氧、氮或碳。
[0087] 作为其再一个具体的实施例，中间层或暗化层可包含第一氧化铬层、金属层、第二 氧化络层和络镜（chromemirror)，并且在此情况下，可包含选自镍（Ni)、fji(V)、鹤（W)、钽 (Ta)、钼（Mo)、铌（Nb)、钛（Ti)、铁（Fe)、钴（Co)、铝（Al)和铜（Cu)的金属代替铬。优选的 是金属层具有IOnm?30nm的厚度，第一氧化络层具有35nm?41nm的厚度，并且第二氧化 铬层具有37nm?42nm的厚度。
[0088] 作为其又一个具体的实施例，可以使用氧化铝（Al2O3)层、氧化铬（Cr2O3)层和铬 (Cr)层的层压结构作为中间层或暗化层。这里，氧化铝层具有改善的反射性能和防止光漫 射的性能，并且氧化铬层可通过降低倾斜表面反射率来改善对比性能。
[0089] 在本申请的示例性实施方式中，当在中间层全部组分中金属的原子百分比大于 在暗化层全部组分中金属的原子百分比时，具体地为一倍以上且两倍以下，首先降低相对 于导电层的反射率的效果最佳，并且首先降低600nm以上的可见光波长区的反射率的效果 特别优异。因此，具有使包含导电层、中间层和暗化层的导电结构体的反射率在300nm? 800nm的可见光的整个波长区域内被均匀地降低至20%以下的效果。
[0090] 在本申请的示例性实施方式中，导电层的材料适合地是具有电阻率IXKT6Q 至 30X106Q.cm并且优选IX106Q.cm至 7X106Q.cm的材料。
[0091] 在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，优选的是，导电层的材料包含 选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或两种或多种。优选的是导电层的 材料是具有优异导电性且容易被蚀刻的金属。但是，通常，具有优异导电性的金属具有反射 率高的缺点。但是，在本申请中，可以实现通过利用暗化层来使用具有高反射率的金属形成 导电层。在本申请中，在使用具有70%?80%以上的反射率的金属的情况下，可以加入暗 化层以降低反射率，改善导电层的隐匿性，并且保持或改善对比性能。
[0092] 在本申请的示例性实施方式中，导电层的材料的具体范例可以包含选自铜（Cu)、 铝（Al)、银（Ag)、钕（Nd)、钼（Mo)、镍（Ni)、它们的氧化物和它们的氮化物中的一种或两种 或多种。例如，材料可以是选自上述金属中的两种或多种的合金。更优选可以包含钼、铝或 铜。导电层可以是单一膜或多层膜。
[0093] 在本申请的示例性实施方式中，导电层、中间层和暗化层可包含相同的金属。当包 含相同的金属时，由于可以使用相同蚀刻剂进行工艺操作，因此在工艺上有优势，并且由于 恰好在生产率方面的优势而有益于制造工艺。
[0094] 在本申请的示例性实施方式中，当中间层具有两层或多层时，可以按顺序设置基 板、导电层、第一中间层、第二中间层和暗化层，或者可以按顺序设置导电层、第一中间层、 第二中间层、暗化层和基板层。在此情况下，在邻近导电层的第一中间层中金属的比例可以 大于在邻近暗化层的第二中间层中金属的比例。
[0095] 在本申请的示例性实施方式中，可以在厚度方向上金属比例具有梯度的方式包含 中间层。在此情况下，可以形成梯度，使得当中间层邻近暗化层时，金属比例增加，而当中间 层邻近导电层时，金属比例减少。相反地，当中间层邻近导电层时，金属比例可以增加，而当 中间层邻近暗化层时，金属比例可以减少。
