)的外侧装有屏蔽板(27、27′_),屏蔽板沿基片(23、23′_)的主延伸方向伸展。
12.根据权利要求11所述的装置,其特征在于两个相邻的支承架(5、5′)的屏蔽板(27、27′_)无缝重叠。
全文摘要
基片传送装置,即,将基片(23、23′…)送入并使其通过真空处理设备的一种传送装置。该真空处理设备具有若干工作站、一个加热装置和若干基片支架,基片支架可以是板式的、扁平的和平行六面体的,这些基片支架可在垂直状态下沿预定的传送路径通过工作站。在真空室内给实心的下端部(6)装上保持和导引装置,并给该下端部(6)装上用金银丝工艺制成的(filigran)平面框架结构的上端部(7),待加工的基片(23、23′…)借助于一个基片支架(14、15)悬挂在该框架上,并且基片支架(14、15)可活动地保持在框架上,当加热产生长度改变时,基片支架(14、15)可相对框架运动。
文档编号H01L21/677GK1073648SQ9211457
公开日1993年6月30日 申请日期1992年11月27日 优先权日1991年11月30日
发明者P·马勒, H·沃尔夫 申请人:莱博德股份公司
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