导电结构及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本说明书涉及一种导电结构体及其制备方法。本申请要求在韩国知识产权局于 2012年8月31日提交的第10-2012-0096525号韩国专利申请的权利，在此通过引用将其公 开内容全部并入本文。
【背景技术】
[0002] 通常，触屏面板依据信号的检测模式可以被分为以下几类。即，电阻型，当对所述 触屏面板施加直流电压时，通过电流或电压值的变化感应通过压力按压的位置；电容型，当 对所述触屏面板施加交流电压时，使用电容親合；电磁型，当对所述触屏面板施加磁场时， 由于电压的改变感应被选择的位置；等等。
[0003] 近来，由于对大面积触屏面板需要的增加，需要开发一种可实现具有优异的可见 性同时降低电极的电阻的大型触屏面板的技术。
【发明内容】
[0004] 技术问题
[0005] 在本发明涉及的领域内，需要开发一种用于改善各种样式的触屏面板的性能的技 术。
[0006] 技术方案
[0007] 本申请的示例性实施方式提供一种导电结构体，其包含：基板；导电层；至少一个 中间层；和暗化层。
[0008] 本申请的示例性实施方式提供一种制造导电结构体的方法，所述方法包含：在导 电层上形成至少一个中间层；在所述中间层上形成暗化层；以及层压所述导电层或暗化层 和基板。
[0009] 本申请的示例性实施方式提供一种制造导电结构体的方法，所述方法包含：在基 板上形成导电层；在所述导电层上形成至少一个中间层；以及在所述中间层上形成暗化 层。
[0010] 本申请的示例性实施方式提供一种制造导电结构体的方法，所述方法包含：在基 板上形成图案化的导电层；在所述图案化的导电层上形成至少一个图案化的中间层；以及 在所述图案化的中间层上形成图案化的暗化层。
[0011] 本申请的另一个实施方式提供一种包含所述导电结构体的触屏面板。
[0012] 本申请的又一个实施方式提供一种包含所述导电结构体的显示装置。
[0013] 本申请的再一个实施方式提供一种包含所述导电结构体的太阳能电池。
[0014] 有益效果
[0015] 根据本申请的示例性实施方式的导电结构体能防止由导电层造成的反射而不影 响所述导电层的导电性，并且能够通过改善吸光度来改善所述导电层的隐匿性。此外，使用 根据本发明的示例性实施方式的导电结构体，能够开发包含该导电结构体的具有改善的可 见性的触屏面板和显示装置以及太阳能电池。
【附图说明】
[0016] 图1至3是本申请的各示例性实施方式，并且为显示包含中间层和暗化层的导电 结构体的层压结构的图。
[0017] 图4依据在根据实验实施例1的导电层上设置的中间层的厚度显示对可见光区波 长的反射率。
[0018] 图5依据在根据实验实施例2的导电层上设置的中间层的厚度显示对可见光区波 长的反射率。
[0019] 图6显示实施例1至4对可见光区波长的反射率。
[0020] 图7显示对比实施例1以及实施例4、5和6对可见光区波长的反射率。
[0021] 图8显示对比实施例1至4对可见光区波长的反射率。
[0022] 图9显示实施例3至7对可见光区波长的反射率。
[0023] 图10显示对比实施例1至5对可见光区波长的反射率。
[0024] 图11根据实验实施例3的根据作为暗化层的Cu暗化层、中间层和作为导电层的 Cu电极层来显示原子百分比反射率。
[0025] 图12显示实施例8至12对可见光区波长的反射率。
【具体实施方式】
[0026] 以下，将详细描述本申请。
[0027] 在本说明书中，显示装置指所有电视或电脑的监视器，并且包含形成影像的显示 部件和支撑所述显示部件的壳体。
[0028] 显示部件的范例可包括：等离子体显示面板（PDP)、液晶显示器（IXD)、电泳显示 器、阴极射线管（CRT)、OLED显示器等。可以在所述显示部件内设置用于实现影像的RGB像 素图案和另外的滤光片。
[0029] 与此同时，对于显示器件，随着智能电话、平板电脑、IPTV等的加速发展，对于使用 人手作为直接输入装置而无需单独的输入装置（例如，键盘、远程控制器等）的触摸功能的 需要不断增加。此外，还需要用于识别特定的点并记录的多触摸功能。
[0030] 目前，大多数市售的触屏面板（TSP)是基于透明导电ITO薄膜，但是当施用具有大 面积的触屏面板时，由于因ITO透明电极的相对高的表面电阻（最小值150D/□，由日东 电工株式会（NittoDenkoCo. ,Ltd.)生产的ELECRYSTA)造成的RC延迟，存在触摸识别速 度降低和为了克服降低的触摸识别速度需要引入另外的补偿片等的问题。
[0031] 本申请的发明人已经研宄了由金属精细图案代替透明ITO薄膜的技术。在这点 上，本申请的发明人已经发现，在具有高导电性的Ag、Mo/Al/Mo、MoTi/Cu等金属薄膜用作 触屏面板的电极的情况下，当实施具有预定形状的精细电极图案时，存在由于由高反射造 成的可见性而造成所述图案被人眼轻易识别，以及由于外部光线的高反射和雾度值而造成 可能发生炫目等的问题。此外，本发明人已经发现在制造过程中使用昂贵的标靶（target)， 或者存在许多工艺复杂的情况。
[0032] 因此，本申请的示例性实施方式提供一种应用于触屏面板的导电结构体，其可区 别于已知的使用基于ITO的透明导电薄膜层的触屏面板，并且具有改善的金属精细图案电 极的隐匿性和改善的对外部光线的反射和衍射性能。
