上且IOD/ □以下，优选OD/ □以上且5D/ □以下，并且更优选OD/ □以上且 ID/ □以下。SP，即使当中间层设置在导电层的一个表面上时，薄层电阻没有改变。参考在 以下实验实施例1中的表1，能够确定作为导电层的电极的薄层电阻没有损耗，因为导电层 的薄层电阻和中间层设置在导电层上部时的薄层电阻之间几乎没有改变。
[0050] 在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，暗化层的消光系数k可以是 0.2至2. 5,优选0.2至1.2,更优选0.4至1。
[0051] 如果所述消光系数k是0. 2以上，存在促进暗化的作用。所述消光系数k可以被 称作吸光系数，并且是定义导电结构体在预定波长下吸光强度多少的系数，以及确定导电 结构体的透光率的因数。例如，在透明介电材料的情况下，k〈0. 2,k非常低。但是，随着所 述材料中金属组分的量增加，所述k值增加。如果金属组分的量增加的更多，难以发生透 射，通常，在所述金属上仅发生表面反射，并且所述消光系数k大于2. 5,其不适合暗化层的 形成。
[0052] 当消光系数是0. 4至1时，存在进一步降低反射率的作用，并且因此进一步增加暗 化层的暗化程度。在此情况下，可以进一步提高导电层的隐匿性，并且当导电层应用于触屏 面板时，可以进一步改善可视性。
[0053] 在本申请的示例性实施方式中，导电结构体的折射率n可以是0以上至3以下。
[0054] 在以下反射率的描述中，暗化层可以是图案化的暗化层，导电层可以是图案化的 导电层，并且中间层可以是图案化的中间层。
[0055] 根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可具有20%以下的总反射率，优选 15%以下，更优选10%以下，并且进一步优选7%以下或3%以下。总反射率越小，效果越 好。
[0056] 在本申请的示例性实施方式中，总反射率可指：在用黑化层（完全黑化）处理与需 要测量的表面相对的表面后，以90°入射到需要测量的表面上的、具有300nm?800nm并且 优选380nm?780nm的波长的光线的反射率。
[0057] 当中间层不包含在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中时，600nm以下 的可见光区的总反射率可以是20%以下，但是在600nm以上的可见光区内测量的总反射率 可以是20%以上。但是，从300nm?800nm的可见光的整个区域中，包含中间层的导电结构 体可具有20%以下，优选15%以下，更优选10%以下，并且进一步优选7%以下和3%以下 的总反射率。
[0058] 当在基板和暗化层之间设置导电层，并且在所述导电层和所述暗化层之间设置中 间层时，与所述暗化层和所述中间层接触的表面相对的表面的方向上可以测量反射率。具 体的，当所述暗化层包含与所述中间层接触的第一表面和面对所述第一表面的第二表面， 在第二表面的方向上可以测量反射率。当在该方向上测量反射率时，总反射率可以是20% 以下，优选15%以下，更优选10%以下，并且进一步优选7%以下和3%以下。总反射率越 小，效果越好。
[0059] 此外，当在导电层和基板之间设置暗化层，并且在导电层和暗化层之间设置中间 层时，在基板一侧可以测量反射率。当在基板一侧测量总反射率时，总反射率可以是20%以 下，优选15%以下，更优选10%以下，并且进一步优选7%以下和3%以下。总反射率越小， 效果越好。
[0060] 在本说明书中，当入射光是100%时，总反射率可以是基于波长值300nm?800nm、 优选380nm?780nm的、由光入射的目标图案层或导电结构体反射的光线测量的值。
[0061] 在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，暗化层可包含与导电层接触的 第一表面和面对第一表面的第二表面。在此情况下，当在暗化层的第二表面的一侧上测量 导电结构体的总反射率时，可以由以下等式1计算导电结构体的反射率（Rt)。
[0062] [等式 1]
[0063] 总反射率（Rt)=基板的反射率+闭口率X暗化层的反射率
[0064] 此外，在导电结构体具有层压两种导电结构体的构造的情况下，导电结构体的反 射率（Rt)可以通过以下等式2来计算。
[0065] [等式 2]
[0066] 总反射率（Rt)=基板的反射率+闭口率X暗化层的反射率X2
[0067] 在等式1和2中，基板的总反射率可以是触摸式强化玻璃的反射率，并且在表面是 膜的情况下，基板的反射率可以是所述膜的反射率。
[0068] 此外，基于导电结构体的平面，所述闭口率可以由导电图案覆盖的区域的面积比 (即，（1-开口率））来表示。
[0069] 因此，图案化的暗化层的情况和无图案化的暗化层的情况之间的差异由图案化 的暗化层的反射率而定。在这点上，与具有相同构造而无图案化的暗化层的导电结构体 的总反射率相比，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的总反射率（Rt)可以减少 10%?20%、20%?30%、30%?40%、40%?50%或50%?70%。艮卩，在等式1和2的情 况下，闭口率的范围从1 %?10 %改变，并且反射率的范围在从1?30 %的范围内改变，可 以显不出70%的最大反射率减少的效果，并且可以显不出10%的最小反射率减少的效果。
[0070] 在本申请的示例性实施方式的导电结构体中，图案化的暗化层包含与导电图案接 触的第一表面和面对第一表面的第二表面，并且当在暗化图案的第二表面的一侧上测量导 电结构体的总反射率时，导电结构体的总反射率（Rt)和基板的反射率（Rtl)之间的差异可 以是40%以下、30%以下，20%以下或10%以下。