[0096] 此外，即使当中间层具有两层或多层时，可以在厚度方向上金属比例具有梯度的 方式包含中间层。在此情况下，可以形成梯度，其中，当中间层邻近导电层时，在邻近导电层 的第一中间层中的金属比例增加，并且当中间层邻近暗化层时，在邻近导电层的第一中间 层中的金属比例减少，并且可以形成梯度，其中，当中间层邻近导电层时，在邻近暗化层的 第二中间层中的金属比例也增加，并且当中间层邻近暗化层时，在邻近暗化层的第二中间 层中金属的比例减少。此外，在邻近导电层的第一中间层中金属的比例可以大于在邻近暗 化层的第二中间层中金属的比例。
[0097] 在本申请的示例性实施方式中，导电层可包含铜，并且中间层和暗化层可包含铜 的氧化物、铜的氮化物或铜的氮氧化物。
[0098] 在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，导电层可包含铜，中间层和暗 化层可包含铜的氧化物，并且在中间层的全部组分中铜的原子百分比是在暗化层的全部组 分中铜的原子百分比的1. 01倍至1. 62倍。
[0099] 更具体地，导电层可包含铜，中间层可包含氧化铜，其中铜：氧的原子百分比是 95:5至97:3,并且暗化层可包含氧化铜，其中铜：氧的原子百分比是60:39至94:6。当中 间层和暗化层全部由氧化铜形成时，当具有在所述范围内的原子百分比，首先降低导电层 的反射率的效果最佳，并且首先降低在600nm以上的可见光波长区内的反射率的效果特别 优异。因此，具有使包含导电层、中间层和暗化层的导电结构体的反射率在300nm?800nm可见光的整个波长区内被均匀地降低至20%以下的效果。
[0100] 在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，当导电层包含铜，并且中间层 和暗化层包含铜的氧化物时，当所述中间层在厚度方向上邻近所述暗化层时，所述中间层 具有在所述中间层的全部组分中铜的原子百分比降低的梯度，并且在中间层中铜：氧的平 均原子百分比可以是95:5至97:3。在此情况下，所述梯度的范围可以在从导电层中铜的比 例至暗化层中铜的比例的范围内。
[0101] 在本申请的示例性实施方式中，导电层可包含铝，并且中间层和暗化层可包含铝 的氧化物、铝的氮化物或铝的氮氧化物。特别地，导电层可包含铝，中间层可包含铝的氮氧 化物，其中在全部组分中氮的原子百分比是〇%以上且20%以下，并且暗化层可包含铝的 氮氧化物，其中在全部组分中氮的原子百分比是20%以上且45%以下。
[0102] 例如，当导电层包含铜时，在中间层和暗化层包含的氧化铜为CuOx(X是O的原 子数量与一个Cu原子的比例，(Kx)的情况下，可以进行大量蚀刻，并且因此经济优势在 于生产工艺效率高且节省成本。此外，铜的电阻率为1.7X1(T6Q?cm，其优于电阻率为 2. 8XKT6D.cm的铝。因此，为了满足OD/□以上且2D/□以下、并且优选OD/□以上 0.7D/□以下的薄层电阻值，铜的优势在于导电层的厚度可以比包含Al的导电层的厚度 小。所述薄层电阻可以依据导电层的厚度调整。例如，为了薄层电阻满足从0.6Q/□? 0.7D/ □的值，包含Al的导电层需要形成具有80nm?90nm的厚度，但是包含Cu的导电 层需要形成具有55nm?65nm的厚度，并且由于层的厚度更小而更经济。此外，在溅射工艺 中Cu比Al具有大约2. 5倍的更好产率，并且因此理论上能够预期沉积率增加至4?5倍。 因此，在生产工艺中包含Cu的导电层具有高效率并且更经济，从而具有极佳的优势。
[0103] 在本申请的实施方式中，中间层的厚度可以是5nm至50nm。当中间层的厚度是5nm 以上时，考虑到蚀刻性能，调整工艺相对容易，并且当所述厚度是50nm以下时，在产率方面 所述厚度相对有利。
