专利名称：铝电解电容用阳极箔制造方法
技术领域：
本发明涉及铝电解电容用阳极箔的制造方法，具体来说，涉及中高压用阳极箔的漏电流特性改进的铝电解电容用阳极箔制造方法。
近几年，随着装置的小型化和高可靠性，迅速提高了对于铝电解电容小型化、高可靠性要求。因此，对于铝电解电容用阳极箔(以下称作阳极箔)而言，就有必要提高静电容量并且改进漏电流特性。
以往，就中高压用的阳极箔制造方法提出过如特开昭59-89796号公报所述的电解电容用铝箔制造方法，它进行以下处理将铝箔用纯水煮沸的第一处理，在这第一处理之后将上述铝箔浸渍到弱酸溶液中的第二处理，在这第二处理之后实施生成上述铝箔的第三处理。
然而，上述现有的阳极箔制造方法中，弱酸不仅与纯水煮沸产生的水和皮膜相结合，而且该弱酸还有溶解水和皮膜的作用，因而有这样的问题，后道工序中所形成的生成皮膜的缺陷会增加，因此漏电流特性不够好。
本发明正是要解决上述现存问题，其目的在于提供一种漏电流特性良好的铝电解电容用阳极箔制造方法。
以下说明本发明一实施例。
进行第一工序，将腐蚀后的铝箔浸渍在98℃的纯水中10分钟，便在腐蚀的箔表面上形成水和皮膜。接下来进行第二工序，再浸渍在表1所示的本发明实施例1-4的水溶液中。但溶液浓度为5g/l，处理温度在85℃，处理时间为5分钟。接着进行第三工序，在含10g/l己二酸铵的电解液中90℃温度下加300V电压15分钟，进行生成处理。作为对比，如表1所示还采用了第二工序处理液用琥珀酸、马来酸的已有例1-2，以及没有浸渍于有机酸水溶液中的第二工序的对比例。之后将各种箔在500℃下热处理3分钟后，再在50g/l硼酸、50g/l硼酸铵的电解液中加300V电压5分钟，进行再生成处理。
对于按上述方法制造出的阳极箔，表1汇集了漏电流测定结果。该表1中所示的漏电流值是在上述再生成电解液中加300V电压1分钟时的电流值。
(表1)
由表1可知，本发明实施例1-4与已有例1-2相比，漏电流值减少了约30-50%。与此相反，对比例中由于没有浸渍于有机酸水溶液中的第二工序，因而显示出比已有例1-2更高的漏电流值。
另外，表1中本发明实施例1、2的丙二酸、戊二酸是碳原子为奇数的直链饱和二元羧酸组成的有机酸，而且本发明实施例3的富马酸是反式直链不饱和二元羧酸组成的有机酸，而且，本发明实施例4的安息香酸是具有芳香环与羧基的有机酸。
还有本发明上述实施例1-4中，第一工序中浸渍在高温纯水中的铝箔，在第二工序中是浸渍在含有丙二酸、戊二酸、富马酸、安息香酸等有机酸的水溶液中的，但除了上述有机酸之外，将第一工序中浸渍过高温纯水的铝箔浸渍在含有这些盐、二种以上有机酸的水溶液中，或浸渍在含有二种以上有机酸盐的水溶液中，或浸渍在含有有机酸与有机酸盐混合物的水溶液中，也显示出与本发明实施例1-4基本相同的漏电流值。
综上所述，根据本发明的铝电解电容用阳极箔制造方法，在将腐蚀过的铝箔浸渍于高温纯水中规定时间的第一工序之后，还包括一第二工序，将上述铝箔浸渍于包含有机酸、这些盐中至少一种的水溶液中。而且，上述有机酸是使用碳原子为奇数的直链饱和二元羧酸或反式直链不饱和二元羧酸的，或者使用具有芳香环与羧基的有机酸，因而与以往相比，就会使对水和皮膜的溶解作用减弱，使结合作用增强，从而，可以获得漏电流特性良好的铝电解电容用阳极箔。
权利要求
1.一种铝电解电容用阳极箔制造方法，其特征在于包括第一工序，将腐蚀过的铝箔放在高温纯水中浸渍一定时间；第二工序，在该第一工序之后将上述铝箔浸渍在包含碳原子为奇数的直链饱和二元羧酸或反式直链不饱和二元羧酸所组成的有机酸，这些有机酸盐中至少一种的水溶液中；第三工序，在该第二工序之后在电解液中对铝箔进行生成处理。
2.一种铝电解电容用阳极箔制造方法，其特征在于包括第一工序，将腐蚀过的铝箔放在高温纯水中浸渍一定时间;第二工序，在该第一工序之后将上述铝箔浸渍在含具有芳香环与羧基的有机酸和这些有机酸盐的至少一种的水溶液中;第三工序，在该第二工序之后在电解液中对铝箔进行生成处理。
全文摘要
本发明铝电解电容用阳极箔制造方法，包括将腐蚀过的铝箔放在高温纯水中浸渍一定时间的第一工序；此第一工序之后将上述铝箔浸渍于包含有机酸和这些有机酸盐的至少一种的水溶液中的第二工序；此第二工序之后在电解液中对上述铝箔进行生成处理的第三工序，上述第二工序中的有机酸采用碳原子为奇数的直链饱和二元羧酸或反式直链不饱和二元羧酸，或者采用具有芳香环与羧基的有机酸，使得对水和皮膜的溶解作用减弱，与水和皮膜的结合作用增强，漏电流特性得到提高。
文档编号H01G9/04GK1092823SQ9410315
公开日1994年9月28日 申请日期1994年3月18日 优先权日1993年3月19日
发明者栗原直美, 冈村一男, 吉村羲仁, 园田哲夫, 小岛浩一 申请人:松下电器产业株式会社