方式的触屏面板可进一步包含另外的结构体。在此情况下，两个结构 体可以以相同的方向布置，也可以以彼此相反的方向布置。可以包括在根据本申请的示例 性实施方式的触屏面板内的两个以上的结构体不需要具有相同的结构，并且仅任一个和优 选最靠近用户的结构体可包括基板、图案化的导电层和图案化的暗化层，并且另外包括的 结构体可以不包括图案化的暗化层。此外，在两个以上的结构体内的层压结构可以彼此不 同。在包括两个以上结构体的情况下，可以在它们之间插入绝缘层。在此情况下，所述绝缘 层可进一步具有粘合剂层的功能。
[0150] 根据本申请的示例性实施方式的触屏面板可包括下基板；上基板；和电极层，所 述电极层设置在与上基板相接触的下基板的表面和与下基板相接触的上基板的表面中的 任一表面上或者设置在这两个表面上。电极层可具有X-轴和Y-轴位置检测功能。
[0151] 在此情况下，设置在下基板且与上基板相接触的下基板的表面上的电极层以及设 置在上基板且与下基板相接触的上基板的表面上的电极层之一或两者可为根据本申请的 示例性实施方式的导电结构体。在仅任一电极层为根据本申请的示例性实施方式的导电结 构体的情况下，另一个电极层可具有本领域已知的导电图案。
[0152] 在将电极层设置在上基板和下基板两者各自的一个表面上以形成双层电极层的 情况下，可以在下基板和上基板之间设置绝缘层或隔离片，以便恒定地保持电极层之间的 间隔并防止它们之间的连接。绝缘层可包括粘合剂或者UV或热固性树脂。触屏面板可进 一步包含与上述导电结构体的导电层的图案连接的接地部。例如，接地部可以在其上形成 基板的导电层图案的表面的边缘部分形成。此外，可以在包括导电结构体的层压体的至少 一个表面上设置减反射膜、偏振膜和防指纹膜中的至少一种。除了上述功能性膜，根据设计 规范还可以进一步包括其他种类的功能膜。所述触屏面板可应用于显示器，如OLED显示面 板、液晶显示器（IXD)、阴极射线管（CRT)和TOP。
[0153] 在根据本申请的示例性实施方式的触屏面板中，图案化的导电层和图案化的暗化 层可以分别设置在基板的两个表面。
[0154] 根据本申请的示例性实施方式的触屏面板可在导电结构体上进一步包含电极部 或衬垫部。在此情况下，可以由相同的导体形成有效屏幕部、电极部和衬垫部。
[0155] 在根据本申请的示例性实施方式的触屏面板中，图案化的暗化层可以设置在用户 看到的一侧上。
[0156] 本申请的示例性实施方式提供包含导电结构体的显示装置。在所述显示装置中， 根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可以用于滤色片板、薄膜晶体管板等。
[0157] 本申请的示例性实施方式提供含导电结构体的太阳能电池。太阳能电池的范例可 包含阳极电极、阴极电极、感光层、空穴传输层和/或电子传输层，并且根据本申请的示例 性实施方式的导电结构体可以作为阳极电极和/或阴极电极使用。
[0158] 所述导电结构体可以在显示装置或太阳能电池中代替已知的ITO来使用，并且可 以灵活地应用。此外，所述导电结构体可以与CNT、导电聚合物和石墨烯等共同作为下一代 透明电极使用。
[0159] 以下，将参考实施例详细描述本申请。但是，以下实施例用于说明本申请，但是本 申请的范围不局限于此。
[0160] 〈实验实施例1>
[0161] 通过由活性溅射法改变CuOx (0〈x，Cu和0的原子百分比时95:5)的厚度来使中间 层沉积在作为导电层的厚度为IOOnm的Cu电极上，然后测量在中间层的表面上的薄层电 阻。此时所述薄层电阻的值在下表1中显示。
[0162][表 1]
【主权项】
1. 一种导电结构体，其包含： 基板； 导电层； 至少一个中间层；和 暗化层。
2. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层设置在所述基板和所述暗化 层之间，并且所述至少一个中间层设置在所述导电层和所述暗化层之间。
3. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层设置在所述基板和所述导电 层之间，并且所述至少一个中间层设置在所述导电层和所述暗化层之间。
4. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的总反射率为20%以下。
5. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的总反射率为15%以下。
6. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的总反射率为10%以下。
7. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层、所述中间层或所述暗化层的 薄层电阻为OD / □以上且IOD / □以下。
8. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层的消光系数k为0. 2以上且 2. 5以下。
9. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述中间层和所述暗化层各自独立地包 含选自金属的氧化物、金属的氮化物、金属的氮氧化物和金属的碳化物中的一种或者两种 或多种，并且在所述中间层的全部组分中金属的原子百分比是在所述暗化层的全部组分中 金属的原子百分比的一倍以上且2倍以下。
10. 根据权利要求9所述的导电结构体，其中，所述金属为选自Ni、V、W、Ta、Mo、Nb、Ti、 Fe、Cr、Co、Al和Cu中的一种或者两种或多种。
11. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述中间层或所述暗化层包含介电材料 和金属中的至少一种。
12. 根据权利要求11所述的导电结构体，其中，所述介电材料选自TiO 2_x、Si02_x、MgF2_ x 和31\3_!￡(-1^^彡1)，并且所述金属选自？6、(：〇、11、￥、41^〇、(：11、411和4 8中的一种或 者两种或多种的合金。
13. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含选自金属、金属合 金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或多种材料，并且所述材料具有IXKT 6Q ? cm至 30 X KT6 Q ? cm的电阻率。
14. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含选自Cu、Al、Ag、Nd、Mo、 Ni、它们的氧化物和它们的氮化物中的一种或者两种或多种。
15. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层、所述中间层和所述导电层 包含相同的金属。
16. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铜，所述中间层和所述 暗化层包含铜的氧化物，并且在所述中间层的全部组分中铜的原子百分比是在所述暗化层 的全部组分中铜的原子百分比的1. 01倍至1. 62倍。
17. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铜，所述中间层包含铜： 氧的原子百分比是95:5至97:3的铜的氧化物，并且所述暗化层包含铜：氧的原子百分比 是60:39至94:6的铜的氧化物。
18. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铜，所述中间层和所述 暗化层包含铜的氧化物，并且当所述中间层在厚度方向上邻近所述暗化层时，所述中间层 具有在所述中间层的全部组分中铜的原子百分比降低的梯度，在所述中间层中铜：氧的平 均原子百分比是95:5至97:3,并且在所述暗化层中铜：氧的平均原子百分比是60:39至 94:6〇
19. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含铝，所述中间层包含在 全部组分中氮的原子百分比大于0%且小于20%的铝的氮氧化物，并且所述暗化层包含在 全部组分中氮的原子百分比为20%以上且45%以下的铝的氮氧化物。
20. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述中间层的厚度是5nm至50nm。
21. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层的厚度是20nm至150nm。
22. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层的厚度是0. 01 ym至10 ym。
23. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述暗化层设置在所述导电层的至少一 面上。
24. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层、所述中间层或所述暗化层 是图案化的。
25. 根据权利要求24所述的导电结构体，其中，所述导电结构体具有ID/ □至 300 D/ □的薄层电阻。
26. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层、所述中间层和所述暗化层 是图案化的，并且在所述图案化的导电层中图案的线宽为10 Um以下。
27. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层、所述中间层和所述暗化层 是图案化的，并且在所述图案化的中间层中图案的线宽和在所述图案化的暗化层中图案的 线宽各自等于或大于在所述图案化的导电层中图案的线宽。
28. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层、所述中间层和所述暗化层 是图案化的，并且所述图案化的中间层和所述图案化的暗化层各自具有设置所述图案化的 导电层的面积的80 %至120 %的面积。
29. -种触屏面板，其包括根据权利要求1至28中任一项所述的导电结构体。
30. -种显示装置，其包括根据权利要求1至28中任一项所述的导电结构体。
31. -种太阳能电池，其包括根据权利要求1至28中任一项所述的导电结构体。
32. -种制造导电结构体的方法，所述方法包含： 在导电层上形成至少一个中间层； 在所述中间层上形成暗化层；以及 层压所述导电层或所述暗化层和基板。
33. -种制造导电结构体的方法，所述方法包含： 在基板上形成导电层； 在所述导电层上形成至少一个中间层；以及 在所述中间层上形成暗化层。
34. 根据权利要求32或33所述的方法，进一步包含：分别或同时使所述导电层、所述 中间层和所述暗化层图案化。
35. 根据权利要求32或33所述的方法，其中，使用活性溅射法形成所述中间层或所述 暗化层。
36. -种制造导电结构体的方法，所述方法包含： 在基板上形成图案化的导电层； 在所述图案化的导电层上形成至少一个图案化的中间层；以及 在所述图案化的中间层上形成图案化的暗化层。
37. 根据权利要求36所述的方法，其中，使用活性溅射法形成所述图案化的中间层或 所述图案化的暗化层。
【专利摘要】本发明涉及一种导电结构，其包括：基材；导电层；至少一个中间层；和暗化层，以及该导电结构的制造方法。所述导电结构能够防止由导电层造成的反射而不影响导电层的导电性，并且能够通过改善吸光度来改善导电层的隐匿性。因此，所述导电结构能够在开发具有改善的可见性的显示面板中使用。
【IPC分类】B23B9-00, H01B1-02, H01B5-14
【公开号】CN104603886
【申请号】CN201380043989
【发明人】林振炯, 章盛晧, 金秀珍, 金起焕
【申请人】Lg化学株式会社
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2013年8月30日
【公告号】EP2767985A1, EP2767985A4, US20150205326, WO2014035207A1