[0104] 当中间层包含铜的氧化物时，中间层的厚度可以优选8nm至30nm，并且更优选 15nm至25nm。当所述厚度在8nm至30nm的范围内时，效果在于首先降低600nm以上的可 见光波长区中导电层反射率的20%?60%反射率，从而存在使得包含导电层、中间层和暗 化层的导电结构体的反射率在300nm?800nm的可见光的整个波长区内被均匀地降低至 20%以下的效果。此外，当所述厚度在15nm至25nm的范围内时，更优异的效果在于首先在 600nm以上的可见光波长区中对于导电层反射率，反射率降低50 %?60%，从而存在使得 包含导电层、中间层和暗化层的导电结构体的反射率在300nm?800nm的可见光的整个波 长区内被均匀地降低至15%以下的效果。
[0105] 当中间层包含铝的氮氧化物时，中间层的厚度可以优选IOnm至40nm，并且更优选 20nm至30nm。当所述厚度在IOnm至40nm范围内时，效果在于首先在500nm以下的可见光 波长区中对于导电层反射率，反射率降低10%?40%，从而存在使得包含导电层、中间层 和暗化层的导电结构体的反射率在300nm?800nm的可见光的整个波长区内被均匀地降低 至20%以下的效果。此外，当所述厚度在20nm至30nm的范围内时，更优异的效果在于首先 在500nm以下的可见光波长区中对于导电层反射率，反射率降低30 %?40%，从而存在使 得包含导电层、中间层和暗化层的导电结构体的反射率在300nm?800nm的可见光的整个 波长区内被进一步降低的效果。
[0106] 在本申请的示例性实施方式中，暗化层的厚度可以是20nm至150nm。所述厚度可 以优选为20nm至100nm，更优选为40nm至80nm，或40nm至60nm。暗化层的优选厚度可根 据所使用材料的折射率和制造工艺改变，但是考虑到蚀刻性能，当厚度是20nm以上时，可 以相对容易地调整工艺，并且当厚度是150nm以下时，在生产率方面所述厚度相对有利。所 述工艺容易调整，并且在上述厚度范围内改善所述生产率，因此上述厚度范围在制造工艺 中更有利。在20nm至IOOnm范围内，在300nm?800nm可见光的整个波长区内，平均反射 率可以是15%?20%以下。在4〇111]1至8〇111]1或4〇111]1至6〇111]1范围内，在30〇111]1?80〇111]1可 见光的整个波长区内，平均反射率可以是10%?15%以下，因此上述范围对暗化层的形成 更有利。
[0107] 在本申请的示例性实施方式中，导电层的厚度没有特别限制，但是当所述厚度是 0. 01ym至10ym时，在导电层的导电性和形成图案的工艺的经济性方面可以显示更好的 效果。
[0108] 在本申请的示例性实施方式中，暗化层可以仅设置在导电层的任意一个表面上， 或具有中间层的导电层的两个表面上（中间层位于导电层和暗化层之间）。这里，暗化层可 具有形状与导电层相同的图案。但是，图案化的暗化层的图案大小不需要与图案化的导电 层的图案大小完全相同，并且甚至图案化的暗化层的线宽小于或大于图案化的导电层的线 宽的情况也被包含在本申请的范围内。具体地，图案化的暗化层中图案的线宽可以是图案 化的导电层中图案的线宽的80%至120%。
[0109] 在本申请的示例性实施方式中，图案化的暗化层可具有图案形状，其中所述图案 形状的线宽小于或大于图案化的导电层中的线宽。例如，图案化的暗化层的面积可以是由 图案化的导电层所占面积的80%至120%。
[0110] 在本申请的示例性实施方式中，优选的是，暗化层的图案是其线宽等于或大于导 电层的图案线宽的图案形状。
[0111] 在图案化的暗化层具有线宽比图案化的导电层的线宽大的图案形状的情况下，当 由使用者观察时，因为图案化的暗化层覆盖图案化的导电层的效果较大幅度地增加，优势 在于可以有效地阻挡由图案化的导电层的光泽和反射导致的影响。但是，即使图案化的暗 化层中图案的线宽与图案化的导电层中图案的线宽相同，也能够实现本申请的目标效果。