电极及其制作方法、阵列基板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电极及其制作方法、阵列基板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]在有机电致发光器件(Organic Light-Emitting D1de，0LED)显示面板中，为了提高作底电极的功函和反射率，通常会采用如图1所示的电极作为底电极，如图1所示，该电极包括金属电极层10、形成在底电极上的微透镜结构层11、形成在所述微透镜结构层上的透明电极层12 (通常采用ITO材料制作)。其中金属电极层10—般为具有反射功能的电极层，光线在照射到该金属电极层10之后被金属电极层10反射，反射的光线在经过微透镜结构层11中的各个微透镜时，由于微透镜的漫反射作用、微透镜作用和纳米粒子造成的折射系数降低等原因，使得透过透明电极层12的光线相对于没有设置微透镜结构层12时大巾畐提尚。
[0003]现有技术中，微透镜结构层2 —般通过如下工艺制作:在金属电极层10上形成氧化铟锡ITO材料层，之后使用溶液对ITO材料层进行刻蚀，形成包含多个微透镜结构的微透镜结构层11。为了对ITO材料层进行刻蚀，一般需要使用酸性较强的溶液，但是酸性过强的溶液又可能导致ITO材料层下方的金属电极层10被刻蚀，影响金属电极层10的导电和反射性能。
【发明内容】
[0004]本发明的一个目的在于提供一种能够阻止电极中的金属电极层被刻蚀的方法。
[0005]本发明提供了一种电极，包括:金属电极层、形成在所述金属电极层上的微透镜结构层、形成在所述微透镜结构层上的透明电极层；其中，所述微透镜结构层采用ZnON材料制作。
[0006]进一步的，所述微透镜结构层中微透镜结构的高度为50-500nm。
[0007]进一步的，所述透明电极层采用ITO材料、IZO材料、ITZO材料或IGZO材料制作。
[0008]本发明还提供了一种阵列基板，包括衬底，形成在所述衬底上的晶体管阵列，形成在所述晶体管阵列之上的电致发光元件阵列；其中，所述电致发光元件阵列中的底电极为上述任一项所述的电极。
[0009]本发明还提供了一种电极的制作方法，包括:
[0010]在金属电极层上形成ZnON材料层；
[0011]对所形成的ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层；
[0012]在所述微透镜结构层上形成透明电极层。
[0013]进一步的，在所述金属电极层上形成的ZnON材料层的厚度为50_500nm。
[0014]进一步的，所述对所形成的ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层包括:
[0015]使用碱性溶液对ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层。
[0016]进一步的，所述对所形成的ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层包括:
[0017]使用质量占比为0.1% -5%的盐酸、醋酸或者草酸溶液对ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层。
[0018]进一步的，所述在金属电极层上形成ZnON材料层包括:
[0019]在所述金属电极层上沉积ZnON材料；
[0020]在200-500摄氏度的温度下对沉积的ZnON材料退火得到ZnON材料层。
[0021 ] 进一步的，所述在金属电极层上沉积ZnON材料包括:
[0022]通过派射工艺在所述金属电极层上沉积ZnON材料。
[0023]进一步的，所述透明电极层采用ITO材料、IZO材料、ITZO材料或IGZO材料制作。
[0024]本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括:
[0025]在衬底上形成晶体管阵列和在所述晶体管阵列上形成电致发光元件阵列的步骤；
[0026]其中，在所述晶体管阵列上形成电致发光元件阵列时，采用上述任一项所述的方法制作所述电致发光元件阵列的底电极。
[0027]本发明中，由于采用ZnON作为用于形成微透镜结构层的材料，能够在通过刻蚀的方式形成微透镜结构时，使用碱性溶液或者酸性较弱的溶液，从而能够减缓甚至避免金属电极层被腐蚀。
【附图说明】
[0028]图1为现有技术中一种电极的结构示意图；
[0029]图2为本发明一实施例提供的一种电极的制作方法的流程示意图；
[0030]图3为本发明一实施例提供的一种电极的结构示意图；
[0031]图4为本发明一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0032]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例，都属于本发明保护的范围。
[0033]本发明一实施例提供了一种电极的制作方法，如图2所示，该方法可以包括如下流程:
[0034]步骤SI I，在金属电极层上形成ZnON材料层；
[0035]步骤S12，对所形成的ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层；
[0036]步骤S13，在所述微透镜结构层上形成透明电极层。
[0037]本发明实施例中，采用ZnON作为用于形成微透镜结构层的材料，由于ZnON能够采用碱性或者酸性较弱的溶液进行刻蚀，则本发明提供的技术方案中，在通过刻蚀的方式形成微透镜结构的过程中，可以使用碱性溶液或者酸性较弱的溶液，从而能够减缓甚至避免金属电极层被腐蚀。
[0038]在步骤Sll之前，上述的方法还可以包括图中未示出的:步骤S01，形成金属电极层。具体的，可以采用具有较高反射率、且具有较低电阻率的金属材料形成金属电极层。比如使用AlNd或者AlNiB形成金属电极层。进一步的，在具体实施时，可以采用溅射工艺将相应的金属材料沉积在该电极的基底上。这里的电极作为OLED显示器件的底电极时，这里的基底可以是指包括形成有用于控制OLED发光的晶体管阵列的透明衬底。
[0039]在具体实施时，上述的步骤Sll中，在所述金属电极层上形成的ZnON材料层的厚度可以为50-500nm。这样的高度能够使得反射电极的具有更佳的反射率。
[0040]在具体实施时，上述的步骤Sll可以具体包括:在所述金属电极层上沉积ZnON材料；在200-500摄氏度的温度下对沉积的ZnON材料退火得到ZnON材料层。在实现本发明的过程中，本申请发明人发现，对ZnON材料进行退火得到的ZnON材料层更容易被刻蚀，且能够使得后续工艺中形成的微透镜更加均匀，具有更好的形态，能够进一步提高光线经金属电极层反射的光线在透明电极层的透过率。
[0041]在具体实施时，可以通过派射工艺在所述金属电极层上沉积ZnON材料。当然，只要能够在金属电极层上沉积ZnON材料，具体采用何种工艺并不会影响本发明的实施，相应的技术方案也应该落入本发明的保护范围。
[0042]在具体实施时，在步骤S12中，可以使用碱性溶液对ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层。这里的碱性溶液一般是指强碱性溶液。具体来说，可以为Ca(OH)2溶液，KOH溶液，NaOH溶液等，这些溶液不会腐蚀ZnON材料层下面的金属电极层，能够很好的避免金属电极层的损坏。在具体实施时，这里的碱性溶液可以具体为质量占比为0.1% -5%的Ca (OH) 2溶液，KOH溶液，NaOH溶液。
[0043]另外在实际应用中，也可以使用酸性较弱的溶液对ZnON材料层进行刻蚀以形成微透镜结构，具体来说，可以使用质量占比为0.1% -5%的盐酸、醋酸或者草酸溶液对ZnON材料层进行刻蚀形成微透镜结构层。这些酸性溶液具有相对较高的PH值，与金属电极层的反映速率较慢，能够降低金属电极层被腐蚀的程度。
[0044]在具体实施时，在上述的步骤S13中，可以采用ITO材料、IZO材料、ITZO材料或IGZO材料制作所