一种倒装芯片支架及led封装工艺的制作方法

文档序号:8224980阅读:290来源:国知局
一种倒装芯片支架及led封装工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED芯片用支架及LED的封装工艺,尤其是倒装LED芯片支架。
【背景技术】
[0002]目前,芯片主要有两种,一种为正装芯片,一种为倒装芯片,正装芯片主要用来封装小功率的LED,倒装芯片主要用来封装大功率的LED。由于正装芯片的电极设置在正面,电极会遮挡住部分出光,会影响出光率,因此,现在倒装芯片的应用越来越广泛。
[0003]倒装芯片的固定通常是通过在支架的固晶区点锡膏,然后将倒装芯片贴到支架上,让倒装芯片的电极与锡膏对应,经回流焊实现固定,如在申请号为201410076151.5的专利文献中公开了一种LED的封装方法。采用这种方法,由于固晶区通常为光面,因此,在经回流焊时,会造成锡膏流动不均匀,锡膏容易流出固晶区到支架本体上,回流焊完成后,会产生锡膏孔隙率大的现象,这样,不仅倒装芯片的固定不牢固,而且会影响电性能和导热性能。

【发明内容】

[0004]为了让锡膏的流动更加的均匀,减少锡膏流出固晶区,减小锡膏的孔隙率,本发明提供了一种倒装芯片支架。
[0005]为了提高芯片固定的牢固性,提高导电性能和导热性能,本发明提供了一种LED的封装工艺。
[0006]为达到上述第一目的,一种倒装芯片支架,包括支架本体,在支架本体上设有固晶;在固晶区的表面上设有通过气相成型工艺形成的毛细结构。
[0007]上述结构的支架,由于在固晶区上设置了毛细结构,这样,在回流焊过程中,锡膏的流动更加的均匀,且锡膏不易流出固晶区,回流焊完成后检测锡膏的孔隙率小,因此,倒装芯片的固定牢固,倒装芯片的导电性能好、导热性能好。
[0008]进一步的,毛细结构的边缘与支架本体之间形成有分界线,可有效的减少锡膏流出固晶区。
[0009]为达到上述第二目的,一种LED的封装工艺,首先成型支架,其方法是:在倒装芯片支架的固晶区上通过气相成型工艺制作毛细结构;然后在固晶区上点锡膏,接着将倒装芯片的电极对准固晶区,并把倒装芯片放置到支架上,最后通过回流焊将倒装芯片与支架固定起来。
[0010]上述LED的封装工艺,由于在固晶区设置了毛细结构,这样,在回流焊过程中,锡膏的流动更加的均匀,且锡膏不易流出固晶区,回流焊完成后检测锡膏的孔隙率小,因此,倒装芯片的固定牢固,倒装芯片的导电性能好、导热性能好。
[0011]进一步的,在成型毛细结构时,毛细结构的边缘与支架本体之间形成分界线,可有效的减少锡膏流出固晶区。
【附图说明】
[0012]图1为倒装芯片支架的俯视图。
[0013]图2为图1中A-A剖视图。
[0014]图3为LED的示意图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行进一步详细说明。
[0016]如图1和图2所示,倒装芯片支架包括支架本体I,在支架本体I上设有固晶区2 ;在固晶区2的表面上设有通过气相成型工艺形成的毛细结构。毛细结构的边缘与支架本体之间形成有分界线。
[0017]如图3所示,LED包括上述倒装芯片支架、锡膏层4和芯片3,芯片3通过锡膏层4固定在倒装芯片支架上。
[0018]LED的封装工艺为:首先成型支架,其方法是:在倒装芯片支架的固晶区2上通过气相成型工艺制作毛细结构,在成型毛细结构时,毛细结构的边缘与支架本体之间形成分界线,可有效防止锡膏流出固晶区2 ;然后在固晶区2上点锡膏,接着将倒装芯片的电极对准固晶2区,并把倒装芯片放置到支架上,最后通过回流焊将倒装芯片与支架固定起来。
[0019]上述结构的支架和封装工艺,由于在固晶区2上设置了毛细结构,这样,在回流焊过程中,锡膏的流动更加的均匀,且锡膏不易流出固晶区,回流焊完成后检测锡膏的孔隙率小,因此,倒装芯片的固定牢固,倒装芯片的导电性能好、导热性能好。
【主权项】
1.一种倒装芯片支架,包括支架本体,在支架本体上设有固晶区;其特征在于:在固晶区的表面上设有通过气相成型工艺形成的毛细结构。
2.根据权利要求1所述的倒装芯片支架,其特征在于:毛细结构的边缘与支架本体之间形成有分界线。
3.—种LED的封装工艺,其特征在于:首先成型支架,其方法是:在倒装芯片支架的固晶区上通过气相成型工艺制作毛细结构;然后在固晶区上点锡膏,接着将倒装芯片的电极对准固晶区,并把倒装芯片放置到支架上,最后通过回流焊将倒装芯片与支架固定起来。
4.根据权利要求3所述的LED的封装工艺,其特征在于:在成型毛细结构时,毛细结构的边缘与支架本体之间形成分界线。
【专利摘要】本发明公开了一种倒装芯片支架及LED的封装工艺,倒装芯片支架包括支架本体,在支架本体上设有固晶区;在固晶区的表面上设有通过气相成型工艺制作毛细结构;LED封装工艺包括制作毛细结构,点锡膏,放置芯片,回流焊。该结构的支架和封装工艺能让锡膏的流动更加的均匀,减少锡膏流出固晶区,减小锡膏的孔隙率,使得芯片的固定牢固、导电性能和导热性能好。
【IPC分类】H01L33-48, H01L33-62
【公开号】CN104538538
【申请号】CN201410813660
【发明人】邓俊, 焦祺, 林德顺, 吕天刚, 王跃飞
【申请人】广州市鸿利光电股份有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月24日
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