[0033] 根据本申请的示例性实施方式的导电结构体包含：基板；导电层；至少一个中间 层；和暗化层。这里，所述暗化层可以仅设置于所述导电层的任意一个表面上，或导电层的 两个表面上。
[0034] 在本说明书中，暗化层可以是图案化的暗化层或暗化的图案层。此外，在本说明书 中，导电层可以是图案化的导电层或导电图案层。此外，在本说明书中，中间层可以是图案 化的中间层。
[0035] 根据本申请的示例性实施方式的导电结构体在导电层和暗化层之间包含至少一 个中间层。所述中间层可具有一层，或者两层或多层。所述中间层主要用于降低导电层的反 射率。因此，使导电结构体在全部波长区均匀地具有20%以下、15%以下和10%以下的优 异的反射率的效果。在不包含中间层的导电结构体中，在600nm以上的可见光波长区内可 以测量到20%以上的反射率。与不包含中间层的情况对比，由于包含中间层，具有在600nm 以上的可见光波长区内可降低70%以上的反射率的效果。此外，包含中间层的导电结构体 还可使得在500nm以下的可见光波长区内导电层的反射率被首先降低。
[0036] 在本申请的示例性实施方式中，所述导电层可以设置在基板和暗化层之间，并且 所述至少一个中间层可以设置于所述导电层和所述暗化层之间。
[0037] 在本申请的示例性实施方式中，所述暗化层可以设置于基板和导电层之间，并且 所述至少一个中间层可以设置于所述导电层和所述暗化层之间。
[0038] 根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可包含：基板；在所述基板上设置的 导电层；在所述导电层上设置的至少一个中间层；以及在所述中间层上设置的暗化层。
[0039] 根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可包含：基板；在所述基板上设置的 暗化层；在所述暗化层上设置的至少一个中间层；以及在所述暗化层上设置的导电层。
[0040] 根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可包含：基板；在所述基板上设置的 暗化层；在所述暗化层上设置的至少一个中间层；在所述中间层上设置的导电层；在所述 导电层上设置的至少一个中间层；以及在所述中间层上设置的暗化层。
[0041] 在本申请的示例性实施方式中，所诉导电层、所述中间层或所述暗化层可以图案 化。所述导电层可以是图案化的导电层，所述暗化层可以是图案化的暗化层，并且所述中间 层可以是图案化的中间层。以下将描述图案的形式。
[0042] 本申请的发明人发现图案化的层使得光的反射和衍射性能显著地影响在有效屏 幕部分中包含导电金属精细图案的触屏面板的导电金属精细图案的可见性，并尝试对其进 行改善。具体地，在已知的基于ITO的触屏面板中，由于ITO的高透光率，由导电图案的反 射率导致的问题并不严重，但是已发现在包含设置在所述有效屏幕部分内的所述导电金属 精细图案的触屏面板中，导电金属精细图案的反射和暗化性能是重要的。
[0043] 为了在根据本申请的示例性实施方式的触屏面板中降低导电金属精细图案的反 射率并改善吸光性能，可以引入所述暗化层。所述暗化层可以设置在触屏面板内的导电层 的至少一个表面上以大幅防止由于导电层的高反射率的可见性的降低。
[0044] 具体地，因为所述暗化层具有光吸收性，导电层的反射率可以通过降低所述导电 层上入射的光的量和从所述导电层反射的光的量来降低。此外，与导电层的反射率相比较， 所述暗化层可具有低反射率。因此，与使用者直接观察所述导电层的情况相比较，可以降低 光的反射率，并且因此可以大幅改善导电层的可见性。
[0045] 在本说明书中，所述暗化层指为降低在所述导电层本身上入射的光的量和从所述 导电层反射的光的量的而具有吸光度的层，其可以是图案化的暗化层，并且可以由术语表 示，如吸收层、经黑化的层、黑化层，并且所述图案化的暗化层可以由术语表示，如图案化的 吸收层、图案化的经黑化的层和图案化的黑化层。
[0046] 在本申请的示例性实施方式中，包含所述图案化的导电层和所述图案化的暗化层 的导电结构体可具有ID/ □以上且300D/ □以下，优选ID/ □以上且100D/ □以下，更 优选ID/ □以上且50D/ □以下，进一步优选ID/ □以上且20D/ □以下的表面电阻。
[0047] 如果所述导电结构体的表面电阻是IQ/ □以上且300Q/ □以下，则具有代替已 知ITO透明电极的作用。在所述导电结构体的表面电阻是ID/ □以上且100D/ □以下 或ID/ □以上且50D/ □以下的情况下，并且特别地，在所述表面电阻是ID/ □以上且 20D/ □以下的情况下，因为与使用已知ITO透明电极的情况相比所述表面电阻明显降低， 优势在于当施加信号以显著改善触摸认知速度时，RC延迟减小，并且因此，可以容易地应用 具有10英寸以上大面积的触屏。
[0048] 在所述导电结构体中，导电层或暗化层在图案化之前的表面电阻可以是OD/ 口 以上且IOD/ □以下，OD/ □以上且2D/ □以下，并且优选为OD/ □以上且0.7D/ □以 下。如果所述表面电阻是2Q/ □以下，并且优选0. 7Q/ □以下，由于在图案化之前导电层 或暗化层的表面电阻降低，容易进行精细图案的设计和制造工艺，并且存在由在图案化之 后导电结构体的表面电阻降低来增加电极的反应速度的作用。表面电阻可以根据导电层或 暗化层的厚度调整。
[0049] 在所述导电结构体中，在图案化之前的中间层的表面上测量的薄层电阻可以是 OD/ □以