[0071] 在本发明的不例性实施方式中，基于CIE(CommissionInternationalede l'Eclairage)L*a*b*彩色坐标，导电结构体可具有50以下、并且更优选40以下的亮度值 (L*)。由于亮度值下降，所以反射率下降来提供有益效果。
[0072] 在本申请的示例性实施方式中，在导电结构体中几乎不存在针孔，并且即使存在 针孔，它的直径可以为3ym以下，并且更优选Iym以下。在导电结构体的针孔的直径为 3ym以下的情况下，可以防止短路的发生。此外，在导电结构体中几乎不存在针孔并且其数 量极少的情况下，可以防止短路的发生。
[0073] 在本申请的示例性实施方式中，可以在导电层的至少一个表面上设置暗化层。具 体地，可以仅在导电层的任意一个表面或它的两个表面上设置暗化层。
[0074] 在本申请的示例性实施方式中，暗化层、中间层和导电层可以同时或分别图案化。
[0075] 在本申请的示例性实施方式中，图案化的中间层、图案化的暗化层和图案化的导 电层可通过同时或单独的图案化工艺形成层压结构。在这点上，所述层压结构与在导电图 案中并入或分散至少部分光吸收材料的结构不同，或与单层导电图案侧表面上的一部分由 另外的表面处理物理或化学地改性的结构不同。
[0076] 此外，在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，暗化层可以直接设置在 基板上或在具有中间层的导电层上，其之间不插入连接层或粘合剂层。所述连接层或粘合 剂层可能影响耐久性或光学性能。此外，制造根据本申请的示例性实施方式的导电结构体 的方法明显异于使用连接层或粘合剂层的情况。此外，在本申请的示例性实施方式中，与使 用连接层或粘合剂层的情况相比，在基板或导电层和暗化层之间的界面性能是优异的。
[0077] 在本申请的示例性实施方式中，暗化层可以是单层，或者两层以上的多层形成。
[0078] 在本申请的示例性实施方式中，优选的是暗化层是无色的。在此情况下，无色指当 入射在物体表面上的光没有被选择性地吸收，而各波长成分被均匀反射和吸收时显示的颜 色。
[0079] 在本申请的示例性实施方式中，可以使用暗化层的材料而没有特别限制。例如，在 滤色片中，可以使用用作黑底（blackmatrix)的材料。此外，可以使用具有抗放射功能的 材料。
[0080] 例如，暗化层可包含选自金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物和金属碳 化物中的一种或两种或多种。金属的氧化物、氮化物、氮氧化物或碳化物可以通过本领域中 普通技术人员等制定的沉积条件来形成。所述金属可以是选自镍（Ni)、钒（V)、钨（W)、钽 (Ta)、钼（Mo)、铌（Nb)、钛（Ti)、铁（Fe)、铬（Cr)、钴（Co)、铝（Al)和铜（Cu)中的一种或两 种或多种。具体地，暗化层可包含铜的氧化物、铜的氮化物、铜的氮氧化物、铝的氧化物、铝 的氮化物或铝的氮氧化物。
[0081] 例如，中间层可包含选自金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物和金属碳 化物中的一种或两种或多种。金属的氧化物、氮化物、氮氧化物或碳化物可以本领域中普 通的技术人员等制定的沉积条件来形成。所述金属可以是选自镍（Ni)、钒（V)、钨（W)、钽 (Ta)、钼（Mo)、铌（Nb)、钛（Ti)、铁（Fe)、铬（Cr)、钴（Co)、铝（Al)和铜（Cu)中的一种或两 种或多种。具体地，中间层可包含铜的氧化物、铜的氮化物、铜的氮氧化物、铝的氧化物、铝 的氮化物或铝的氮氧化物。
[0082] 作为其另一个具体的实施例，中间层或暗化层可包括介电材料和金属中的至少一 种。上述金属可以是金属或金属合金。具体地，暗化层可进一步包含选自Ti02_x、Si02_x、 MgF2_x和SiU-I彡X彡1)的介电材料，以及选自铁（Fe)、钴（Co)、钛（Ti)、钒（V)、铝 (Al)、钼（Mo)、铜（Cu)、金（Au)和银（Ag)的金属，并且进一步包含选自铁（Fe)、钴（Co)、钛 (Ti)、|凡（V)、错（Al)、钼（Mo)、铜（Cu)、金（Au)和银（Ag)中的两种或多种金属的合金。
[0083] 根据本申请的示例性实施方式，中间层或暗化层可包含选自金属的氧化物、金属 的氮化物、金属的氮氧化物和金属的碳化物中的一种或两种或多种，并且可进一步包含介 电材料和金属中的至少一种。
[0084] 优选的是由于外部光线在入射方向消失，介电材料以逐渐下降的量分布，并且金 属和合金成分相反地分布。在此情况下，优选的是介电材料的含量是20wt%?50wt%并且 金属的含量是50wt%?SOwt%。在暗化层进一步包含合金的情况下，优选的是暗化层包含 10界1:%?3〇￥1:%的介电材料、5〇￥1:%?8〇￥1:%的金属，和5￥1:%?4〇￥1:%的合金。
[0085] 作为其另一个具体的实施例，中间层或暗化层可以由包含镍和钒的合金以及镍 和钒的氧化物、氮化物和氮氧化物中的一种或多种的薄膜形成。在此情况下，优选的是以 26atom%?52atom%的含量包含钒，并且优选的是钒与镍的原子比是26/74?52/48。
[0086] 作为其又一个具体的实施例，中间层或暗化层可包含含有两种或多种元素的过渡 层，并且根据外部光线的入射方向，一种元素的组成比例每100埃大约最大增加20%。在此 情况下，一种元素可以是金属，如镍（Ni)、钒（V)、钨（W)、钽（Ta)、钼（Mo)、铌（Nb)、钛（Ti)、 铁（Fe)、铬（Cr)、钴（Co)、铝（Al)和铜（Cu)，并且除金属元素外的元素可以是